此類涵蓋 SiC 粉體、晶錠、晶棒、切割、研磨、拋光到導電型或半絕緣型基板,是整條供應鏈中技術門檻與成本占比最高的環節。環球晶已布局 8 吋與 12 吋 SiC 晶圓並具非中系供應鏈想像,盛新聚焦晶錠與晶圓,題材純度高;Wolfspeed、Coherent、天岳先進則代表全球材料競爭主軸。受惠關鍵在8 吋良率、車規驗證、12 吋樣品導入、基板 ASP,但 6 吋低階產能仍有中國價格戰與供過於求風險。
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台股 6488環球晶受惠最高
- 1. 環球晶已切入 SiC 基板與晶圓,12 吋 SiC 已開始出貨並進入客戶驗證/小量供貨,直接受惠 8 吋往 12 吋升級帶來的單位成本下降與 ASP 重估。
- 2. 全球少數同時具備美、歐、日 12 吋產線的晶圓材料廠,能吃到供應鏈去中化與在地化採購趨勢,SiC 急單與長約重談都可能優先流向非中系供應商。
- 3. SiC 基板與磊晶合計約占元件成本 7 成,上游最卡關的是良率與切拋磨;環球晶具備長晶到切拋磨的一條龍能力,量產放大後營收槓桿與毛利彈性最大。
- 4. AI/HPC 帶動 800V HVDC 與先進封裝討論升溫,12 吋 SiC 被點名可用於散熱載板或載體晶圓;環球晶先卡位送樣與原型階段,若規格定案可望率先受惠。
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陸股 688234天岳先進受惠最高
- 1. 全球導電型 SiC 衬底市占約 27.6%,8 吋市占達 51.3% 居全球第一,已完成 6 吋、8 吋、12 吋全尺寸布局,直接吃到大尺寸升級與 ASP 提升。
- 2. 濟南與上海臨港產能合計年產超 40 萬片,產品已進入博世、安森美、輝達相關供應鏈驗證,車規、AI 資料中心與光儲等高端應用都能放量。
- 3. 2025 年上半年營收 7.94 億元年減 12.98%,但研發投入年增 34%,代表在價格競爭下仍持續押注 12 吋與高純半絕緣 / 導電型新品,長線題材純度高。
- 4. SiC 衬底與外延合計約占元件成本 7 成,供應鏈最上游握有定價權;AI 800V HVDC、先進封裝散熱與 EV 800V 平台升級,都會先拉動基板需求。
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台股 6930盛新材料受惠高
- 1. 主力鎖定 SiC 晶錠與晶圓,上游卡位最缺貨、技術門檻最高的基板環節,6 吋半絕緣產品已通過日系大廠驗證。
- 2. 已進入 8 吋、12 吋樣品與客戶驗證階段,且主攻美國、日本市場;若 8 吋良率爬升,ASP 與量產放大空間大。
- 3. AI 伺服器 800V HVDC、CoWoS 散熱與先進封裝帶動 SiC 材料需求升溫,12 吋基板題材有機會打開資料中心新應用。
- 4. SiC 上游基板與磊晶合計約占元件成本 7 成,供給端又受中國價格戰擾動;盛新若搶下非中系供應鏈,轉單彈性高。
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美股 WOLFWolfspeed Inc受惠高
- 1. 全球少數垂直整合 SiC 大廠,從晶棒、基板到功率元件一條龍,2026 年持續把重心轉向 200mm 與 300mm 平台,掌握材料定價與良率升級紅利。
- 2. AI 資料中心電源需求明顯放大,Wolfspeed Q2/2026 AI data center revenue 連三季成長、季增 50%,並推出 TOLT 與 3.3kV / 5G MOSFET 直攻高功率機櫃。
- 3. 公司已完成 150mm 產線關閉,全面轉向 200mm 製造,Mohawk Valley 與 Siler City 布局有助降低單位成本;200mm 較 150mm 可多出約 1.78 倍可用面積。
- 4. 車用仍是基本盤,Wolfspeed 已與 Toyota 推出 OBC 供貨,並持續取得多家車廠樣品導入;800V EV 與高效率快充普及,將帶動高階 SiC MOSFET 放量。
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美股 COHRCoherent Corp.受惠高
- 1. Coherent 已推出 200 mm 與 300 mm SiC 平台,並把重點放在 AI 資料中心高散熱需求,可直接受惠 800 V DC 與高功率 PSU 升級。
- 2. SiC 業務已拿下 DENSO、Mitsubishi Electric 等長約與投資,鎖定 150 mm / 200 mm 基板與外延供貨,營運能見度高。
- 3. 公司切入厚外延與 10 kV 以上高壓應用,從單純基板供應升級到高價值外延層,能吃到 SiC 供應鏈中最有議價力的環節。
- 4. AI 與工業電力推升 SiC 需求,Coherent 同時具光通訊與材料技術,可在資料中心電力、散熱與光學三線並進,放大成長彈性。
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台股 6182合晶受惠中
- 1. 合晶成立合晶寬能切入 SiC / GaN 材料鏈,已把第三代半導體納入新成長曲線;在 AI 伺服器電源與混合動力車 OBC 等應用,具備後續放量想像。
- 2. 公司近年推進 12 吋晶圓與前後段整合能力,連同重摻低阻 / 極低阻晶圓專案,有助切入 SiC 及高階功率材料升級需求,受惠尺寸放大與良率提升。
- 3. 2026 年兩岸 12 吋新產能陸續量產,營運轉型成果可望開始顯現;若 SiC 基板需求因 800V HVDC、EV 與先進封裝升溫,合晶可搭上材料端題材。