長鑫科技前三季營收估暴增逾 7 倍、淨利突破 1300 億元 DRAM 市占逼近 10％
Celine
AI 算力需求引爆記憶體景氣 合肥、北京晶圓廠維持高稼動率
中國 DRAM 大廠長鑫科技近日召開 2026 年第二次臨時股東會，公布前三季業績預告，並針對產能布局、市場供需及先進製程發展等議題進行說明。受惠人工智慧（AI）算力需求快速攀升，帶動 DRAM 產業景氣升溫，加上晶圓廠維持高產能利用率、產品組合優化及成本結構改善，長鑫科技預估 2026 年前三季營運大幅成長，營收與獲利均展現強勁表現。
根據公司預告，長鑫科技 2026 年前三季營收預計達 2,650 億至 2,700 億元人民幣，年增超過 7 倍；歸屬母公司股東淨利潤則預估為 1,310 億至 1,325 億元人民幣，較去年同期由虧轉盈。
長鑫科技管理層表示，目前合肥、北京兩地晶圓廠均維持高產能利用率，訂單需求穩健，並透過多元化產品布局與持續改善成本結構，提高面對市場變化的彈性。隨著 AI 運算需求持續擴大，公司對 DRAM 產業的長期發展保持信心。
DRAM 市場規模持續擴張 長鑫第二季營收季增 99％
AI 伺服器、高效能運算及資料中心建置需求增加，正推升全球記憶體市場規模。長鑫科技預估，2025 年至 2030 年，全球 DRAM 產業年均複合成長率可望達 38.39％，顯示 AI 應用將持續帶動記憶體需求成長。
根據 CFM 閃存市場數據，2026 年第二季長鑫存儲 DRAM 銷售收入達 145.45 億美元，季增 99％，全球市場占有率逼近 10％，排名第四。受惠行動裝置記憶體需求及價格表現，其中 LPDDR4X、LPDDR5X 等產品的價格漲幅領先其他應用市場，帶動長鑫第二季 DRAM 銷售收入季增幅度居市場前列。
隨著 AI 應用對記憶體容量、頻寬與能源效率的要求持續提高，DRAM 廠商不僅須擴大產能，也必須加快產品世代轉換，提升高階產品比重。長鑫科技透過產品組合調整及製造成本改善，積極爭取 AI 與行動裝置記憶體市場的成長機會。
自主研發搭配跳代策略 製程平台推進至第五代
在技術發展方面，長鑫科技管理層指出，公司將持續投入記憶體製程微縮技術，挑戰先進製造領域的技術瓶頸，並採取自主研發與「跳代研發」策略，加快製程平台及產品技術演進。
長鑫科技已完成第一代至第五代製程技術平台的迭代，產品涵蓋 LPDDR4X、DDR5、DDR5X，以及最新一代 LPDDR6。公司表示，目前已採用四重自對準圖形化技術，第五代技術平台的製程水準已接近業界目前最先進的量產平台。
隨著製程持續推進，長鑫科技也積極布局高效能、低功耗記憶體產品，希望藉由技術升級提升產品競爭力，縮小與國際主要 DRAM 廠商之間的技術差距。
LPDDR6 傳輸速率達 12,800Mbps 功耗較 LPDDR5X 降低 20％
新一代低功耗記憶體 LPDDR6 是長鑫科技技術布局的重要方向。公司指出，LPDDR6 傳輸速率可達每秒 12,800 百萬位元（12,800Mbps），相較 LPDDR5X，功耗降低約 20％；相關功耗降幅係依公司內部測試數據及 LPDDR5X 產品作為比較基準。
此外，長鑫科技也表示，公司在 4F²等先進記憶體單元架構方面取得關鍵進展。此類架構有助於提高單位面積的記憶體密度，對製程微縮及未來產品效能提升具有重要意義。
整體而言，AI 算力需求持續成長，正帶動 DRAM 市場擴張與產品規格升級。長鑫科技在營收、獲利、市占率及先進製程方面同步推進，後續能否持續提升高階產品比重、維持良率與成本優勢，並進一步縮小與國際領先廠商的技術差距，將是影響其長期競爭力的重要觀察指標。
