SEMI：2030 年全球 DRAM 產能增 41%、高階產品占比衝 83%
Celine
全球半導體產業協會 SEMI 預估，隨著人工智慧（AI）需求持續擴大，全球記憶體產能將朝高階製程與高堆疊技術加速轉型。SEMI 指出，全球 DRAM 產能至 2030 年可望較 2025 年增加 41％，其中 15 奈米級以下先進製程將成為主要成長動能；NAND Flash 產能同期也將增加 21％，400 層以上高堆疊產品將逐步成為市場主流。
SEMI 於美國舊金山莫斯康中心舉行的「SEMI 市場研討會」中公布相關預測，指出 AI 正改變半導體產業的成長模式。未來產業競爭不再只是單純擴大產量，製程難度、先進設備及材料需求也將隨技術升級同步提高。
全球 DRAM 產能 5 年增 41％ 先進製程占比上看 83％
SEMI 預估，以晶圓月產能換算，全球 DRAM 產能將從 2025 年的每月 208 萬片，增加至 2030 年的 294 萬片，5 年增加 86 萬片，年均複合成長率約 7.1％。
進一步觀察製程結構，15 奈米級以下先進 DRAM 將是產能成長的主要來源，月產能預估由 2025 年的 145 萬片增加至 2030 年的 245 萬片，5 年增加 100 萬片，年均複合成長率達 11.1％。屆時，先進 DRAM 占全球 DRAM 總產能的比重將達約 83％。
相較之下，16 奈米級以上的成熟製程 DRAM 產能將逐步縮減，月產能預估從 63.4 萬片降至 49.2 萬片，減少 14.2 萬片。這反映記憶體業者正將資源轉向更先進的製程，以滿足 AI 伺服器及高效能運算對高階記憶體的需求。
HBM 排擠一般 DRAM 產能 先進與成熟產品可能同步缺貨
SEMI 市場情報資深總監克拉克・曾（Clark Tseng）指出，高頻寬記憶體（HBM）的生產，相較一般 DRAM 需要投入更多先進晶圓產能與後段封裝資源；另一方面，成熟製程 DRAM 產能也可能縮減，或轉作其他用途。
因此，即使全球 DRAM 總產能持續增加，先進與成熟製程產品仍可能同時面臨供應吃緊的情況。
此外，若主要記憶體廠商後續提出的擴產計畫進一步落地，實際 DRAM 產能增幅也可能高於 SEMI 目前的預估。市場後續仍須關注各大業者的資本支出、產線配置及新增產能進度。
NAND Flash 產能增 21％ 400 層以上產品成主流
NAND Flash 方面，SEMI 預估全球產能將從 2025 年的每月 167 萬片增加至 2030 年的 202 萬片，5 年增加 35 萬片，年均複合成長率約 4％。
除了產能擴張，NAND Flash 的產品世代也將快速演進。SEMI 指出，市場將從現階段以 239 層至 400 層產品為主，逐步轉向 400 層以上的高堆疊 NAND。2025 年幾乎尚未形成規模的 400 層以上產品，預估到 2030 年將占整體 NAND 產能約 82％，甚至可能出現 600 層產品。
高堆疊技術持續推進，意味著記憶體製造難度將進一步提高。隨著堆疊層數增加，蝕刻與沉積製程更加複雜，應力控制及良率管理也面臨更高挑戰。
製程難度提高 半導體設備與材料需求可望受惠
SEMI 認為，先進 DRAM 與高堆疊 NAND 占比提高，將帶動半導體製造設備及材料需求成長。由於高階產品製程更複雜，設備與材料的投入可能快於整體產能的增幅。
HBM 同樣面臨類似趨勢。隨著產品世代升級，堆疊方式與製造流程日益複雜，對先進封裝、製程控制及良率管理的要求也同步提高。
對半導體供應鏈而言，未來受惠範圍不僅限於記憶體製造商，也可能延伸至蝕刻、沉積、先進封裝及相關材料業者。不過，實際受惠程度仍取決於各廠商的技術布局、客戶認證與設備投資進度。
曾表示，半導體製造業的成長，已不再只是產量增加，而是朝向更高技術密集度發展。在個人電腦與智慧型手機等傳統市場成長動能轉弱之際，AI 正重新塑造半導體產業的發展方向。
整體而言，SEMI 的預測顯示，未來五年記憶體市場將同時面臨產能擴張與產品升級兩大趨勢。DRAM 成長重心將集中於先進製程，NAND 則加速朝高堆疊發展；隨著製程複雜度提高，設備、材料及先進封裝供應鏈的需求，也將成為觀察 AI 帶動半導體投資的重要指標。
