長鑫存儲 LPDDR6 傳下半年啟動全球首發量產 挑戰三星、SK 海力士與美光
Celine
LPDDR6 完成研發驗證 最快 2026 下半年正式量產導入
中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）LPDDR6 研發傳出重大進展！根據中國媒體引述業界人士消息，長鑫 LPDDR6 晶片的研發驗證（R&D Validation）已進入最後收尾階段，意味著距離正式量產僅剩最後一步。若後續導入驗證（Production Validation）順利完成，長鑫可望於 2026 年下半年正式展開全球首發量產，成為全球 LPDDR6 供應鏈的新成員，與三星電子（KRX：005930）、SK 海力士（KRX：000660）及美光（MU）等國際記憶體大廠正面競爭。
市場人士指出，LPDDR6 將是新一代 AI 手機、高效能運算（HPC）及邊緣 AI 裝置的重要記憶體規格，長鑫若順利量產，將進一步提升中國在高階 DRAM 市場的競爭力。
四大驗證流程接近完成 量產導入進入倒數
依照記憶體產業慣例，LPDDR 晶片正式上市前通常需歷經四個主要階段，包括顆粒單體驗證（Die Validation）、研發驗證（R&D Validation）、小規模導入驗證（Pilot Validation）、正式量產（Mass Production）。
其中，研發驗證主要涵蓋產品相容性、系統穩定性、效能與功耗、機械可靠性等多項測試，以確認晶片設計符合市場需求並降低量產風險。
業界人士透露，目前長鑫 LPDDR6 已完成絕大部分研發驗證工作，距離正式量產僅剩導入驗證程序。
3 月已送樣核心客戶 有望加入全球 LPDDR6 供應鏈
事實上，市場早在今年三月便傳出，長鑫已將 LPDDR6 工程樣品送交核心客戶測試。
若後續客戶驗證順利，公司規劃於 2026 年下半年正式啟動量產導入，並進一步切入全球 LPDDR6 供應鏈。
法人認為，LPDDR6 未來將廣泛應用於 AI 智慧型手機、AI PC、智慧終端及車用電子等市場，長鑫若成功切入，不僅有助提升市占率，也將加速中國高階 DRAM 自主化進程。
首款 LPDDR6 速度達 12.8Gbps 效能與功耗同步升級
根據目前曝光的產品規格，長鑫首款 LPDDR6 具備多項性能提升，包括最高傳輸速率達 12800Mbps、系統 SoC 協同運作速度可達 10667Mbps、單顆容量 16Gb、採用 1295 Ball POP（Package on Package）堆疊封裝。
相較前一代 LPDDR5X，新產品除了提升傳輸效能外，也針對低功耗架構進行優化，降低能源消耗，更符合 AI 裝置對續航力的需求。
此外，LPDDR6 也強化 RAS（Reliability、Availability、Serviceability，可靠性、可用性與可維護性）功能，大幅提升系統穩定性與資料可靠度，進一步滿足 AI、高速運算及行動裝置對高效能記憶體的需求。
高階 DRAM 競爭升溫 全球 LPDDR6 市場迎新挑戰者
目前全球高階 LPDDR 市場仍由三星電子、SK 海力士及美光等國際大廠主導。
隨著 AI 智慧型手機、AI PC 及邊緣運算快速普及，市場對高頻寬、低功耗記憶體需求持續攀升，LPDDR6 也被視為下一世代行動記憶體的重要發展方向。
若長鑫順利完成量產導入，將正式加入全球 LPDDR6 競爭行列，未來是否能在高階 DRAM 市場擴大市占率，以及對既有國際大廠形成多大競爭壓力，將成為記憶體產業的重要觀察焦點。
