台股重挫，記憶體族群表現分歧；力積電飆漲 9％、DRAM 雙雄皆收黑、模組廠跌多於漲
美光財報前夕市場戒備 台灣記憶體股早盤承壓、力積電逆勢收高
受到美國記憶體大廠美光（Micron，MU）前一交易日重挫逾 13% 的拖累，台股記憶體族群今日（6/24）開盤同步遭遇賣壓，包括南亞科（2408）、華邦電（2344）、旺宏（2337）一度走低，不過隨著低接買盤持續進場，跌幅逐步收斂。
在指標股中，力積電（6770）表現最為突出，逆勢強漲 9％，終場收在 85.7 元最高價，成為市場資金避風港；群聯（8299）終場上揚 2.88％，同樣收在今日最高價 2500 元。記憶體通路商青雲（5386）開低走平，收在 502 元。
模組廠部分，整體跌多於漲，威剛（3260）、創見（2451）、宇瞻（8271）、宜鼎（5289）皆收黑，僅十銓（4967）、廣穎（4973）上漲。
市場焦點則集中在即將公布財報的美光。法人指出，目前市場對美光第三季表現的預期已趨近「極高標準」，若財報僅符合市場預期，恐出現「利多出盡」的賣壓。
市場期待值過高 美光 Q4 展望成股價關鍵
根據市場共識預估，美光第三季營收可望達 355 億美元，每股盈餘（EPS）預估介於 19.72 美元至 20.4 美元，年增率高達逾 900%，毛利率更有機會達 81%，將創下歷史新高。
不過，由於美光股價今年以來已飆升逾 300%，市場更關注第四季展望。美銀（BofA）分析認為，美光若要避免財報後出現獲利了結，第四季營收預估需達 380 億至 400 億美元以上，同時必須釋出 2026 至 2027 年高頻寬記憶體（HBM）產能已被客戶預訂一空、價格持續上揚等訊號。
法人指出，一旦美光財報演變為「利多出盡」，台灣記憶體族群恐將出現明顯分化。
外資升評 力積電轉型 AI Foundry 獲青睞
相較於南亞科、華邦電等標準型記憶體廠，力積電近年積極轉型「3D AI Foundry」晶圓代工模式，布局邊緣運算、先進封裝與特殊製程。
近期外資更將力積電投資評等由「中立」調升至「增持」，目標價由 50 元大幅調升至 100 元，摩根士丹利（Morgan Stanley）則將目標價提高至 88 元。
外資認為，隨著記憶體代工價格持續上揚，加上未來有機會與美光在 HBM 及 DDR4 領域合作，力積電獲利能力將顯著改善，再加上力積電日前完成 8.86 億美元海外存託憑證（GDS）募資，也進一步改善財務結構。
今日力積電飆升 9％，與 DRAM 雙雄華邦電、南亞科分別下跌 3.07％、2.42％形成強烈的對比。
HBM 排擠效應浮現 消費性 DRAM 價格 Q2 暴漲
根據韓國市調機構 SigmaIntel 最新報告，受到 AI 伺服器需求帶動，高附加價值產品產能優先配置，造成消費性記憶體供應緊張，第二季價格大幅上漲。
其中 LPDDR4X 4GB 價格季增 75%，LPDDR5X 12GB 價格季增 89%，SSD 價格平均上漲約 50%，UFS 價格最高漲幅達到 100%。
SigmaIntel 指出，由於輝達（NVIDIA）下一代 Vera Rubin AI 平台大量採用 LPDDR 記憶體，加上 HBM、伺服器 DRAM 及企業級 SSD（eSSD）需求強勁，晶圓產能優先供應高毛利產品，使消費性 DRAM 供應出現缺口。
AI 需求帶動企業級產品供不應求
該報告指出，目前看來，HBM 仍維持長約模式，價格穩定且供應吃緊；雲端服務商持續補充庫存，使伺服器 DRAM 流通庫存僅約 2～3 週。
此外，AI 叢集與 AI Agent 伺服器帶動 eSSD 需求強勁，低容量 eMMC 供給也縮減，使消費性 NAND 市場的供應更加吃緊。
下半年價格漲勢可能放緩 低階產品需求轉弱
不過，SigmaIntel 也指出，隨著手機及 PC 品牌廠逐漸難以吸收成本上漲壓力，部分客戶已開始調整採購量。
在供給依然緊張的情況下，下半年 DRAM 價格仍有上漲空間，但漲幅可能趨緩，尤其低階產品需求恐率先降溫。
法人：留意美光發佈財報後「利多不漲」風險
法人提醒，過去記憶體景氣復甦期間，台股記憶體族群經常出現「利多不漲」的現象。即使產業的基本面改善，若股價提前反映樂觀預期，財報公布後反而容易出現獲利了結賣壓。
隨著美光的財報即將揭曉，以及 HBM 供需、AI 伺服器需求和價格走勢逐步明朗，市場接下來將觀察記憶體產業能否延續超級循環，或進入高檔震盪與個股分化階段。
