台股記憶體族群表現分歧；「DRAM 雙雄」攜手搶進成交金額前五名、南亞科股價續創新高
昨日（6/16）美股記憶體個股表現不佳，美光（Micron）重挫逾 6％，Sandisk 也下跌逾 5.5％，記憶體族群在今日震盪的台股走勢中，個股之間表現分歧，但「DRAM 雙雄」南亞科（2408）與華邦電（2344）持續吸引市場資金關注。
南亞科終場上漲 2.82%，收在 437 元，不僅股價再創歷史新高，市值也正式突破 1.5 兆元大關，雙雙締造新紀錄；華邦電則呈現開低走高格局，尾盤收漲 1.02%，來到 199 元，逼近歷史高點 201 元。
成交量部分，華邦電、力積電（6770）皆搶進台股個股（不含 ETF）前五大排行榜，成交量分別為 22.34 萬、18.43 萬張；華邦電、南亞科則分別以超過 432.03 億、423.1 億元位居台股成交金額第三、四高，位於台積電（2330）、國巨（2327）之後。
其他記憶體相關個股表現相對疲弱，旺宏（2337）、力積電、群聯（8299）同步收黑；模組廠方面，僅宇瞻（8271）與廣穎（4973）收紅，威剛（3260）、創見（2451）、宜鼎（5289）則出現回檔，十銓（4967）收在平盤價 275 元。
AI 需求爆發 全球記憶體產業進入新成長週期
市場分析指出，隨著生成式 AI、大型語言模型（LLM）及 AI 推理需求快速擴張，全球記憶體產業已正式邁入新一輪超級循環。
大型雲端服務供應商（CSP）持續擴建 AI 資料中心，使高頻寬記憶體（HBM）、伺服器 DRAM 及企業級 SSD 需求急速攀升。
為了確保未來供應穩定，科技巨擘近年積極透過長期採購協議（LTA）鎖定產能，形成「擴大量能＋提前鎖產」雙軌策略，進一步推升全球記憶體產業的景氣熱度。
SK 海力士豪砸擴產 DRAM 月產能瞄準百萬片
在 AI 需求驅動下，全球第二大記憶體廠 SK 海力士正加速擴產腳步。根據韓國媒體報導，SK 海力士計畫於 2030 年至 2031 年間，將 DRAM 晶圓月產能由目前約 55 萬片大幅提升至 100 萬片，接近翻倍成長。
其中，位於韓國的龍仁半導體園區將成為擴產核心基地。SK 海力士龍仁一期規劃建置六座潔淨室，首座潔淨室設備搬入時程已由原定 2027 年 5 月提前至同年 2 月；首階段投產後可新增每月約 6 萬片的產能，全部完工後整體月產能有望達到 36 萬片。
清州 M15X 與美國 HBM 封裝同步擴建
此外，清州 M15X 新廠預計今年下半年率先投產 4 萬片月產能，並於 2027 年逐步提升至 8 萬片。
在先進封裝方面，SK 海力士也計畫於美國印第安納州興建 HBM 封裝廠，預計 2028 年正式量產，以就近供應北美 AI 資料中心市場。
三星全力衝刺 HBM4 平澤園區建設加速
全球記憶體龍頭三星電子則以韓國平澤園區作為擴產重心。三星 P4 廠設備安裝與測試進度較原規劃提前二至三個月，未來將成為 1c 奈米 DRAM 及 HBM4 的重要生產基地。
此外，原定於 2028 年投產的 P5 廠，目前在市場需求強勁帶動下，建設進度持續提前，P5 一期（PH1）主攻 1c 奈米 DRAM，並同步生產 HBM 及高階伺服器 DRAM，P5 二期（PH2）建設時程則提前至今年下半年啟動。
不僅如此，三星還規劃於 P5 園區建置 NAND Flash 產線，預計 2027 年投入營運，未來將依市場需求彈性調整產能配置。
美光全球布局 強攻 HBM 與企業級 SSD
美國記憶體大廠美光（MU）則透過全球多點布局策略積極擴充產能，DRAM 擴產的產地遍及美、日、台，美國愛達荷州新廠預計 2027 年中投產，紐約新晶圓廠已正式動工，日本廣島廠持續擴建，台灣銅鑼 P5 廠則預計 2028 財年開始大量出貨。
另外，美光新加坡 HBM 先進封裝廠預計 2026 年投入營運，並於 2027 年開始貢獻顯著產能，印度封測基地目前也已開始出貨。
DRAM 成擴產主戰場 NAND 轉向技術競賽
觀察三大記憶體原廠最新布局，可以發現本輪資本支出重心已全面轉向 DRAM 與 HBM 產品。
法人指出，在 AI 伺服器需求爆發下，HBM、DDR5、企業級 DRAM 成為最具獲利能力的產品線，因此三星、SK 海力士與美光絕大部分投資資源皆投入相關領域。
相較之下，NAND Flash 發展策略則趨於保守，各大廠不再單純追求產能擴張，而是透過 QLC 技術導入、晶圓鍵合技術、新材料應用、控制器演算法優化、提升單位晶圓位元產出效率等方式來提高生產效率。
中國記憶體勢力崛起 全球版圖加速重組
除了韓、美記憶體大廠積極擴產，中國記憶體產業也正快速崛起。以長鑫存儲為例，長鑫持續推進 DRAM 製程升級，加速 DDR5 產品導入伺服器市場，除了合肥與北京的既有產能外，市場傳出公司正推動上海新生產基地建設。
根據 CFM 統計，今年第一季長鑫存儲全球 DRAM 市占率已提升至 7.7%，營收排名全球第四。
至於長江存儲，則是持續升級 Xtacking 架構，下半年武漢二廠 2B 產線將進一步提升供應量；同時，武漢三期新廠建設持續推進，未來將成為先進 NAND 擴產的重要基地。
2027 至 2030 年迎來產能釋放高峰
市場人士分析，2026 至 2028 年將是全球記憶體產業建廠與技術升級最密集的階段，而新增產能真正大規模釋放時間點則集中在 2027 年至 2030 年間。
未來記憶體景氣能否持續維持高檔，關鍵仍在於 AI 基礎設施投資速度，以及新增供給釋放節奏能否維持平衡。
