4971 IET-KY 11/04 收盤價：397 元+8 (+2.06%)

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IET-KY（英特磊）主要從事化合物半導體磊晶片的設計與製造，是高速光通訊、無線通訊與紅外線感測供應鏈的上游廠商。

核心業務可分為三類：

• 磷化銦（InP）磊晶片：用於高速光通訊元件，例如光偵測器（PD／PIN）、異質接面雙極電晶體（HBT）等。這是目前最受市場關注的產品線，應用端涵蓋 AI 資料中心的 800G、1.6T 高速光模組；當光模組傳輸速率提升，對高速、低雜訊的 InP 元件需求也會增加。
• 砷化鎵（GaAs）磊晶片：主要供應高頻、射頻元件，例如 pHEMT，應用於行動通訊、衛星通訊、基地台與其他高頻電子設備。
• 銻化鎵（GaSb）磊晶片：主要用於紅外線偵測與感測器，應用可包括工業檢測、氣體感測、國防或熱成像等領域。

可以把英特磊理解為：它不直接做終端光模組或資料中心設備，而是提供這些產品內部關鍵元件所需的「半導體材料基礎」。其技術價值在於透過磊晶成長，精準控制材料結構與電性、光學特性；客戶再將晶圓加工成光偵測器、雷射相關元件、射頻晶片等。

目前營運焦點偏向 InP 高速光通訊。頁面資料顯示，2026 年第一季 InP 營收占比為 54.5%，第二季因基板供應短缺降為 48.7%；AI 資料中心相關的 100G、200G 光偵測器應用，約占公司營收 30%～40%。因此，未來營收與毛利能否擴張，除了取決於 AI 光通訊需求，也高度取決於磷化銦基板能否穩定取得。

市場目前看 IET-KY 的題材，核心是「AI 高速光通訊需求很強，但供給端的 InP 基板能否到位，決定業績兌現速度」。可分成以下幾條主線：

1. AI 資料中心高速光通訊

   • AI 伺服器叢集對頻寬、功耗與散熱要求提高，帶動 800G、1.6T 光模組與資料中心內部光互連需求。
   • IET-KY 供應的 InP 光接收器（PD）磊晶片，是高速光通訊上游材料；100G PD 已量產，200G PD 正放量，是最直接的成長敘事。公司指出，AI 資料中心相關 PD 需求強勁，且 InP 是未來最重要成長主軸。

2. 磷化銦（InP）基板供不應求：既是題材、也是關鍵風險

   • 全球 AI 光通訊需求上升，使 InP 雷射與基板成為供應鏈瓶頸；市場預期供給緊張並非短期就能完全緩解。
   • 對 IET-KY 而言，基板增加就能讓既有訂單轉化為出貨，並提高高毛利 InP 產品占比；反之，第二季便曾因基板到貨受影響，使毛利率由第一季的 47.8% 降至 34.0%。
   • 因此股價會特別反映：新增供應商認證、客戶自備基板、取得更多供應配額，以及基板研磨再利用的進展。這是短線最重要的營運驗證點。

3. 矽光子與 CPO（共同封裝光學）長線布局

   • 市場把矽光子、CPO 視為 AI 資料中心下一代高速、低功耗互連技術，IET-KY 的 InP 材料能力與光通訊供應鏈合作，使其具備上游材料受惠想像空間。
   • 不過這條題材較偏中長期評價。真正對營收與獲利有立即影響的，仍是既有 PD 產品出貨和 InP 基板取得量，而非 CPO 題材本身。

4. 量子點雷射（QD Laser）與 200G VCSEL：由接收端延伸至發射端

   • 現階段主要營收動能是接收端 PD；市場也關注公司是否能以砷化鎵產品切入發射端，包括 QD 雷射與 200G VCSEL。
   • QD 雷射仍在客戶與研究機構測試、200G VCSEL也持續驗證，屬於技術升級選擇權；若驗證轉入量產，將拓寬產品組合，但尚不宜當作短期獲利主力。

5. 美國德州新廠二期與補助

   • 新廠二期規劃於 2027 年第一季完工，搭配補助申請，市場看重的是未來 InP、GaAs、GaSb 等產品的擴產彈性，以及美國在地製造的供應鏈定位。
   • 但短期來說，產能不是唯一限制；即使新廠完成，InP 基板供應若未同步改善，擴產效益仍可能延後反映。

6. 國防紅外線感測與 GaSb／GaN 非光通訊成長線

   • GaSb 用於高規格紅外線偵測，既有國防訂單維持支撐，且公司正洽談非國防紅外線應用，預期 2027 年有機會出現量產訂單。
   • GaN 二次長晶則連結 5G、高頻與功率轉換應用，屬於分散產品結構的題材；只是相較 AI 光通訊，市場給予的即時估值影響通常較低。

題材強弱排序大致是：
AI 高速光通訊／InP PD出貨 → InP 基板供應改善 → 矽光子、CPO與發射端技術 → 美國擴產 → 國防紅外線與 GaN。

目前股價評價已高度反映成長期待，頁面顯示近四季 EPS 為 4.01 元、本益比約 146 倍；所以市場接下來不只看「題材存在」，而是更重視 InP 基板是否實際增加、高毛利產品占比能否回升，以及營收、毛利率能否同步改善。

IET-KY 的營收核心已明顯轉向 磷化銦（InP）磊晶片，也是目前最直接受惠 AI 資料中心高速光通訊需求的產品線。

其中，若看終端應用，2026 年第 2 季的結構為：

值得注意的是，InP 產品中以 PD 光偵測器為絕對主力：PD 約占公司整體營收 30%～40%，並占 InP 營收約 70%～80%。這使公司營運對 AI 資料中心的 100G／200G 光通訊需求高度敏感。

比較 2026 年第 1 季與第 2 季，可看到 InP 占比由 54.5% 降至 48.7%，主要不是需求轉弱，而是受到 InP 基板供應與日本供應商歲修影響，造成第 2 季 InP 出貨減少；同期間 GaAs 占比則由 12.4% 回升到 24.0%。

因此，現階段可將 IET-KY 的營收結構理解為：

• 成長主引擎：InP／AI 光通訊
• 高規格、抗景氣循環的第二支柱：GaSb／國防紅外線
• 復甦與長期新產品選擇權：GaAs／射頻、車用、QD Laser、VCSEL
• 波動較大但可能挹注單季營收的項目：MBE 機台與硬體構建

2025 年全年結構也大致相近，InP 占 49.6%、GaAs 占 26.1%、GaSb 與勞務占 22.4%；市場預期 2026 年 InP 比重將進一步提高至約 51%。

IET-KY後續展望可概括為：需求端強勁，但短期營運彈性主要取決於磷化銦（InP）基板能否順利取得。

1. AI高速光通訊仍是核心成長引擎

公司最重要的成長來源是AI資料中心帶動的高速光通訊。用於光接收端的InP PD磊晶片需求持續增加，100G與200G產品已進入量產；目前AI資料中心相關PD約占營收30%～40%，若後續EAM、driver等產品導入順利，占比有機會超過50%。800G普及與1.6T逐漸放量，會持續拉動高速傳輸元件的材料需求。

2. 基板供應是營收與毛利率的最大變數

訂單並非主要問題，真正限制出貨的是InP基板短缺。第二季便因主要供應商停產維修，使InP出貨與營收承壓，高毛利的InP產品占比下降，也讓毛利率從第一季47.8%降至34.0%。

公司目前以四種方式處理：

• 爭取既有供應商更多配額
• 協助客戶採用多個來源的基板
• 擴大客戶自備基板、由IET-KY代工生產的模式
• 以研磨再利用技術增加可用基板，並推進新供應商認證

若這些措施在年底至2027年逐步見效，InP產能利用率與出貨量都有提升空間；反之，基板持續緊缺，即使下游需求旺盛，營收成長仍可能呈現波動。

3. 下半年營運傾向優於上半年

第二季的供料干擾屬於短期事件，7月營收已回升。公司看好第三季在基板供應較第二季放寬下，表現將改善，並認為下半年營收可望明顯優於上半年；砷化鎵與銻化鎵產品也都出現恢復或加速出貨跡象。

不過，這是「需求強、供應決定成長速度」的展望，而非沒有風險的線性成長。每季InP基板到貨量、InP營收占比與毛利率，會是判斷復甦幅度最直接的三項指標。

4. 產能擴建為2027年準備

德州新廠二期擴建預計2027年第一季完成並進駐，未來可擴大InP、GaSb與GaN等產品布局；相關補助也已依建廠進度申請或推進。這項投資的意義在於，若基板供應問題緩解，公司能較快把需求轉為實際出貨，而不只是停留在接單成長。

5. 第二成長曲線：新產品與設備／代管業務

除了既有InP PD，後續值得注意三個方向：

• 200G VCSEL：仍在深度驗證，若通過客戶認證，有機會增加高速光通訊產品廣度。
• 量子點雷射（QD Laser）：持續測試，目標切入矽光子IC光源；技術潛力高，但量產時程仍須觀察客戶驗證。
• MBE設備租轉售、售後代管：公司正洽談新合約，若模式建立，可增加磊晶材料以外的營收來源，並提高設備資產運用效率。

投資上可如何解讀

IET-KY正處於「AI光通訊需求上行、材料供應限制出貨」的階段。樂觀情境是基板來源改善、InP出貨回升，加上新廠逐步到位，營收規模與毛利率有望同步擴張；保守情境則是基板短缺延續，造成高毛利InP占比受壓，使短期財報仍有季度波動。

因此，後續展望雖偏正向，但最重要的不是單看接單消息，而是確認：InP基板供應是否實質改善、InP占營收比重是否回升，以及毛利率能否重返較高水準。

IET-KY 未來兩年市場預估的 EPS，2026 年約落在 5.5～8.2 元，2027 年約 8.4～12.4 元；以多份預估的中間值觀察，約可抓 2026 年 6～7 元、2027 年 10～11 元。目前可取得資料主要只延伸到 2027 年，尚未形成具代表性的 2028 年一致預估。

各預估版本對 2027 年的看法存在明顯差異：較保守情境約 8.37 元，中性預估多落在 10.09～11.27 元，樂觀情境則達 12.43 元。這反映市場對需求本身並不悲觀，分歧主要集中在供給端能否順利解瓶頸。

影響 EPS 的三個核心變數：

• InP 基板供應量：高速 PD 客戶需求高於公司供貨能力；若日本、歐洲供應源、客供基板及再利用方案順利提高可用基板，營收與稼動率均有上修空間。反之，供應再度中斷，獲利將明顯承壓。
• 產品組合與毛利率：2026 年第二季高毛利 InP 產品占比降至 48.7%，毛利率降至 34%；後續預估普遍假設 InP 出貨回升，全年毛利率約 45%，2027 年再接近 49%～51%。
• 高速光通訊產品量產進度：既有高速 PD 是近期主力，100G、200G VCSEL 若能由驗證進一步轉為量產，可提供 2027 年以後額外成長來源；但 QD Laser、EAM、Driver 目前仍偏開發階段，不宜過早納入基本情境的獲利估計。

以頁面所示 585 元股價試算，若採 2027 年 EPS 10～11 元的中性區間，對應前瞻本益比約 53～59 倍；若採樂觀的 12.43 元，則約 47 倍。因此，現階段股價已不只反映 2026 年獲利修復，也定價了 2027 年基板供給改善與高速光通訊成長能兌現的部分期待。

產業前景：AI 高速光通訊是主軸，但上游材料決定短期成長速度

IET-KY 位於化合物半導體磊晶產業，核心受惠方向是 AI 資料中心帶動的高速光通訊。隨 AI 由大型模型訓練進一步走向推論與代理式 AI，資料中心內部與資料中心之間的資料交換量持續增加，推升高速光模組、光接收器與雷射元件需求；上游的 InP 磊晶片因而成為重要受惠環節。整體而言，2026～2027 年產業仍偏正向，需求端強勁，但供給端的 InP 基板短缺會使成長呈現波動，而非線性上升。

1. 最大成長引擎：AI 資料中心高速互連

AI 伺服器叢集需要大量高速、低功耗的光通訊連結，傳輸規格正由 400G 持續升級至 800G，並逐步朝 1.6T 發展。這會增加高速光接收器 PD、EAM 與雷射光源等元件需求，而 InP 材料在高速光通訊具備關鍵地位。

對 IET-KY 而言，InP PD 磊晶片是直接受惠產品；公司透露 AI 資料中心帶動的 InP PD 量產訂單持續增加，需求並非問題，真正限制出貨的是上游基板可取得量。

2. 產業供需：需求強，但 InP 基板仍是瓶頸

InP 基板不是一般大量供應的標準化材料，供應商數量有限、擴產和客戶認證週期長，加上出口管制與地緣政治因素，使全球供應維持緊張。

這個供給限制有兩面性：

• 正面：具備量產能力、客戶驗證與材料取得能力的上游磊晶廠較稀缺，產品價格、客戶黏著度與中長期供應地位有機會提升。
• 負面：即使終端訂單很強，若沒有足夠基板，訂單也無法完全轉為營收；因此季度營收與毛利率容易受供應商交貨、客戶供料比例影響。

公司目前採取增加供應來源、引導客戶自備基板、推動不同基板來源認證等方式緩解問題。基板供應若在 2026 年下半年至 2027 年逐步改善，過去被壓抑的需求才有機會更完整地反映在出貨與獲利上。

3. 矽光子與 CPO：長線選擇權大，但短期仍偏研發／驗證

矽光子與共同封裝光學（CPO）的核心目的，是降低 AI 伺服器高速傳輸時的功耗與訊號損耗。當傳輸速度走向 1.6T 甚至更高，傳統可插拔光模組架構面臨功耗與距離限制，CPO 的導入必要性會提高。

IET-KY 的機會主要在兩端：

• 接收端：高速 InP PD 等磊晶產品。
• 發射端：GaAs 量子點雷射、VCSEL 等產品，未來可能成為矽光子光源方案的一部分。

不過，量子點雷射與 200G VCSEL 仍處於客戶測試、驗證與導入階段，這代表 CPO 是中長期潛在成長來源，不能完全視為 2026 年立即且穩定的營收貢獻。

4. 第二成長曲線：國防紅外線、GaAs 與 GaN

IET-KY 不只受惠 AI 光通訊，產品組合還可提供部分景氣緩衝：

• GaSb 銻化鎵：主要應用於紅外線感測與國防，產品規格高、客戶驗證期長，需求相對穩定，可支撐公司毛利率。
• GaAs 砷化鎵：應用於射頻、車用雷達與部分光通訊元件；近期原物料成本上升促使價格調整，若調價順利，獲利能力有改善空間。
• GaN 氮化鎵：可切入 AI 資料中心電源轉換與高頻元件等應用，目前對整體營收的短期貢獻有限，但提供更長期的產品延伸方向。

5. 產能擴張：2027 年是較重要的放大量能觀察點

公司德州二期新廠預計於 2026 年底完成、2027 年初開始進駐。若基板供應同步改善，新增機台與廠房空間可讓 InP 等高附加價值產品放量，2027 年的營收成長彈性將比 2026 年更高。

不過要注意，產能不是唯一約束。即使廠房與機台到位，若 InP 基板的供應與認證進度未同步改善，實際稼動率仍可能低於市場期待。

產業判斷

整體來看，IET-KY 所處的產業不是一般消費電子循環，而是由 AI 基礎建設、高速互連與高階材料升級帶動的結構性成長市場。短期最需留意的不是終端需求，而是 InP 基板是否如預期改善、下半年毛利率能否回升，以及新產品從驗證走向量產的速度。若這三項條件同步改善，2027 年的產業與公司成長想像空間會明顯放大；反之，基板供應持續受限時，需求再強也可能只反映為接單能見度，而非立即的營收與 EPS。

IET-KY 的終端客戶名稱大多未公開，主因其供應的是 InP／GaAs 磊晶片，位於光通訊供應鏈上游，通常出貨給光偵測器、雷射或其他光電元件廠，再間接進入 AI 資料中心與高速光模組供應鏈。因此，現有公開資訊不足以確認完整客戶名單與各客戶營收占比。

目前可較明確掌握的客戶輪廓如下：

• 光通訊元件大廠：為最重要的客群。IET-KY 的 InP PIN／PD、APD 與 HBT 磊晶，主要用於 100G、200G 甚至後續 1.6T 光模組的接收端；2026 年第一季光纖網路應用占營收約 45%，而 InP 營收占比約 54.5%，顯示光通訊客戶已是主要成長來源。

• 北美客戶為主：公開資料顯示，公司美國業務比重超過八成，且在部分產品採「獨家供應」模式；但資料並未揭露這些客戶的公司名稱。

• 光聖（6442）屬策略合作夥伴，而非已明確揭露的主要直接客戶：雙方在 2025 年底透過股份交換深化合作，意義在於把 IET-KY 的上游磊晶能力，延伸到光通訊元件、模組與 CPO 應用。不過，不能直接將光聖視為 IET-KY 已被證實的最大營收客戶。

• 國防、紅外線應用客戶：GaSb 磊晶產品供應高規格紅外線與國防用途，公開訊息僅描述「各國防大廠」訂單滿載，同樣未披露客戶名稱。

• GaAs／pHEMT 客戶：公司已取得 2026 年量產訂單，終端用途包括通訊與其他高頻元件；但主要客戶名稱並未公開。

投資上可把 IET-KY 理解為「供應光通訊元件廠的材料商」，而非直接向雲端服務商或 AI 晶片商出貨。其客戶需求是否能持續轉成營收，關鍵不只在 AI 光模組拉貨，也在於 InP 基板能否取得；公司目前採自備與客供基板並行模式，基板供給仍是限制出貨擴張的核心變數。

IET-KY 的競爭並非單一對手，而是依產品與終端市場分成三個戰場：InP 光通訊、GaAs 高頻／光電、GaSb 紅外線國防。最直接可比較的同業包括全新、聯亞與 IQE；但三者多以 MOCVD 大量生產為主，IET-KY 則以 MBE 分子束磊晶切入高規格、客製與軍工等利基市場，因此既有競爭也有明顯市場區隔。

競爭對手與定位

IET-KY 的優勢

1. MBE 技術適合高階、軍規與特殊材料結構

IET-KY 核心是 MBE 製程，可在較低溫環境下提供高摻雜濃度、精準厚度及界面控制，特別適合 InP 高速光偵測器、GaAs pHEMT、高規格 GaSb Type-II 超晶格紅外線材料，以及量子點雷射等複雜結構。這類產品並非只要擴產就能複製，客戶驗證期長、轉換供應商成本高。

相較之下，MOCVD 在主流標準化產品的單位成本與大量生產效率通常較好；但 MBE 在高純度、低缺陷、特殊異質結構與高可靠性需求上更有利。因此 IET-KY 的護城河主要不是「最大產能」，而是「高規格製程與客製能力」。

2. 產品組合跨 InP、GaAs、GaSb，降低單一需求循環風險

• InP：切入 AI 資料中心光互連的 PIN／PD、APD、HBT 等，2026 年第二季營收占比約 48.7%，仍是最大產品線。
• GaAs：供應 pHEMT，應用於衛星、高頻通訊、防撞雷達及航太國防；2026 年第二季占營收約 24%。
• GaSb：主攻夜視、紅外線偵測與國防用途，屬高單價、長週期且供應商相對稀少的利基市場。

全新、聯亞雖在 GaAs／InP 磊晶與 AI 光通訊的規模、擴產速度較強，但 IET-KY 擁有 GaSb 國防紅外線材料與高規格 MBE 的差異化，營運不完全跟著消費性 RF 或單一光通訊景氣波動。

3. 美國製造與國防應用是較難複製的門檻

IET-KY 實際產能位於美國德州，長期切入國防及特殊應用供應鏈。GaSb 訂單目前聚焦高單價 Type-II 超晶格紅外磊晶，生產週期長、製程難度高；這類軍工產品通常重視供應安全、可靠度與長期驗證紀錄，而非只比較單價。

對同業而言，即使有磊晶設備，也需要重新建立國防客戶認證、供應資格與量產可靠度，短時間不易搶走既有份額。

4. InP 缺料環境下，客戶自備基板模式有助取得訂單

全球 InP 基板供給仍偏緊。IET-KY 正透過多元基板來源、基板回收研磨，以及由大型客戶提供基板的方式維持出貨。對公司而言，客戶願意自備基板交由其加工，某種程度反映客戶對其 MBE 製程與產品品質的認可。

IET-KY 的劣勢與風險

1. 產能規模與成本效率弱於大型 MOCVD 同業

全新已大幅擴增 MOCVD 機台，並已量產 100G／200G PD、推進 1.6T 產品；聯亞則透過長約確保 InP 基板來源並加速擴產。這些同業在標準化光通訊產品上，更有條件以規模降低單位成本、快速承接大量訂單。

IET-KY 的 MBE 強於精密度與高規格，但設備產出速度、資本支出效率未必能與 MOCVD 大量製造直接相比。若未來 AI 光通訊需求主要集中在成熟、規格化且高度價格競爭的產品，IET-KY 的成本結構可能承壓。

2. InP 基板短缺，是眼前最實質的成長天花板

公司最具成長潛力的 InP 光通訊產品，短期不完全受需求決定，而是受基板配額約束。2026 年第二季營收及毛利率下滑，便與高毛利 InP 出貨占比降低有關；公司也明確指出，若基板供應充足，InP 營收有機會顯著增加。

這也是競爭劣勢之一：聯亞已取得較長期的基板供應安排，而大型客戶、供應鏈資源更強的同業，在缺料期間通常更容易拿到穩定配額。

3. 新產品仍處驗證階段，未必立刻貢獻營收

量子點雷射、200G VCSEL、CPO 相關光源都是高潛力題材，但目前主要仍在共同開發、測試或客戶驗證。尤其量子點雷射的量產時間，取決於下游元件廠製造與客戶端可靠度驗證，不是 IET-KY 單方面能決定。

因此，這些技術能提高長期想像空間，但短期評價仍應回到 InP 基板到貨量、PD 出貨、高毛利產品占比與擴產進度。

4. 國防業務雖防禦性高，但訂單認列可能波動

GaSb 國防產品毛利較佳、競爭少，但標案、驗收與客戶排程會使季度營收出現落差。2026 年第二季部分國防訂單遞延，就曾影響當季表現。

綜合判斷

IET-KY 的核心競爭力是 「MBE 高階製程＋美國製造＋國防 GaSb 利基＋AI 光通訊 InP」。它不是產能最大、成本最低的磊晶廠，但在軍規紅外線、高頻通訊、高純度與複雜異質結構材料上，具備較高的技術門檻與客戶黏著度。

相對弱點則是 InP 基板供應、產能規模及新產品量產速度。若 InP 基板配額改善、第三與第四季高毛利 InP 出貨回升，技術優勢會較容易轉化成營收與獲利；反之，若基板短缺延續，即使 AI 光通訊需求強，也可能形成「訂單在、材料不足、營收受限」的情況。