三星罷工恐踩剎車、中國 DDR5 加速崛起，台股記憶體族群震盪分歧；宜鼎、群聯、華邦電逆勢上揚
南韓三星電子史上最大規模罷工今日（5/18）遭法院出手限制，加上中國記憶體大廠長鑫存儲 DDR5 產品加速進入規模化量產與商業落地，引發市場對全球記憶體產業競爭版圖再度關注。
受消息影響，台股記憶體族群今日盤中震盪加劇，個股表現明顯分歧。其中，剛公布亮眼自結獲利的宜鼎（5289）逆勢飆漲近 6%，群聯（8299）上漲逾 3%；但南亞科（2408）、創見（2451）、宇瞻（8271）則同步走弱。
三星罷工受限 全球記憶體供應疑慮降溫
南韓法院今日批准三星電子提出的部分禁制令申請，要求工會罷工不得影響半導體產線，也不得造成原料變質或設備停擺，否則將面臨高額罰款。
市場原先擔憂，若三星大規模罷工導致 DRAM、HBM 供給受阻，恐進一步推升全球記憶體價格。如今法院提前介入，使市場對供應鏈中斷風險略為降溫，也讓台股記憶體概念股表現更分歧。
今日盤中台股一度重挫千點，南亞科（2408）最多也下挫逾 4%，華邦電（2344）盤中也一度跌逾 3%，終場華邦電翻紅，旺宏（2337）跌逾 1.5%，威剛（3260）同步走弱，但群聯（8299）與廣穎（4973）則逆勢上揚。
長鑫 DDR5 正式量產 中國記憶體邁向大規模應用
另一方面，中國 DRAM 大廠長鑫存儲（CXMT）近期在 DDR5 領域傳出重大突破。
據中國媒體報導，長鑫已推出速率達 8000MT/s 的 DDR5 產品，並與 SK 海力士及三星高階產品並列國際第一梯隊。
其產品特點包括單顆容量達 24Gb、支援高密度記憶體模組，適用 AI 伺服器與資料中心。目前長鑫 DDR5 已導入嘉合勁威、光威、金百達等中國模組廠供應鏈，正式邁向規模化量產階段。
此外，長鑫 LPDDR5X 產品速率更達 10667MT/s，功耗降低 30%，已打入小米、OPPO、vivo 等中國手機品牌供應鏈。
市場認為，中國國產記憶體正從「技術突破」正式邁向「大規模商業應用」。
HBM 排擠效應發酵 DDR5 供給仍吃緊
儘管中國 DDR5 供應持續擴張，但目前全球高階 DDR5 市場仍由三星電子、SK 海力士、美光（MU）等三大原廠主導。
由於三大廠持續將產能轉向毛利更高的 HBM（高頻寬記憶體），標準 DDR5 供給持續偏緊，價格維持上漲趨勢。法人指出，中國 DDR5 快速量產雖有助舒緩部分供應壓力，但短期仍難全面撼動三大原廠主導地位。
華為逆勢降價搶市占 長鑫供應鏈成關鍵
值得注意的是，在中國手機品牌普遍因記憶體漲價而調升售價之際，華為近期反而逆勢降價搶攻市占。
市場分析，關鍵原因之一在於華為採用自研麒麟晶片，並搭配長鑫 DDR5 記憶體，因此相對不受三星與 SK 海力士現貨價格波動影響。
宜鼎獲利爆發 4 月單月大賺逾三個股本
在記憶體漲價題材持續延燒下，工控記憶體模組廠宜鼎（5289）交出驚人的獲利成績單。
宜鼎公告 4 月自結，營收 66.71 億元，年增 583%，稅後純益 29.87 億元，年增 4567%，EPS 高達 31.41 元，等於單月就大賺超過三個股本。
此外，宜鼎第一季財報同樣刷新歷史紀錄，單季營收 131.82 億元，年增率 403.39%，毛利率 59.1%，稅後淨利 54.66 億元，EPS 達 57.49 元，累計前 4 月 EPS 更已衝上 88.9 元。
宜鼎董座：NAND Flash 漲價才剛開始
宜鼎董事長簡川勝先前表示，目前 DRAM 與 NAND Flash 市場需求遠大於供給，供需缺口已非百分比可形容，而是以「倍數」計算。
他認為，供需失衡狀況今年、甚至明年都難以改善，NAND Flash 漲勢「才剛開始」，邊緣 AI 與智慧應用需求將持續推升高階記憶體需求。宜鼎也預估，今年 AI 相關營收占比將提升至 30% 以上。
美光獲利前景受看好 華爾街續喊多
另一方面，市場也持續看好美光（MU）未來獲利成長。華爾街分析師普遍預期，美光獲利能力有望一路增長至 2027 年底後，並維持高獲利水準。
市場指出，美光目前 PEG（本益成長比）僅約 0.75，低於合理估值 1 倍水準，顯示股價仍具成長空間。德意志銀行近期更將美光目標價大幅調升至 1000 美元，維持「買進」評級。
法人認為，在 AI 伺服器、高頻寬記憶體與企業級儲存需求持續爆發下，全球記憶體產業景氣循環仍處於上升階段，但中國供應鏈快速崛起，也將使未來競爭態勢更加激烈。
提到的股票
概念股
參考資料
- 宜鼎自結4月合併獲利29.87億元，每股稅後31.41元
- 元太自結4月合併獲利11.72億元，每股稅後1.02元
- 宜鼎自結4月大賺逾3個股本年增45倍 單月EPS 31.41元
- 「這檔記憶體」太誇張！ 4月大賺3股本 前4月EPS高達75.53元
