氮化鎵製程大突破 世界先進、台積電攜手切入高壓 GaN 電源元件市場
世界先進（5347）宣布，已與台積電（2330）完成高壓（650V）與低壓（80V）氮化鎵（GaN）製程技術授權協議簽署，正式跨足高效率電源元件應用領域。市場解讀，此舉象徵世界先進在功率半導體布局上邁出關鍵一步，也反映成熟製程業者加速轉向化合物半導體的產業趨勢。
打造完整 GaN 產品線 同步布局 GaN-on-Si 與新基底平台
世界先進指出，透過此次技術授權，公司將把既有的矽基底功率氮化鎵（GaN-on-Si）製程，延伸至高壓應用領域，並與原本的新基底功率氮化鎵（GaN-on-QST）平台形成互補，建立完整的 GaN 製程解決方案。
在全球晶圓代工體系中，能同時提供矽基底與新基底兩種 GaN 製程平台的廠商屈指可數。業界認為，世界先進此一布局，有助於其在功率元件代工市場建立明確差異化定位，並擴大服務客戶的電壓與應用範圍。
從 15V 到 1200V 鎖定資料中心、車用與工控應用
隨著 AI 資料中心、車用電子、工業控制與能源管理系統對高效率電能轉換需求快速成長，傳統矽基功率元件逐漸逼近效能天花板。相較之下，氮化鎵具備高功率密度、低能耗與元件小型化等優勢，正加速取代部分矽基解決方案。
世界先進表示，公司正積極建構涵蓋 15V 至 1200V 的氮化鎵製程藍圖，提供客戶由低壓到超高壓的完整選擇。法人認為，GaN 應用已從消費性快充，逐步走向高可靠度的資料中心與車用市場，長期成長潛力明確。
8 吋產線驗證 目標 2028 年上半年量產
在製程推進時程上，世界先進規劃將授權技術導入公司成熟的 8 吋晶圓生產平台進行驗證，以確保製程穩定度與量產良率。相關開發作業預計 2026 年初啟動，並以 2028 年上半年量產為目標。
產業界指出，8 吋產線具備折舊壓力較低、成本結構穩定的優勢，若成功導入 GaN 製程，有助成熟製程晶圓廠跳脫傳統電源管理 IC 的價格競爭，切入附加價值更高的功率半導體市場。
化合物半導體關鍵里程碑 功率半導體製程迎來新成長曲線
世界先進總經理尉濟時表示，此次技術授權不僅展現公司與台積電長期合作的成果，也代表世界先進持續深化氮化鎵產品解決方案，並強化化合物半導體的策略布局。
法人分析，隨著 AI 資料中心電力需求持續攀升、車用電子電壓等級不斷提高，高壓 GaN 元件的應用場景正快速擴大。若世界先進能在 8 吋平台順利建立穩定量產能力，未來有機會在高效率電能轉換市場取得一席之地，為成熟製程業務注入新的成長動能。
