EUV 成為記憶體半導體新成長引擎 三星、SK 海力士、台積電掀起下一波技術競賽
EUV 進入大眾化階段 艾司摩爾（ASML）年供貨量達 50 台
南韓半導體專家、漢陽大學副校長安珍鎬（音譯）近日指出，記憶體半導體正成為極紫外光（EUV）技術的下一個增長引擎。他在 11 日於首爾舉行的「2026 半導體三大技術趨勢大會」上表示，近五年來台積電（2330）與三星電子大幅擴增 EUV 設備導入，使 EUV 正式邁入量產普及化階段。
安珍鎬指出，EUV 產業真正的成長起點才剛開始。他提到，艾司摩爾（ASML）已建立一年穩定供應逾 50 台 EUV 光刻機的產能，「EUV 已不是選配技術，而是先進製程的必備基礎設施」。
記憶體製程進入 EUV 時代 HBM 生產效率需求推升投資
談到記憶體市場，他表示，DRAM 自 1a 奈米世代開始導入 EUV，並在進入 1c、1d 奈米節點後，EUV 曝光層數持續增加，三星電子與 SK 海力士皆在此領域扮演領先者。
安珍鎬強調，AI 帶動的 HBM（高頻寬記憶體）需求強勁，使 EUV 對於提升高階產品生產良率與效率變得不可或缺。他預期，隨著記憶體產品量大且逐步以 EUV 製程為主，將帶動新一波設備與產能投資潮。
台積電穩居生態系霸主 三星彩打 GAA 技術追趕
在晶圓代工方面，他指出，台積電積累龐大的生態系統優勢顯著，但三星電子仍具備後發潛力，包括引領 GAA（全環繞閘極）新型電晶體架構、具備長期記憶體製程經驗等。「三星有機會把 DRAM 與 NAND 的技術專長導入邏輯製程，形成差異化的優勢。」
他也提到，三星是少數從半導體設計到封裝全部垂直整合的企業，從記憶體到 SoC（系統單晶片）皆能獨立生產，「未來市場主導權將取決於 EUV 良率與電源效率的極致化」。
Low-NA 邁向 High-NA BEUV 技術藍圖已延伸至 2030 年後
目前量產主流為 Low-NA（數值孔徑 NA=0.33）EUV，他預期 High-NA（0.55）EUV 將從 2026 年開始擴大供應，2030 年後則會逐步邁向 Hyper-NA（0.75）與更先進的 BEUV（Beyond EUV，採用 6.7 奈米波長）。他認為，這條技術路線顯示 EUV 至少還有 10 到 15 年的擴張潛力。
AI 資料中心、裝置端 AI 需求推動記憶體「超級循環」
談到目前市場熱潮，他分析，新一輪記憶體「超級循環（Super Cycle）」與以往不同，不再依賴 PC、智慧機換機潮，而是由 AI 資料中心與裝置端 AI 的結構性需求推動，加上高效能晶片需求激增，使市場成長具備更長期動能。
他強調，這波成長並非單純出貨量擴大，而是整體產品性能需求躍升所帶動，「成長的天花板比過去更高」。
