長鑫存儲擬擴建北京第二座 DRAM 晶圓廠 記憶體三雄迎長線競爭挑戰
Celine
CXMT 傳規劃新 12 吋晶圓廠 市場關注全球 DRAM 版圖變化
中國記憶體大廠長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT）傳出正評估於北京興建第二座 DRAM 晶圓廠，在完成首次公開發行（IPO）後，公司估值已逼近 5000 億美元，進一步展現中國積極擴充記憶體自主供應鏈的企圖心。
CXMT 擬建北京第二座 DRAM 廠 估值躍升至 5000 億美元
根據《Reuters》引述知情人士報導，CXMT 正評估於北京亦莊科技園區興建第二座 12 吋 DRAM 晶圓廠，目前已與北京當地開發機構及國有科技企業展開初步融資協商。
消息指出，CXMT 初期尋求至少 6000 萬元人民幣資金支持，但最終融資架構仍可能調整，目前新廠總投資金額與規劃產能尚未正式公布。
業界指出，一座先進 12 吋 DRAM 晶圓廠投資金額通常超過 100 億美元，屬於資本密集型投資。
三座晶圓廠已投產 總產能有望突破 60 萬片晶圓
目前 CXMT 已擁有三座 12 吋 DRAM 晶圓廠，包括安徽、合肥兩座生產基地及北京一座生產基地，每座工廠月產能約 10 萬片 12 吋晶圓。
此外，公司在上海、合肥及北京仍有多項新建計畫同步推進，若全部完工，未來總月產能可望突破 60 萬片晶圓，大幅提升中國 DRAM 自主供應能力。
全球 DRAM 市場仍由三大廠主導 CXMT 積極追趕
根據 Counterpoint Research 統計，今年第一季全球 DRAM 市場仍由三大記憶體廠掌控三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron），三家公司合計市占率接近 90%。
相較之下，CXMT 目前規模仍明顯較小，但隨著持續擴產，未來產能有機會倍增，成為全球 DRAM 市場不可忽視的新競爭者。
AI 帶動記憶體景氣循環 市場仍關注供給增加風險
法人指出，目前全球 AI 資料中心持續擴建，高頻寬記憶體（HBM）及高容量 DRAM 需求快速成長，推動記憶體產業進入新一波景氣循環。
不過，若 CXMT 未來新增產能順利投產，市場也開始關注是否可能影響長期供需平衡，進而增加價格競爭壓力。
因此，投資人現階段更傾向將 CXMT 擴產視為中長期市場份額及價格競爭風險，而非立即衝擊三星、SK 海力士及美光的營運。
CXMT 擴產計畫影響全球 DRAM 市場 短期挑戰仍多
市場分析認為，短期內 CXMT 仍須克服多項挑戰，包括新廠融資是否順利到位、建廠與量產時程、先進 DRAM 製程良率、高階產品的量產能力。
因此，雖然中國積極擴產將加速全球記憶體產業競爭，但距離真正挑戰三星、SK 海力士與美光三大龍頭的市場地位，仍需一段時間觀察。
整體而言，在 AI 基礎建設持續推升記憶體需求之際，CXMT 的擴產計畫將成為未來幾年全球 DRAM 市場最受關注的變數之一，也將牽動記憶體價格、供需平衡及全球供應鏈競爭格局。
