長鑫儲存 4F² DRAM 技術突破！第六代製程完成工程驗證 挑戰三星、SK 海力士
Celine
AI 推升記憶體需求 長鑫布局力拚成為全球首家商用 4F² DRAM 業者
中國記憶體大廠長鑫儲存（CXMT）在次世代 DRAM 技術取得新進展。據報導，長鑫第六代製程技術平台已完成工程樣本驗證，核心突破在於 4F²垂直通道 DRAM 架構。若後續開發與量產進展順利，長鑫有機會成為全球首家將 4F²技術產品推向市場的業者，進一步挑戰三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK Hynix）等韓國記憶體大廠。
隨著 AI 應用快速擴張，智慧型手機、個人電腦及資料中心對記憶體的需求持續攀升，如何在有限晶片面積中整合更多儲存容量，已成為 DRAM 產業的重要技術方向。4F²架構正是為提高記憶體密度而發展的技術，目標是縮小單一記憶體單元占用面積，讓相同尺寸的晶片能儲存更多資料。
4F²架構挑戰主流 6F²技術 三星、SK 海力士也積極研發
目前主流 DRAM 產品普遍採用 6F²記憶體單元結構，4F²架構則進一步縮小單元面積，有助提升晶片整合密度。不過，技術突破不僅涉及單元縮小，也必須克服製程、結構穩定性及量產良率等挑戰。
韓國記憶體大廠同樣積極布局相關技術。SK 海力士近期曾在財報電話會議中表示，正規劃開發朝 4F²架構過渡的相關技術，三星電子也持續探索提高 DRAM 整合密度的下一代方案。
若長鑫儲存能將目前的工程驗證成果順利推進至產品化及量產階段，將有機會改變全球 DRAM 技術競爭格局。不過，工程樣本驗證完成並不代表已具備大規模量產能力，後續仍須觀察製程成熟度、良率及客戶導入進度。
長鑫營運規模快速擴大 獲利改善有利支應技術投資
除了技術進展，長鑫儲存的營運表現也受到市場關注。報導指出，長鑫 2026 年前 9 個月營收達 2690.2 億元人民幣，年增 738.51％；淨利潤達 1,320.4 億元人民幣，較去年同期由虧轉盈。
強勁的營收與獲利表現，為長鑫持續投入先進製程研發及擴充產能提供資金基礎。隨著 AI 帶動 DRAM 需求成長，全球記憶體市場供應仍偏緊俏，長鑫若能持續提升技術能力與產能規模，將有機會進一步擴大市場影響力。
中國記憶體產能擴張 全球 DRAM 供應版圖可能出現變化
AI 運算需求持續推升記憶體採購量，全球主要供應商積極擴產及開發新技術，市場也更加關注中國記憶體業者的產能與技術進展。
若長鑫儲存未來順利推進 4F² DRAM 商用化，加上既有產能持續擴張，全球記憶體市場將有機會增加新的供應來源，客戶選擇也可能更加多元。長期而言，供應商增加有助提升市場供應彈性，但實際影響仍取決於新技術量產速度、產品品質及成本競爭力。
對長鑫而言，下一階段的關鍵不只是完成工程驗證，更在於能否將 4F²架構轉化為具備量產經濟效益的產品。這場與韓國記憶體大廠的次世代技術競賽，也將成為未來全球 DRAM 產業的重要觀察焦點。
