Intel 開創半導體新紀元，引領技術革新
2024/04/19
Intel 採用 High-NA EUV 技術和相關新型態製程技術，將直接提升半導體製程的精細度和效率。此舉將加速半導體裝置的微縮進程，對於競爭激烈的晶片市場，特別是在高性能計算和儲存解決方案領域，意味著 Intel 可能會獲得重要的競爭優勢。 High-NA EUV 技術是由 ASML 開發的下一代光刻技術，相較於現有的 EUV 技術，其數值孔徑（NA）從 0.33 提升至 0.55，允許更精細的圖案製造。 DSA（Directed Self-Assembly）技術和金屬氧化物抗蝕劑（MOR）是半導體製程中的新興技術，旨在解決極紫外光（EUV）製程中的挑戰，如隨機缺陷（stochastic errors）和圖案粗糙度（LER）。
