三星停產 LPDDR4＋地震衝擊供應鏈＋中國廠崛起，台股記憶體族群分歧；旺宏強勢反彈、宇瞻跌停

發佈時間：2026/04/24
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全球記憶體產業正出現結構性轉變，隨著三星電子宣布逐步停產 LPDDR4、全面轉向高頻寬記憶體（HBM），加上日本強震干擾 NAND 供應鏈，市場供需快速重整，帶動台股記憶體族群出現劇烈分歧走勢。

今日（4/24）盤面上，NOR Flash 大廠旺宏（2337）股價劇烈震盪，一度跌破平盤後強勢反彈，盤中漲幅逼近 8%；反觀先前連日漲停的模組廠宇瞻（8271）在前一日創高後遭遇獲利了結賣壓，股價重挫至跌停價 200 元，顯示資金對不同記憶體次族群態度明顯分歧。

本地震＋原廠轉型　中低階記憶體供給急縮

日本東北地區日前發生規模 7.7 強震，影響與鎧俠共用產線的 SanDisk 生產運作，業者已啟動緊急應變機制，進一步加劇 NAND 供應不確定性。

另一方面，三星電子與 SK 海力士持續將產能轉向 HBM 與 AI 伺服器用記憶體，使傳統 DRAM 與低容量 Flash 供給同步收縮。

市場觀察指出，MLC NAND 與 NOR Flash 供應持續趨緊，價格有望於第二季出現顯著上漲，部分外資甚至預估相關產品漲幅最高可能翻倍。

旺宏受惠轉單效應　宇瞻高檔震盪修正

在供給收縮與價格上漲預期帶動下，旺宏因調整產能支援 MLC NAND 需求，成為市場關注焦點，股價維持強勢整理格局。外資報告也上調評價，認為後市仍具上行空間。

相較之下，宇瞻雖然繳出亮眼財報，單月與單季獲利年增幅度均突破 1000%，但在利多出盡與處置交易機制影響下，資金轉為獲利了結，導致股價出現急跌。

此外，南亞科（2408）則維持高檔震盪，市場持續觀察其後續報價與出貨動能。

中國記憶體聯盟成形　衝擊既有競爭格局

除了供需變化外，中國記憶體產業也加速崛起。兆易創新正積極擴展 DRAM 業務，並與長鑫存儲建立深度的合作關係，透過設計與製造分工模式，提高整體營運效率。

市場傳出，雙方內部採購規模已較過去成長數倍，並同步推進 DDR3、DDR4 與 LPDDR4 產品布局，企圖搶攻通用型記憶體市場。

在全球三大廠壟斷格局中，中國廠商切入被視為重要變數。隨著國際大廠將資源集中於 HBM 與 AI 應用，通用型 DRAM 供應出現空缺，也為中國業者提供切入契機。

HBM 戰局再升溫　SK 海力士砸 19 兆韓元建新廠

此外，隨著人工智慧（AI）需求持續爆發，全球記憶體大廠加速擴產布局。SK 海力士宣布於韓國清州正式動工興建新一代半導體工廠「P&T7」，總投資金額高達 19 兆韓元（約新台幣 4500 億元），鎖定高頻寬記憶體（HBM）等 AI 應用產品，進一步鞏固其產業領先地位。公司高層指出，未來目標是讓 P&T7 將成為 AI 記憶體製造的關鍵據點，讓該廠所生產的先進產品成為全球 AI 基礎建設的重要標準。

P&T7 為 SK 海力士在清州設立的第五座晶圓廠，與既有 M11、M12、M15 及 M15X 形成完整製造聚落。公司表示，此次選址除了考量產業群聚效益，也希望促進區域經濟發展與產業平衡。

不僅如此，SK 海力士 也擴大與供應商的合作計畫，涵蓋技術研發、管理顧問與資金支持，藉此強化整體供應鏈競爭力。

供需重組進行中　產業長多但波動加劇

分析師指出，當前記憶體產業正處於「高階吃緊、低階重組」的轉折期。一方面，AI 帶動 HBM 需求長線成長明確；另一方面，傳統記憶體市場則面臨供給重分配與新進者的競爭。

短期來看，價格上漲與供應不穩將推升族群波動；長期而言，產業重心向高階集中已成趨勢，未來競爭關鍵將落在技術門檻與產能調配能力。

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參考資料

編輯整理：Celine

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