AI 需求引爆先進製程與記憶體擴產 台積電 2 奈米拚年底月產 12 萬片
Celine
蘋果、輝達、超微、高通、聯發科傳追加訂單 2 奈米擴產進度超前
AI 與高效能運算（HPC）需求持續升溫，全球半導體大廠擴產腳步同步加快。市場傳出，蘋果、輝達、超微（AMD）、高通及聯發科（2454）等大客戶近期積極追加台積電（2330）的 2 奈米家族產能，增幅約達 10％至 20％，在客戶追單帶動下，台積電 2 奈米擴產進度也可望優於原先規畫。
市場原先預估，台積電今年底 2 奈米家族月產能約 9 萬至 10 萬片，2027 年再持續以雙位數幅度成長，月產能達 11 萬至 14 萬片。不過，近期業界傳出，由於客戶追加訂單動能強勁，台積電加快 2 奈米擴產腳步，今年底月產能可能進一步挑戰 12 萬片，等於提前達到原本預計 2027 年才會達成的產能水準。
對於相關市場傳聞，台積電表示「不評論客戶訊息與市場傳聞」。
五座 2 奈米廠同步放量 首年晶圓產出較 3 奈米增 45％
台積電資深副總暨副共同營運長侯永清先前指出，為了因應 AI 等應用的強勁需求，今年將首度由五座 2 奈米廠同步放量，包含新竹 2 座、高雄 3 座，藉此擴大先進製程供應能力。
侯永清也曾透露，台積電 2 奈米第一年晶圓產出量，將比 2023 年 3 奈米第一年產出增加 45％；2026 年至 2028 年 2 奈米產能年複合成長率更可達 70％，顯示台積電對 AI、高效能運算等先進製程需求的長期展望仍相當積極。
除了 2 奈米之外，台積電也持續擴增 3 奈米產能，2022 年至 2027 年 3 奈米產能年複合成長率預估約 25％。
全球先進製程同步擴產 台積電新增 3 座 3 奈米廠
面對 AI 晶片需求快速成長，台積電全球製造布局也持續擴大，目前正新增三座 3 奈米晶圓廠，分別位於台灣、美國亞利桑那州及日本，以因應未來 3 奈米製程需求。
此外，台積電也持續在台灣將部分 5 奈米設備轉換，用於支援 3 奈米產能。美國亞利桑那州第 2 座晶圓廠已完成興建，預計 2027 年下半年開始量產，未來將採用 3 奈米製程。
三星加速 P5 投資 DRAM、HBM 與 NAND 產線布局浮現
另一方面，AI 基礎建設帶動高效能記憶體需求激增，三星電子也加快平澤 P5 園區的建設與設備投資腳步。
據韓媒報導，三星近期正與主要設備供應商討論，將 P5 第 1 階段（Ph1）的設備搬入時間，從原定 2027 年第 3 季提前至第 2 季，目標可能落在明年 5 至 6 月左右。
P5 是三星下一代半導體生產基地，目標 2028 年投產。今年第 3 季已開始進行 Ph1 無塵室建設，原先預計 2027 年初完成，但目前時程已提前約半年，也帶動設備導入計畫同步提前。
業界人士透露，三星甚至希望部分設備能先行取得並存放於其他地點，最快明年第 1 季即可取得設備，顯示三星加速 P5 投資的意願相當強烈。
P5 Ph1 瞄準 DRAM、HBM Ph2 可能布局最先進 NAND
目前市場推測，P5 Ph1 較可能規畫為 DRAM 及高頻寬記憶體（HBM）生產線，至於 Ph2 則可能進一步布局第 10 代（V10）等最先進 NAND 製程。
雖然三星目前尚未正式下達採購訂單（PO），但據業界人士透露，三星已就 P5 Ph2 規畫 NAND 產線與設備供應商展開討論。由於目前半導體設備交期偏長，三星也要求合作夥伴提前鎖定相關零組件，以降低後續擴產延遲風險。
AI 基建推升記憶體需求 供應吃緊恐延續至 2028 年
三星加速 P5 投資的背後，主要反映全球記憶體市場供需持續吃緊。隨著大型科技公司積極建置 AI 資料中心，高效能 DRAM、HBM 與 NAND 需求快速增加，記憶體大廠受到既有產能限制，短期內難以完全滿足市場需求。
三星今年 7 月第 2 季業績說明會曾指出，依目前已接獲的需求來看，今年未能滿足的部分將遞延至明年，進一步形成額外供應壓力，預期明年供應缺口可能比今年更嚴重，供應吃緊情況甚至可能延續至 2028 年。
從台積電加快 2 奈米擴產，到三星提前布局 P5 設備，均反映 AI 浪潮正同步推動晶圓代工與記憶體產業擴大資本支出，先進製程、HBM 與高階 NAND 的產能競逐也持續升溫。
