上游涵蓋 GaAs/InP 基板、MOCVD/MBE 磊晶與光電子材料,是報價上漲與缺料最早反映的環節。全新因同時布局 GaAs 與 InP 磊晶、光電子占比快速升高,受惠最直接;AXT 直接供應基板,受惠長約與毛利率改善;IET-KY 具 MBE 與國防、光通訊應用利基。觀察重點是鎵與 InP 基板供應、客戶配額、擴產設備到位與漲價轉嫁能力。
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台股 2455全新受惠最高
- 1. 全新是純磊晶代工廠,同時供應 GaAs PA/RF 與 InP 光電子磊晶片,直接位於砷化鎵上游;GaAs 基板漲價可較早反映至報價與營收。
- 2. AI 資料中心推動 800G、1.6T 光通訊升級,全新 2026 年 8 月光電子營收占比升至 46.1%,單月營收 4.71 億元、年增 71.2%,顯示高階磊晶需求正轉化為實際出貨。
- 3. 公司第三季 MOCVD 機台數增至 67 台,100G/200G PD 已量產、1.6T 產品完成驗證並量產,新增設備可提升 GaAs/InP 磊晶承接能力,放大 AI 光通訊與高頻應用成長。
- 4. 2026 年第二季毛利率為 38.6%,公司表示 GaAs、InP 原料漲價可轉嫁;但 InP 基板仍是出貨上限,若配額或出口許可受阻,將限制光電子營收與擴產效益。
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美股 AXTIAXT, Inc.受惠高
- 1. AXT 直接製造 GaAs 基板,2026 年第 2 季 GaAs 營收 660 萬美元,受工業機器人、資料中心雷射與無線 RF 晶圓需求支撐,屬上游直接受惠者。
- 2. GaAs 供應鏈自 2026 年第 2 季起調漲,AXT 第 2 季整體毛利率由第 1 季 29.6% 升至 44.9%;漲價、出貨量與產品組合改善有助獲利彈性放大。
- 3. AXT 透過中國製造基地及十家原料合資企業掌握鎵、砷等供應,垂直整合有助降低原料波動並維持 GaAs 基板交付;但供應鏈集中中國也放大地緣風險。
- 4. 中國出口許可仍是 AXT GaAs/InP 基板出貨的主要瓶頸,且 2026 年上半年中國占營收 64%;若許可延遲,需求即使強勁也可能無法轉成當期營收。
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台股 4971IET-KY受惠高
- 1. IET-KY以 MBE 生產 GaAs pHEMT 磊晶片,應用於衛星通訊、防撞雷達與太空國防;已完成大廠售價談判並取得 2026 年量產訂單,直接受惠 GaAs 需求與報價上升。
- 2. 2026 年第二季 GaAs 磊晶片占營收 24%,鎵與基板價格上漲後公司正進行整體售價調整;上半年毛利率達 41.81%,具成本轉嫁與獲利改善空間。
- 3. AI 資料中心帶動 InP PD、PIN 與 200G 產品需求,亦提高 MBE 產能利用率;德州二期預計 2027 年第一季完工,但短期仍受 InP 基板配額限制,供應改善才是放量關鍵。
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台股 3081聯亞受惠中
- 1. 聯亞以 MOCVD 生產 GaAs 與 InP 磊晶片,產品可用於高頻通訊、VCSEL 與光電元件,位處砷化鎵上游;但公司未揭露 GaAs 營收占比,題材純度仍屬中等。
- 2. 2026 年第二季 Datacom 營收占比約 80%~85%,1.6T 矽光 CW Laser 已量產,單季營收 12.21 億元、年增 120.8%;AI 光通訊擴張可帶動三五族磊晶需求,但主力目前偏 InP。
- 3. 聯亞與住友電工簽訂五年 InP 基板長約,並核准最高 22.7 億元設備投資,目標 2027 年產能達 2026 年的 2.5 倍;供應吃緊與報價轉嫁有利放大磊晶營收及毛利。
- 4. 聯亞具多波長 CW Laser 技術,且持續增加代工夥伴以解除產能瓶頸;若 GaAs 高頻與 VCSEL 訂單同步回升,既有 III-V 製程平台可承接需求,但仍須觀察 GaAs 實際出貨占比。
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GB IQEIQE受惠中
- 1. IQE 是全球化合物半導體磊晶供應商,無線業務 H1 2026 營收達 2,600 萬英鎊、年增 40%;5G 與 Wi‑Fi 7 射頻平台放量,直接拉動 GaAs PA 磊晶需求。
- 2. IQE 已完成 GaAs 新型光互連技術的客戶認證,且光子業務 H1 2026 營收年增 45%;AI 資料中心 800G/1.6T 升級提供 GaAs VCSEL 與相關磊晶的新增成長選項,但目前光子動能仍以 InP 為主。
- 3. 公司將於 2026 年下半年把既有設備轉作 InP 產能,並透過多項長期供應協議提高稼動率;此舉可改善固定成本吸收與產品組合,但 InP 基板瓶頸及原料取得仍可能限制上游磊晶出貨。