全球 DRAM、NAND 市場規模單季暴增 245％創新高 三星兩者市占皆居冠、長鑫存儲上升至 7.7%
AI 伺服器與 HBM 搶產能 記憶體市場持續由賣方主導
2026 年第一季，全球記憶體產業正式進入 AI 驅動的結構性景氣上行周期，在 AI 算力建設與 Agentic AI 應用快速擴張下，DRAM 與 NAND Flash 市場同步出現供需失衡，帶動價格與市場規模大幅飆升。
根據 CFM 閃存市場統計，2026 年第一季全球 DRAM 與 NAND Flash 市場規模達 1371.4 億美元，季增 81.6%、年增 245%，再度改寫歷史單季新高紀錄。
市場指出，目前產業仍明顯由「賣方市場」主導，AI 相關產品需求優先搶占產能，包括 HBM（高頻寬記憶體）、伺服器 DRAM、企業級 SSD 皆成為供應鏈核心資源，反觀消費性與手機記憶體需求則相對受到擠壓。
HBM 擠壓產能 DRAM 價格全面飆升
隨著 AI 資料中心需求暴增，大量 DRAM 產能轉向 HBM 供應，使傳統 DDR 與 LPDDR 供給進一步吃緊。
市場分析指出，目前通用型 DDR 產品毛利率已正式超越 HBM 產品，顯示整體 DRAM 市場供不應求情況相當嚴重。在價格大漲帶動下，主要 DRAM 廠商營收同步暴增。
三星、SK 海力士分居全球 DRAM 市占冠、亞軍
三星電子（Samsung Electronics）第一季 DRAM 營收達 382.14 億美元，季增 98.4%，市占率 40.5%，穩居全球第一，並持續拉開與競爭對手差距；SK 海力士（SK Hynix）第一季 DRAM 營收 279.25 億美元，季增 62.1%，市占率 29.6%，排名第二。
由於 HBM 產品比重較高，部分產能優先供應 AI 客戶，因此整體增幅低於同業。
美國記憶體巨擘美光（Micron）2026 財年第一季（2025 年 12 月至 2026 年 2 月） DRAM 營收達 187.68 億美元，季增 73.6%，市占率 19.9%，排名第三。
中國 DRAM 大廠長鑫存儲第一季 DRAM 營收達 73.09 億美元，季增 115.1%，市占率提升至 7.7%，排名第四；台灣「DRAM 雙雄」之一南亞科（2408）第一季 DRAM 營收 15.47 億美元，季增 59.2%，市占率 1.6%，「DRAM 雙雄」其一華邦電（2344）DRAM 營收 5.62 億美元，季增 88.2%，市占率 0.6%。
企業級 SSD 需求爆發 NAND 市場同步大噴出
除了 DRAM 之外，NAND Flash 市場同樣受惠 AI 資料中心需求強勁。市場指出，企業級 SSD 需求呈現倍數成長，即便消費性需求略有疲軟，但整體市場仍維持供不應求格局。
受到 ASP（平均銷售價格）大漲帶動，2026 年第一季全球 NAND Flash 市場規模季增 81.8%。
全球 NAND Flash 市場排名 鎧俠搶進前三
三星受惠於伺服器 NAND bit 出貨量季增超過 20%，帶動第一季 NAND Flash 營收達 127.2 億美元，季增 100.3%，市占率 29.7%，排名全球第一，SK 海力士第一季 NAND Flash 營收 75.18 億美元，季增 44.2%，市占率 17.6%，排名第二。
日本鎧俠第一季 NAND Flash 營收 63.8 億美元，季增 81%，市占率 14.9%，排名第三；閃迪（SanDisk）受惠於資料中心業務季增 233%，帶動整體 NAND Flash 營收達 59.5 億美元，季增 96.7%，市占率 13.9%，排名第四。
美光第一季 NAND Flash 營收 49.97 億美元，季增 82.2%，市占率 11.7%，排名第五。
AI 長約與供給受限 記憶體漲價潮恐延續
市場分析指出，目前 AI 資料中心客戶正積極簽訂長期供貨協議（LTA），確保 HBM 與高階記憶體供應。
另一方面，原廠也持續調整產品組合，將更多產能轉向 HBM、企業級 SSD、高階 AI DRAM。由於新增有效產能擴充周期長，加上先進封裝與高階記憶體製造門檻極高，短期內供需缺口仍難以快速填補。
業界預期，記憶體產業本輪由 AI 驅動的超級景氣循環，仍將延續至 2027 年甚至更長時間。
