SK 海力士：HBM 供不應求的情況恐延續至 2027 年
發佈時間：2025/12/08
半導體空前「超級循環」啟動 記憶體明年產能幾乎售罄
全球半導體市場迎來前所未見的超級循環。業界普遍預期，記憶體市場將自 2025 年起正式進入多年的景氣高峰，AI 推動下的需求暴增成為主要動能。SK 海力士在第三季法說會預估，高頻寬記憶體（HBM）供不應求的情況將持續至 2027 年，而且包括 DRAM、NAND 在內等主力產品的明年產量幾乎已全數「先賣光」。
市場甚至已傳出，三星電子與 SK 海力士合計明年營業利益上看 200 兆韓元的樂觀預測值。
AI 需求大爆發 新一輪循環顯著不同於 2017～2018 年
與 2017～2018 年的景氣循環不同，本次超級循環由 AI 應用全面擴散所驅動，需求來源從雲端、資料中心延伸至智慧終端、AI PC、邊緣設備，產業認為這波周期更具深度與持續性。
各大記憶體與設備廠正全力擴產、推高規產品線，同時加速導入次世代關鍵製程技術，搶占下一代 HBM 與先進封裝版圖。
三大新技術成焦點：混合接合、玻璃基板、EUV 擴散加速
HBM4E 等高階 HBM 預計將全面導入「混合接合（Hybrid Bonding）」技術，以無凸塊方式讓銅互連直接對接，大幅提升頻寬與良率。應用材料（AMAT）與 EVG 等國際大廠已商用化設備。
南韓與台灣也全力投入，韓華 Semitech、LG 電子、Genosem、Justem 與 BestBond 等廠商正加速研發相關設備與材料，銅 CMP（化學研磨）與金屬接合材料的供應鏈也同步推進。
玻璃基板舉足輕重 有望明年開始商用化
具備大面積、高強度、低熱膨脹等特性的「玻璃基板」被視為可取代傳統基板的下一代封裝方案。三星、SK、LG 等大型企業均已投入，市場預期最快 2026 年可見到首批商用案例，成為先進封裝戰場的新亮點。
EUV 滲透率提升 2 奈米、先進記憶體齊導入
為了突破微縮極限，EUV 設備需求持續走高，不僅系統半導體進入 2 奈米節點，1c DRAM 等先進記憶體也加速採用 EUV 技術，材料與零組件市場也將同步受惠。
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編輯整理：Celine
