長江儲存提前量產、長鑫科技大砍 DDR4 報價雙重利空夾擊，記憶體族群早盤強彈後全面崩跌
「大怒神」行情再現 族群早盤強彈後全面翻黑
台股今日（2 月 3 日）止跌反彈，在台積電（2330）跳空開高帶動下，指數一度大漲逾 600 點，不過盤面焦點卻落在記憶體族群的劇烈震盪。「DRAM 雙雄」南亞科（2408）及華邦電（2344）、NAND Flash 控制晶片大廠群聯（8299）、NAND Flash 大廠旺宏（2337）等指標股早盤在報價上修、國際原廠股價創高的激勵下而強漲，旺宏早盤甚至一度漲停，隨後卻通通急轉直下，多檔個股盤中還殺至跌停，走勢宛如「大怒神」。
模組廠威剛（3260）及十銓（4967）等個股同樣出現急殺走勢；南亞科與華邦電盤中振幅高達 16％，旺宏振幅也超過 13％，反映出市場情緒高度不安。
YMTC 提前擴產、長鑫科技壓低報價傳聞加劇疑慮 動搖「2026 年缺貨」共識
市場分析，此波記憶體股急跌，主因在於中國記憶體大廠長江存儲（YMTC）擴產進度超出預期，市場傳出，YMTC 位於武漢的第三期工廠（Phase III）潔淨室與設備導入速度加快，投產時程可能自原訂的 2027 年提前至 2026 年下半年，甚至更早。
除了 YMTC 擴產的消息外，市場也流傳中國長鑫科技 DDR4 32GB 模組報價約 138 美元，比市價低了約三成，引發投資人對 DRAM 價格戰捲土重來的擔憂。雖然相關報價仍有待驗證，但在農曆年節前交投清淡、資金觀望氣氛濃厚下，任何供給利空都被快速放大解讀，儘管昨晚美光（MU）、Sandisk 等記憶體大廠的股價飆升，但仍止不住台股記憶體族群的恐慌性賣壓。
華邦電總座喊多無用 盤中一度跌停、成交量高居台股之冠
華邦電總經理陳沛銘昨天在封裝大廠力成（6239）尾牙中公開喊話「今年記憶體景氣非常好」，並強調同時公司產能已被預訂完畢，但仍不敵「空軍」的攻勢，今早股價開高後不到一小時就翻黑，盤中一度還殺到跌停板 104.5 元，南亞科盤中也一度跌停至 265 元，終場華邦電重挫逾 9％至 105.5 元，南亞科下跌逾 5.6％、報 277.5 元。
以成交量而言，成交量前五大排行榜中有三檔是記憶體，分別為華邦電、旺宏、力積電（6770）；華邦電成交張數逼近 44.52 萬張，高居台股之冠，其次為旺宏的 39.9 萬餘張；力積電則以逾 30.55 萬張的張數排名第五高。
南亞科、華邦電分居台股成交金額冠、亞軍 雙雙超越台積電
成交金額部分，南亞科超過 503.8 億元，位居台股第一，第二名為華邦電的 495.7 億元左右，皆領先台積電的 477.84 億元；第四名為旺宏，成交逾 348.86 億元。
華邦電股價已連三跌，股價自高點以來已修正逾 20％；南亞科、力積電皆連二日走跌，近兩日就下跌 14％～15％。
傳統 DRAM 現貨價鬆動 「成本紅線」浮現
法人指出，短線籌碼偏向鬆動，部分投資人選擇在利多出盡時先行退場，是族群急殺的重要推手。
儘管 AI 持續帶動高頻寬記憶體（HBM）需求，但近期傳統 DRAM 現貨市場已出現鬆動跡象，市場開始質疑 PC 與消費性電子終端，是否能長期承受快速上漲的記憶體成本。
業界所謂的「成本紅線」逐漸浮現，也使法人對模組廠與封測廠的評價轉趨保守，進一步壓抑短線股價表現。
AI 排擠效應未解 供需結構仍偏緊
不過，從產業結構觀察，記憶體價格上行的核心因素並未消失。分析指出，當前供給吃緊的關鍵，在於 AI 伺服器與資料中心需求大增，三星、SK 海力士與美光等三大原廠優先將產能投入 HBM 與先進 DRAM，排擠舊世代產品供給，形成結構性失衡。
在全球 NAND 與 DRAM 擴產速度趨緩下，今年位元產出年成長率預估僅 10% 至 15%，遠低於過往水準，多家原廠產能已接近滿載，短期內難以快速補上供給缺口。
AI 需求撐盤 價格趨勢仍偏多看待
需求面方面，AI 仍是記憶體市場最強勁的動能來源。業界估計，2026 年全球記憶體產出中，最高將有約七成用於資料中心。以新世代 AI 伺服器推算，單一平台對 NAND 的需求即可能占全球年產出的三成，尚未計入企業私有 AI 與邊緣 AI 等應用。
研調機構 TrendForce 預估，今年首季一般型 DRAM 合約價季增幅度約 55％至 60％，NAND Flash 在控產與伺服器需求支撐下，合約價漲幅也多達 33％至 38％。整體而言，短線雖受消息面干擾而震盪，但在供給受限、AI 需求持續擴張的結構下，記憶體價格中長期趨勢仍未出現反轉訊號。
科技媒體《Tomshardware》也分析指出，長江存儲採取「邊建廠、邊投產」的方式搶進市場，而且從動工到量產僅約一年時間，在半導體產業中頗為罕見，其真正產能與良率仍有變數。也有分析認為，國際大廠更著重高階產品與製程升級，記憶體整體供給仍偏緊，短期內的單一廠商產能變動難扭轉全球的供需結構。
