中國長鑫存儲傳突破 4F² DRAM 技術 美光、SK 海力士、三星股價皆走跌
Celine
長鑫存儲加速追趕記憶體大廠 新一代伺服器 DRAM 拚 2026 年底推出
中國記憶體業者長鑫存儲（CXMT）宣布，新一代 DRAM 記憶體單元架構取得關鍵進展，可能進一步提高晶片儲存密度，加劇全球記憶體市場競爭。消息傳出後，美光（Micron，MU）、SK 海力士及三星電子同步承壓，市場關注中國業者在 DRAM 技術上的追趕進度。
根據外媒報導，長鑫存儲董事長兼總經理高啟全（Cao Kanyu）週末在上海一場產業活動中表示，公司計畫於 2026 年底前，推出採用新架構的新一代 DDR5 註冊式雙列直插式記憶體模組（RDIMM），主要瞄準企業伺服器市場。
不過，長鑫存儲尚未公布新產品的詳細技術規格及確切上市日期，實際商業影響仍取決於技術落地進度，以及產品能否符合伺服器客戶對可靠性、耐用度與相容性的嚴格要求。
4F²架構提高記憶體密度 挑戰現行 6F²設計
此次技術進展的關鍵，在於長鑫存儲正在開發的「4F²」記憶體單元結構。相較目前主流 DRAM 普遍採用的「6F²」架構，4F²設計目標是縮小單一記憶體單元所占面積，讓相同晶片面積可以容納更多記憶體單元，進而提升儲存密度與空間利用效率。
根據《南華早報》報導，長鑫存儲採用自主開發的環繞式垂直閘極電晶體（Vertical Surrounding Gate）技術，透過垂直閘極架構縮小記憶體單元面積，並降低電流漏損。
這項技術並非長鑫存儲獨有的發展方向。三星電子、SK 海力士等主要記憶體廠商也正投入 4F²架構研發，希望在持續縮小製程尺寸的同時，提高單位面積的記憶體容量與能源使用效率。
長鑫存儲若能將相關技術成功導入量產，將有機會縮小與國際記憶體大廠之間的技術差距。不過，從技術研發進展到商業化量產，仍須克服製程整合、良率及客戶驗證等挑戰。
美光、SK 海力士、三星股價同步下挫
長鑫存儲公布技術進展後，記憶體族群股價走弱。週一（10/12）美光跌了 3.88％，SK 海力士和三星電子連續兩日皆重挫，今日（10/13） 韓股大跌 5.4％，與 SK 海力士重挫逾 10％、三星跌了 7％多有極大關係。
市場對新技術的關注，反映投資人擔憂中國記憶體業者持續提升技術能力後，可能加劇 DRAM 市場的競爭。不過，單日股價變動也受到整體市場氣氛影響，尚不能直接視為市場已對長鑫存儲的新技術商業影響作出定論。
從產業發展來看，SK 海力士已於 2025 年公布自身的 4F²技術發展藍圖，三星則據報計畫於 2028 年量產採用該架構的次 10 奈米級 DRAM。隨著各家業者加速推進新一代記憶體單元設計，相關技術將成為未來 DRAM 競爭的重要焦點。
美光自 6 月高點回落約 16％ 華爾街仍看好 AI 長期需求
美光股價近期也面臨高檔修正，目前較今年 6 月創下的歷史高點回落約 16％。儘管如此，公司 9 月公布的季度財報表現強勁，人工智慧（AI）帶動的資料中心與高效能運算需求，仍是市場評估其長期成長前景的重要因素。
投資機構 D.A. Davidson 分析師吉爾・盧里亞（Gil Luria）看好 AI 發展帶來的長期成長機會，上週將美光目標價從 2,100 美元大幅調高至 3,000 美元，為華爾街目前極為樂觀的目標價之一。
整體而言，長鑫存儲 4F²架構的進展，為全球 DRAM 產業競爭增添新變數。短期市場焦點在於新產品能否如期推出；中長期則須觀察其量產良率、成本競爭力及伺服器客戶導入情況，才能進一步評估對美光、三星與 SK 海力士等既有大廠的實質影響。
