美光 NVHBM 改採外部晶圓代工 客製 HBM 瞄準輝達、毛利率反而看升
Celine
Base Die 改由晶圓代工廠生產 客製化 HBM 有望創造更高附加價值
美光（MU）進一步揭露與輝達（NVDA）合作的客製化高頻寬記憶體（HBM）「NVHBM」進展。美光表示，NVHBM 以及新一代 HBM4E 產品，都將採用晶圓代工廠生產的 Base Die，與目前 HBM4 採用自製 Base Die 的方式不同。
美光首席技術與產品長 Scott DeBoer 在 2026 會計年度第 4 季財報會議表示，公司與輝達共同設計的客製化 NVHBM，以及符合 JEDEC 標準的 HBM4E 產品，都將以晶圓代工製程開發 Base Die。
Base Die 位於 HBM 堆疊結構最底層，負責連接上方多層 DRAM Core Die 與外部 CPU、GPU 等運算系統，並處理資料讀寫與錯誤修正，因此對記憶體的效能、功耗及穩定性具有重要影響。
HBM4E 採先進製程 外包 Base Die 仍可望改善 PPA 與獲利
美光目前 HBM4 的 Core Die 採用 10 奈米級第五代 1β 製程，搭配自製 Base Die；到了 HBM4E，則將改用第六代 1γ 製程生產 Core Die，而 Base Die 則交由晶圓代工廠生產。
市場推測，HBM4E 的 Base Die 可能採用台積電（2330）先進製程。相較美光過去自行生產 Base Die 所使用的成熟製程，外部晶圓代工的先進製程有助於改善晶片功耗、效能及面積（PPA），NVHBM 也將採用相同架構。
雖然 Base Die 改由外部代工生產，但美光認為 NVHBM 仍可帶來更高平均銷售價格（ASP）及更好的利潤表現。美光營運長 Manish Bhatia 表示，HBM 本身就是高階產品，而加入客製化功能後，NVHBM 可創造更高的附加價值；若商業化順利，預期能帶來良好的投資報酬。
NVHBM 是輝達與記憶體廠、晶圓代工廠共同設計的客製化 HBM，主要針對 AI 加速器進行最佳化，並採用輝達 NVLink Fusion 互連規格，在部分遵循 HBM4E 標準的同時，透過客製化 Base Die 提升整體效能。
客製化設計降低功耗 15％ 記憶體頻寬最高提升 30％
相較標準 HBM，NVHBM 的重要差異在於客製化 Base Die。其將原本位於主要運算晶片內的記憶體控制器整合至 Base Die，可望降低功耗並提升記憶體效率。
相關設計預計可讓功耗降低約 15％，記憶體頻寬最高提升 30%；此外，輸入輸出（I/O）所需的實體層（PHY）也採客製化整合，封裝面積最高可縮減 67％。
美光表示，即使採用外部晶圓代工廠的 Base Die，仍將透過自身 HBM 技術，在功耗效率、速度效能及運作裕度等方面維持競爭優勢，並與客戶合作進一步提升系統層級效能。
美光看好 Physical AI 人形機器人有望成下一波記憶體需求來源
除了 AI 資料中心，美光也在財報會議中看好「Physical AI」帶來的新需求，認為自駕車、人形機器人及其他自主系統，未來都可能成為記憶體與儲存市場的重要成長動能。
美光執行長 Sanjay Mehrotra 指出，自駕車已是 Physical AI 的重要應用，單一系統可能需要超過 200GB 記憶體及數 TB 儲存空間；隨著相關技術延伸至人形機器人及其他自主設備，Physical AI 有望在本世代末期成為記憶體與儲存需求的重要推動力，目前已有數家 Physical AI 客戶開始採樣美光下一代產品。
美光也預期，Physical AI 將使原本主要部署在資料中心的高容量、高效能記憶體，逐步延伸至大量資料中心以外的智慧設備，成為 AI 記憶體市場另一項值得關注的長期需求來源。
提到的股票
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參考資料
- 마이크론 "NVHBM, 자체 베이스다이 빠져도 수익성↑"
- Micron Technology (MU) Flags Humanoid Robots As A Future Memory Demand Driver
- Micron Says Humanoid Robots Could Become Its Next Big Memory Driver — Analyst Sees ‘Server-Level Memory’ Powering Millions of Machines Outside Data Centers (UPDATED)
- 美光科技 (MU) 2026 Q4 法說會逐字稿
