記憶體超級循環點火 力積電、廣穎、品安、南茂強勢鎖漲停
在台積電（2330）領軍下，台股今日（1 月 16 日）站穩 3 萬 1 千點，記憶體族群同步表態，力積電（6770）、廣穎（4973）、品安（8088）、南茂（8150）等多檔個股強勢鎖漲停，旺宏（2337）、華邦電（2344）、南亞科（2408）、群聯（8299）漲幅也都超過 5％。法人認為，在供給持續緊縮、需求端積極拉貨的背景下，記憶體與封測族群的行情仍具延續空間。
記憶體超級循環點火 南茂領軍封測族群全面噴出
記憶體漲價效應持續擴散，封測族群率先點火。南茂今日盤中強勢直奔漲停，股價來到 67.7 元，明顯領漲記憶體封測相關個股，市場資金快速回流，族群買氣明顯升溫。
市場傳出，在記憶體價格快速上揚帶動下，南茂等封測廠產能利用率已逼近滿載，近期封測報價同步上調，調幅上看三成，吸引法人與主力資金提前卡位。加上公司月營收連續 43 個月創高，基本面表現亮眼，成為今日盤面焦點。
聚焦記憶體與驅動 IC 封測 營運動能持續轉強
南茂為全球前三大 LCD 驅動 IC 封測廠，核心業務涵蓋高精密度記憶體及顯示器驅動 IC 封裝測試。受惠 AI 應用推升記憶體需求，公司近期營收年增率超過兩成，營運動能持續升溫。
法人分析，今日南茂亮燈漲停，反映的不僅是短線籌碼推動，更是產業報價調升與基本面改善的雙重利多。後續可持續觀察成交量是否放大，以及法人與主力籌碼是否延續布局。
大摩：成熟製程記憶體將迎新一波超級週期
摩根士丹利（大摩）最新研究報告指出，儘管市場對成熟製程記憶體仍存疑慮，但供需缺口正進一步擴大，預期 2025 年第二季起至 2026 年，將迎來新一輪「超級循環」。
報告強調，DDR4、DDR3、NOR Flash 與 SLC／MLC NAND 等產品供給吃緊狀況持續惡化，主因在於 DDR5 與 HBM 需求強勁，排擠成熟製程產能分配。大摩直言，目前「沒有任何理由轉向悲觀」。
DDR4、Flash 全面喊漲 價格漲勢恐延續至明年
大摩指出，2026 年初第一線企業買家已對 DDR4 採購態度轉趨積極，力拚取得更多出貨額度。在供應受限情況下，預估今年第一季 DDR4 價格漲幅可能高達五成，且漲勢有望延續至第二季。
同時，因為產能由 DDR3 轉向 DDR4，高密度 DDR3 產品出現明顯短缺，也帶動相關供應商業績加速追趕；Flash 方面，預估第一季 NOR Flash 報價將上調 20％至 30％，NAND Flash 中的 MLC 與 SLC 產品漲幅甚至可能超過五成。
HBM 與先進封裝成新動能 台系供應鏈評價全面上修
除了傳統記憶體外，部分成熟製程廠正積極切入 HBM 與先進封裝領域。大摩點名，力積電 P5 廠具備 WoW 晶圓堆疊與混合鍵合產能，在 HBM4e 世代將更具戰略價值；愛普則有機會受惠美系客戶對 CoWoS-S 需求，矽電容業務於 2026 年展現強勁成長。
基於對 2025 至 2026 年獲利與股東權益報酬率的樂觀預期，大摩全面調升台系記憶體廠目標價，其中華邦電被列為首選，目標價由 88 元上調至 130 元；南亞科上看 298 元；力積電、旺宏與愛普目標價也同步調升。
產業前景獲重量級人士背書 資金熱度升溫
AI 推升記憶體長線需求，也吸引重量級人士加碼布局。前台積電董事長、現任美國記憶體大廠美光（Micron）董事劉德音近期大幅加碼投資美光，兩日內買進逾 2.3 萬股，投資金額超過 780 萬美元，市場解讀其看好記憶體產業中長期發展。
