應用材料攜手英特爾攻次世代 AI 晶片 進駐 EPIC 中心加速先進製程與 3D 封裝
Celine
英特爾成 EPIC 中心創始合作夥伴 前後段製程全面合作
半導體設備大廠應用材料（AMAT）宣布，英特爾（INTC）正式加入其位於美國矽谷的 EPIC 中心（Equipment and Process Innovation and Commercialization）成為創始合作夥伴，雙方將攜手開發次世代半導體製造技術，合作範圍從前段晶圓製程、後段互連到先進封裝，鎖定 AI 與高效能運算（HPC）對晶片效能、功耗及散熱能力不斷提升的需求。
應用材料表示，雙方將整合 EPIC 中心與英特爾位於美國奧勒岡州希爾斯伯勒的研發園區資源，縮短半導體新技術從實驗室研發、製程驗證到大量生產的時間，加速美國先進半導體技術商業化。
聚焦新材料、微細互連 推進 Foveros 3D 堆疊封裝
此次合作涵蓋次世代邏輯製程新材料、元件結構與微細互連技術，並進一步開發以英特爾 Foveros 為基礎的 3D 堆疊封裝技術。
隨著 AI 晶片運算量快速提升，單純依靠縮小製程節點已難以滿足效能需求，晶片內部互連密度、供電效率與散熱能力也成為關鍵。應用材料指出，雙方將針對前段製程（FEOL）與後段互連（BEOL）同步進行技術研發，提升高效能運算平台的互連密度與電力傳輸效率，並改善整體熱管理表現，以支援新興代理式 AI 工作負載。
應用材料也將在 EPIC 中心內提供英特爾專屬的安全合作空間，英特爾則把奧勒岡研發園區的基礎設施與 EPIC 中心串聯，進一步提升雙方研發團隊的協作效率。
EPIC 中心總投資 50 億美元 台積電、三星、SK 海力士等參與
應用材料表示，EPIC 中心是針對半導體設備與製程創新的共同研發平台，目標是大幅縮短從早期研究到量產的商業化週期，讓晶片製造商更早接觸新一代設備、材料及製程技術，並透過快速驗證，加速導入高量產製程。
目前 EPIC 中心已有超過 10 家企業與機構參與，合作夥伴包括三星電子、SK 海力士、美光、台積電（2330）及博通等，並陸續擴大記憶體、先進封裝及互連技術合作。整體計畫預計投入 50 億美元、約新台幣 1600 億元，並分階段進行建置，中心預計近期正式啟用。
應用材料執行長蓋瑞・迪克森表示，應用材料與英特爾長期合作，雙方將透過 EPIC 中心進一步深化夥伴關係，加速 AI 運算所需的電晶體、互連與先進封裝創新。
英特爾執行長陳立武則指出，AI 運算需求正推動效能、能源效率及封裝技術大幅升級，英特爾將與產業夥伴密切合作，透過擴大 EPIC 中心合作，加速先進技術從研發階段走向美國大規模量產。
在 AI 晶片持續朝更高運算密度、更低功耗及異質整合發展下，應用材料與英特爾此次擴大合作，也凸顯先進製程與 3D 封裝已成為 AI 半導體下一階段競爭的核心技術。
