碳化矽磊晶概念股

上游涵蓋 SiC 基板、外延片、厚外延與高純度材料,是碳化矽磊晶題材最直接的受惠層。嘉晶是台灣少數以SiC/GaN 磊晶片為核心定位的廠商,受惠純度最高;環球晶卡位 8 吋與 12 吋 SiC 基板、非中系供應鏈與轉單機會;Coherent 在 200mm SiC 與厚外延技術上具國際指標性。此類需追蹤 8 吋驗證、缺陷密度、車規客戶導入、基板價格與中國低價產能壓力。
  • 台股 3016
    嘉晶
    受惠最高
    1. 1. 嘉晶主力就是 SiC/GaN 磊晶,SiC 磊晶已導入日本 IDM 客戶量產,8 吋產品通過驗證後開始穩定出貨,直接吃到車用與高壓功率元件需求。
    2. 2. 公司 2026 年 Q1 EPS 0.35 元、年增逾 34 倍,Q2 營收可望季增逾 20%;化合物半導體占比雖約 10%,但 SiC 與 GaN 成長率明顯快於本業。
    3. 3. 8 吋新產能 2026 年陸續開出,並把 4、5、6 吋小尺寸產線縮減轉往高毛利 8 吋中高壓產品,ASP 與毛利率都有上修空間。
    4. 4. AI 伺服器電力架構往 800V HVDC 升級,嘉晶的 GaN 與 SiC 磊晶已切入非中系供應鏈,車用、機器人與工控電源訂單能見度同步拉長。
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  • 台股 6488
    環球晶
    受惠高
    1. 1. 環球晶已切入 SiC 基板與晶圓,12 吋 SiC 進入客戶驗證與小量供貨,直接受惠 8 吋升級帶來的單位成本下降與 ASP 重估。
    2. 2. SiC 基板與磊晶合計約占元件成本 7 成,環球晶掌握最上游瓶頸;美、歐、日多地產能與非中系供應鏈優勢,利於轉單與長約重談。
    3. 3. AI 資料中心 800V HVDC 與先進封裝升溫,12 吋 SiC 被點名可用於散熱載板 / 載體晶圓;2026 年美國、義大利新廠放量有助擴大接單。
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  • 美股 COHR
    Coherent Corp.
    受惠高
    1. 1. Coherent 已量產 200 mm SiC 基板與磊晶,2026 年 4 月再推厚外延,能支援 10 kV 以上元件,直接卡位 AI 資料中心高壓供電升級。
    2. 2. SiC 業務獲 DENSO、Mitsubishi Electric 合計 10 億美元入股,並簽下 150 mm / 200 mm 長約,車用與工業客戶訂單能見度高。
    3. 3. SiC 的基板與磊晶合計約占元件成本 7 成,Coherent 從材料端切入高價值外延層,8 吋與 12 吋升級可同步放大 ASP 與毛利。
    4. 4. AI 與工業電力帶動 800V HVDC、充電樁與電網需求升溫,Coherent 同時具光通訊與材料技術,能在資料中心電力、散熱與光學三線並進。
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  • 台股 8121
    越峰
    受惠中
    1. 1. Q1 碳化矽新事業營收占比已約 15%,主攻高毛利 N-type 長晶粉與半絕緣粉,直接吃到 SiC 上游材料占成本近 7 成的價值鏈。
    2. 2. 馬來西亞廠已佔總產能近兩成並開始小量交貨,搭配非中系供應鏈與外國認證需求,較能承接車用、伺服器與海外客戶轉單。
    3. 3. AI 伺服器出貨年增逾 28%,帶動 800V HVDC 與高效率電源材料需求;公司也切入半導體耗材與半絕緣產品,2027~2028 年有機會放量。
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中游重點是把磊晶片加工成 SiC MOSFET、二極體或高壓功率元件平台,受惠於國際 IDM 委外、車用 800V 與 AI 資料中心高壓電源需求。漢磊是台灣化合物半導體代工核心,並與世界先進推進8 吋 SiC 產線,預計 2026 年下半年商業化量產,是觀察台廠能否從 6 吋走向 8 吋的指標。X-FAB 則是國際 SiC 專業代工代表。受惠強弱取決於產能利用率、良率爬坡、客戶認證週期與是否能取得長期委外訂單。
  • 台股 3707
    漢磊
    受惠最高
    1. 1. 漢磊是台灣少數具 SiC/GaN 晶圓代工能力的廠商,直接對應 AI 伺服器 800V HVDC、車用 800V 平台與工控高壓化需求,需求升溫時稼動率最先反映。
    2. 2. 與世界先進合作的 8 吋 SiC 產線已進入設備安裝及製程驗證,預計 2026 年下半年量產;8 吋規模可提升單位成本競爭力,優於僅有 6 吋廠的同業。
    3. 3. 新一代 SiC MOSFET 平台可將晶片面積縮小約 20%、導通電阻降低約 20%,有助拉高良率與 ASP,提升切入國際 IDM 委外訂單的機會。
    4. 4. 2026 年 AI 相關產能已接近滿載,營收前 5 月年增 24.02%;若 SiC 量產開出,將放大營運槓桿,並受惠國際 IDM 轉單與非中系供應鏈重組。
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  • BE XFAB
    X-FAB
    受惠高
    1. 1. X-FAB 是少數同時提供 SiC 與 GaN 代工的純晶圓代工廠,德州 6 吋廠已量產 SiC,2026 Q1 wide-bandgap 營收年增 152%,SiC 晶圓出貨年增 195%。
    2. 2. 工業業務 2026 Q1 營收年增 32%,成長主因就是 SiC 與 data center power management 需求升溫,直接受惠 AI 資料中心 800V HVDC 與高壓電源升級。
    3. 3. X-FAB 具 automotive-qualified 製程環境,SiC、GaN 可在同一平台導入,能承接車規客戶的長約與轉單,對重視供應鏈安全與認證速度的歐美客戶吸引力高。
    4. 4. 2026 年下半年汽車業務預期回溫,WBG 訂單能見度改善;加上 SiC epi、晶圓薄化與 wafer-level test 一條龍能力,有利縮短交期並提升良率。
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  • 台股 5347
    世界
    受惠中
    1. 1. 與漢磊合作推進 8 吋 SiC 產線,預計 2026 年下半年量產,若認證與稼動率爬升,可切入車用與高壓功率元件代工委外需求。
    2. 2. AI 伺服器帶動 8 吋成熟製程與 PMIC 需求回升,世界先進 2026 年 AI 相關營收可望升至低雙位數,間接受惠高壓電源升級。
    3. 3. 新加坡 VSMC 12 吋廠 2027 年量產後,可擴充 AI 封裝與高階電力管理製程,若 SiC 載體、散熱或相關材料導入,將增加長線題材。
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  • 台股 2342
    茂矽
    受惠中
    1. 1. 6 吋廠稼動率已接近滿載,2026 年 5 月接單量還超過月產能,AI 資料中心帶動 8 吋成熟製程外溢需求,先把基本盤做厚。
    2. 2. SiC 製程平台已建置完成,650V / 1200V MOSFET 進入送樣,1700V / 3300V 持續開發,最快 2026 年初量產,切入高毛利第三代半導體。
    3. 3. 茂矽與車用客戶合作深,既有高壓 MOSFET、IGBT、FRED 與 TVS 組合可承接 800V 車用與工控升級,SiC 放量後有助毛利率回到 20% 以上。
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此類將 SiC 磊晶與晶圓製程轉為可銷售的SiC MOSFET、二極體與功率模組,直接進入 EV 逆變器、OBC、快充、太陽能與 AI 電源。英飛凌、意法、安森美與羅姆具備車規認證、垂直整合、模組設計與長約優勢,受惠程度最高;強茂、台半則屬台股功率元件延伸受惠,需觀察 SiC 產品占比與量產節奏。關鍵指標包括 800V 車款滲透率、200mm 量產進度、模組 ASP 與中國價格競爭。
  • 美股 IFNNY
    英飛凌
    受惠最高
    1. 1. 英飛凌是全球功率半導體龍頭,SiC 已直接用於 EV 逆變器、OBC、工業電源與 AI 資料中心 800V HVDC,2026 年 AI 相關營收目標約 15 億歐元。
    2. 2. 公司採 IDM 垂直整合,涵蓋基板、晶圓、製程與模組,並推進 200 mm SiC 與 Kulim 擴產,成本與良率優於同業,放大高壓產品 ASP 與毛利。
    3. 3. 2025 年已推出 200 mm SiC 產品,Villach 與 Kulim 持續轉進 200 mm 量產,供應能力與交期更穩,能直接承接 800V 車款與 AI 電源升級需求。
    4. 4. 已與 Wolfspeed、SK Siltron 等維持長約與多來源供料,鎖住高品質 SiC 基板,車規認證與非中供應鏈優勢,使大單與轉單更容易落袋。
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  • 美股 STM
    意法半導體
    受惠最高
    1. 1. 卡塔尼亞 SiC 園區整合基板、磊晶、前段晶圓與封裝測試,2026 年投產、2033 年滿載 1.5 萬片 / 週,直接擴大 SiC 供給與成本優勢。
    2. 2. 車用仍是核心成長引擎,2026 年汽車營收年增 15%,OBC、DC-DC 與動力總成設計案持續增加,800V 電動車平台滲透加速。
    3. 3. AI 資料中心成為新增量,已與 NVIDIA 推 800 VDC 架構、與 AWS 建立多年大額合作,2026 年資料中心營收目標逾 5 億美元。
    4. 4. ST 具 SiC IDM 垂直整合與全球車廠認證優勢,200 mm 量產與模組設計同步推進,能在高壓功率元件升級潮中放大市占與議價力。
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  • 美股 ON
    安森美
    受惠最高
    1. 1. EliteSiC 直接供應 EV 牽引逆變器、OBC 與快充,2026 年 Q1 汽車營收年增約 5%,中國新車型 SiC 滲透率約 55%,高壓化趨勢最直接受惠。
    2. 2. 具從晶棒、晶圓到模組的垂直整合,並完成 200 mm SiC 量產轉換,單片產出可提升約 80%,有助降本、穩定供貨並強化車廠長約黏著度。
    3. 3. AI 資料中心電源需求成長最快,2026 年 Q1 相關營收季增逾 30%,公司並預期全年可較 2025 年翻倍,800V HVDC 會放大 SiC 用量。
    4. 4. Q1 毛利率升至 38.5% 且連三季擴張,AI、車用與工業三線回升帶動稼動率改善;SiC 與高功率元件漲價、優先配貨效應可望延續。
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  • 日股 6963
    ROHM
    受惠高
    1. 1. 羅姆是全球前五大 SiC IDM 之一,從晶種、基板到元件與封裝垂直整合,直接受惠 800V EV 逆變器、OBC 與快充升級需求。
    2. 2. SiC 事業已切入車用 xEV 與 AI 伺服器 BBU,2026 會計年度營收增 7.3% 至 4,811 億日圓,SiC 器件與模組業務仍維持成長。
    3. 3. 羅姆持續推進 8 吋 SiC 基板與元件量產,並把 SiC 元件 2027 年銷售目標上看 2,200 億日圓,長約與高可靠度客戶可提升市佔與定價力。
    4. 4. ROHM 與 SiCrystal 先前已和 STMicro 擴大 150 mm SiC 基板長約,最低合約金額達 2.3 億美元,顯示車用與工業客戶採購黏著度高。
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  • 台股 2481
    強茂
    受惠中
    1. 1. 強茂主力就是二極體、MOSFET 與保護元件,Q1 車用營收占比已達 35%,SiC 先從二極體切入,直接卡位車用逆變器與高壓電源升級。
    2. 2. 公司 SiC 營收占比雖仍約 1%,但已規劃 2026 年 Q3 推出第 3 代 SiC MOSFET,650V 到 1200V 規格若量產放大,可接軌 800V EV 與 AI 電源。
    3. 3. Q1 2026 AI 相關營收占比升至 11%,產品已打入 GPU、ASIC 主板與電源鏈;NVIDIA 800V HVDC 若擴大導入,強茂高耐壓元件出貨有望同步放大。
    4. 4. 強茂擁有 4 / 6 / 8 吋自有晶圓與封測、菲律賓量產與越南新廠 2026 年投產,去中化供應鏈優勢可承接車用與 AI 客戶轉單。
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  • 台股 5425
    台半
    受惠中
    1. 1. 台半主力雖是整流二極體與 MOSFET,但已切入 650V~1200V SiC 與 Super Junction 產品線,直接對應 AI 伺服器 HVDC 與車用高壓電源升級。
    2. 2. 2026 年 5 月營收連二月創歷史新高,Q1 毛利率升至 31.3%,高耐壓功率元件出貨改善帶動產品組合升級,SiC 新品最快今年量產。
    3. 3. 車用營收占比約 5 成,涵蓋 MOSFET、TVS、ESD 與 Load Dump,新能源車 SiC 逆變器滲透率已升至 18%,可吃到 800V 車款放量。
    4. 4. 已打入電源大廠與輝達 Rubin 供應鏈,受惠 AI 機櫃功耗上升與 54V 轉 HVDC,市場對高壓保護與電力轉換元件需求明顯升溫。
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下游受惠來自 SiC 元件導入高效率電源、電力機櫃與高壓連接傳輸,使系統端降低損耗、縮小體積並提升 ASP。台達電與光寶科在 AI 伺服器 PSU、Power Shelf 與資料中心電力架構具規格參與度,若 800V HVDC 擴散,將受惠於高壓電源升級;Navitas 以 GaN 加 SiC 切入 AI 電源與固態變壓器,貿聯則受惠高壓連接與 PDU。此類對磊晶需求屬傳導效益,需看 SiC 在 BOM 的實際滲透率。
  • 台股 2308
    台達電
    受惠高
    1. 1. 台達電在 AI 伺服器 PSU、Power Shelf 與資料中心電力機櫃具規格參與度,800V HVDC 導入後,SiC MOSFET 會直接反映在電源方案 BOM 與 ASP。
    2. 2. AI 機櫃功耗持續上升,供電效率從 87.6% 往接近 98% 目標推進,台達電本就是高效率電源龍頭,SiC 導入有助放大毛利結構。
    3. 3. NVIDIA 推動 800V HVDC 與 SST 架構後,54V 低壓供電將轉向高壓直流分配,台達電在高功率 PSU、整流與配電模組的設計能力可優先吃到轉單。
    4. 4. AI 伺服器使用 SiC 元件數量估計是一般伺服器的 3 倍以上,台達電若持續提高高功率 PSU 供應比重,將同步受惠 SiC/GaN 滲透率提升。
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  • 台股 2301
    光寶科
    受惠中
    1. 1. 光寶科在 AI 伺服器 PSU 與 Power Shelf 已是主力供應商,雲端營收中 PSU/Power Shelf 占比約 70%,800V HVDC 與高功率架構升級可直接拉升 SiC/GaN 用量與 ASP。
    2. 2. 33 kW Power Shelf 已對應 GB200/GB300 出貨,110 kW Power Shelf 預計 2026 年 Q2~Q3 量產,單櫃內涵價值可再提升 2.5~3 倍,讓高壓電源升級更快反映到營收。
    3. 3. 2026 年下半年起 800V HVDC 電源櫃進入測試與小量出貨,若 NVIDIA 供電架構擴散,AI 機櫃功耗與轉換效率要求提升,光寶科可吃到高效率電源模組升級紅利。
    4. 4. 公司同時布局 BBU 與機櫃級電力整合,並加碼美國、台灣、越南產能,非中系供應能力提升,有利承接雲端客戶去風險採購與長約訂單。
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  • 美股 NVTS
    納微半導體
    受惠中
    1. 1. Navitas 以 GaN + 高壓 SiC 切入 AI 資料中心 800V HVDC、800V-to-6V 與 250kW SST 方案,直接受惠高壓電源升級帶動的元件滲透率提升。
    2. 2. GeneSiC SiC 產品線已擴到 2.3kV、3.3kV 與第 5 代平台,對應資料中心配電、儲能與電網應用,單機價值量與 ASP 都有向上空間。
    3. 3. 2026 年 Q1 高功率市場已成營收主體,營收季增 18% 至 860 萬美元;AI data center 與 energy/grid 業務放量,顯示 SiC 導入開始反映在出貨。
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  • 台股 3665
    貿聯-KY
    受惠中
    1. 1. 貿聯-KY 主力是 AI 伺服器 AEC、Busbar 與 PDU,高壓配電從 54V 走向 800V HVDC 後,線束與電力分配內容量提高,直接推升 ASP。
    2. 2. AI 機櫃功耗往 1MW 級上升,SiC / GaN 讓電源模組更高密度,貿聯供應機櫃內高壓連接與匯流排,可同步吃到高效率電力架構升級。
    3. 3. 公司已切入多家雲端與 AI 平台電源供應鏈,對 800V HVDC、Power Shelf 與機櫃配電方案具規格參與度,隨客戶擴產拉貨可放大出貨。
    4. 4. 受惠屬下游傳導效應而非直接賣 SiC 磊晶,但高壓連接器、PDU 與機櫃電力整合的技術門檻高,較容易反映在單價與毛利改善。
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