安森美（onsemi）推業界首創設計平台　瞄準 AI 資料中心與電動車 SiC 功率元件商機

發佈時間：2026/06/25

Elite Pairing Studio 正式亮相　加速 SiC MOSFET 與閘極驅動器最佳化配對

功率半導體大廠安森美（NASDAQ：ON）宣布推出業界首創的線上設計平台「Elite Pairing Studio」，透過雲端模擬工具協助工程師快速完成碳化矽（SiC）MOSFET 與閘極驅動器（Gate Driver）的最佳配對，大幅簡化高功率電子系統的設計流程。

安森美表示，隨著 AI 資料中心、電動車與工業自動化系統對電源效率要求持續提高，功率電子設計的複雜度快速上升。Elite Pairing Studio 能讓工程師在開發初期即掌握元件層級的運作特性，一來降低設計風險，二來縮短產品的開發時程。

近年來，AI 資料中心、高效能運算（HPC）及電動車市場快速成長，帶動 SiC 功率元件需求大幅增加。

市場分析指出，在高功率應用中，SiC MOSFET 與閘極驅動器的搭配將直接影響系統效率、能量損耗、熱管理以及可靠度表現。過去工程師往往必須透過大量規格書比對、試算表分析與實體測試才能完成最佳化設計，不僅耗時，也增加產品開發成本。

安森美此次推出的 Elite Pairing Studio，正是針對上述產業痛點所打造，希望讓工程師能更快速完成元件選型與驗證。

根據安森美說明，Elite Pairing Studio 採用雲端架構，提供安全且專屬的設計環境，工程師可依據應用需求輸入參數，系統將自動分析不同 SiC MOSFET 與閘極驅動器的組合，並推薦最適配方案。

平台可評估的重要指標，包括開關切換時間（Switching Timing）閘極電壓與電流波形（Gate V/I Waveform）、電壓過衝（Voltage Overshoot）、開通與關閉的能量損耗（Turn-on／Turn-off Loss）、電磁干擾（EMI）風險、系統可靠度餘裕。

此外，Elite Pairing Studio 內建互動式波形分析功能，可讓工程師即時比較不同組合的優缺點，進一步提升設計決策效率。

安森美指出，Elite Pairing Studio 不只是單一配對工具，同時也是其完整設計生態系的重要入口。

工程師完成元件配對後，可直接將結果匯入安森美的 Elite Power Simulator 進行系統級模擬，進一步分析整體轉換效率、熱管理表現、功耗與損耗分布及系統穩定度，透過元件級到系統級的一站式設計流程，可有效縮短產品上市時間（Time-to-Market），並提升最終產品效能。

法人分析指出，AI 伺服器機櫃功率密度持續提升，加上電動車 800V 高壓平台快速普及，使 SiC 功率元件滲透率加速提高。

作為全球 SiC 功率半導體重要供應商之一的安森美，此次推出 Elite Pairing Studio，除了有助於提升客戶導入門檻與設計效率外，也可進一步強化其在 AI 資料中心、電動車、工業自動化及能源基礎設施市場的競爭優勢。

市場人士認為，在 AI 運算、電動車與能源轉型趨勢推動下，SiC 功率元件仍將是未來數年半導體產業的重要成長主軸，而設計工具與模擬平台的競爭，也將成為供應商爭奪客戶的重要戰場。