台股記憶體股走勢分歧，群聯、南亞科創新高，旺宏、威剛、宇瞻收黑；慧榮預估 NAND 缺貨到 2028 年
外資上調目標價 群聯、南亞科領軍記憶體股續強
台股記憶體族群今日（5/12）走勢分歧，但在美系外資全面調升記憶體股票評價的激勵下，龍頭股仍維持強勢表現。NAND 控制晶片大廠群聯（8299）盤中再創歷史新高，「DRAM 雙雄」之一南亞科（2408）則一度逼近歷史天價，市場資金持續聚焦 AI 帶動的記憶體供需失衡題材。
美系外資最新同步調高台、港、韓共七檔記憶體概念股目標價，其中南亞科目標價一舉上修至 440 元，創下外資圈新高預估價；群聯合理股價則被推升至 3500 元。
受到利多激勵，南亞科盤中一度衝上 325 元，逼近今年 1 月 30 日創下的 326.5 元歷史高點，終場收在 321 元，上漲 20 元、漲幅 6.64%。群聯早盤最高衝上 2860 元，再度刷新歷史新高，終場收 2725 元，上漲 55 元、漲幅 2.06%。
不過，部分記憶體股漲跌互見。旺宏（2337）因為主要客戶任天堂（Nintendo）預估全年獲利將大減 30%，拖累市場信心，股價盤中一度重挫逾 5%；威剛（3260）、宇瞻（8271）等模組廠同步收黑，十銓（4967）則小漲 0.35%。
成交金額前五大個股 記憶體強占三檔
今日記憶體仍為台股檯面上的主流族群，成交金額前五大個股（不含台股 ETF）中，第一名為權王台積電，第二、三、五名分別為南亞科的 671.78 億元、群聯的 401.41 億元、華邦電（2344）的 375.84 億元。
至於成交量前五大排行榜（不含台股 ETF）上，「DRAM 雙雄」南亞科、華邦電皆榜上有名，第一、二名分別為「面板雙虎」群創（3481）、友達（2409）。
AI 推理需求旺 慧榮科技看旺 NAND 到 2028 年
隨著 AI 產業從訓練逐步轉向推理（Inference）階段，市場對高效能儲存需求快速升溫。據台媒報導，慧榮科技總經理苟嘉章預估，NAND Flash 缺貨情況恐一路延續至 2028 年，下半年記憶體價格仍將持續上漲。
苟嘉章指出，北美大型雲端服務供應商（CSP）目前正積極與原廠簽訂長約，以提前鎖定產能。即使三星、SK 海力士、美光（MU）等原廠現在啟動擴產，從土地取得、無塵室建置、設備交期到良率調校完成，真正形成有效產能至少仍需 2 至 3 年時間。
他也坦言，目前設備交期長達 1 年至 1 年半，供給短期難以快速跟上需求。
在價格方面，苟嘉章認為，今年下半年記憶體價格仍將維持上漲趨勢，但漲幅可能低於上半年。若價格持續飆升，恐進一步壓縮手機與 PC 品牌廠獲利空間，未來如蘋果（Apple）等具採購優勢的大型品牌廠市占率可能持續提升。
Vera Rubin 提前量產 台積電、鴻海等供應鏈受惠
AI 需求火熱，也讓輝達（NVIDIA）加速推進下一代 AI 平台 Vera Rubin。
市場消息指出，輝達已完成 Vera Rubin AI 伺服器量產版本定案，並與 ODM 合作夥伴敲定量產規格，預計六月展開試產，七月開始供貨給北美 CSP 客戶，包括微軟（Microsoft）、Alphabet 旗下 Google、亞馬遜（Amazon）、Meta 與甲骨文（Oracle）等大型雲端業者。
據悉，台積電（2330）今年稍早已開始以 3 奈米製程量產 Vera Rubin 晶片，而鴻海（2317）、廣達（2382）、緯創（3231）等供應鏈夥伴，也將於今年下半年開始全面鋪貨，最快 2026 年第三季進入大規模出貨階段。
市場原先曾傳出 Vera Rubin 存在設計問題，但目前看來相關缺陷已完成修正，量產時程並未受到明顯影響。
鈺創董座：AI 讓記憶體進入「漢朝盛世」
記憶體長線需求持續看旺，鈺創（5351）董事長盧超群今日公開指出，全球半導體產值未來有機會衝上 1.3 兆至 1.4 兆美元，其中記憶體占比可能接近一半。
他指出，去年底市場原先預估今年全球 DRAM 產值約 1600 億美元，但今年 1 月已上修至 4000 億美元，到了 4 月底更暴增至 5600 億美元，成長速度遠超乎市場預期。
若再加計 NAND Flash 等其他記憶體產品，今年整體記憶體市場規模有機會達 7000 億至 8000 億美元，幾乎逼近去年全球半導體總產值。
盧超群表示，AI 帶來的是結構性改變，尤其 HBM 已不只是單純 DRAM 堆疊，而是結合 4 奈米、5 奈米先進邏輯晶片的高階產品，DRAM 與邏輯 IC 界線正快速模糊。
他形容，目前 DRAM 產業景氣有如「漢朝盛世」，AI 帶動半導體產業進入「文景之治」，未來台灣若能憑藉台積電與完整供應鏈優勢深化 HBM 與邏輯 IC 整合設計，將有機會在 AI 時代扮演「漢武帝」角色。
DRAM 結構性缺貨延續 鈺創訂單能見度看到明年
對於市場最關心的缺貨問題，盧超群指出，目前 DRAM 市場屬於結構性缺貨，高階 HBM 受限於先進製程與封裝產能，而 DDR4、DDR5 等傳統產品，即使需求仍強勁，國際大廠也不願回頭擴產。
他表示，筆電與手機平台轉換仍需時間，因此 DDR4、DDR5 短期需求不會快速消失，預估缺貨情況至少延續至明年年中。
價格方面，目前 DRAM 價格仍維持每月 10% 至 20% 的漲幅，雖然第三季後漲勢可能放緩，但在 AI 新需求持續加入下，價格仍將維持高檔震盪。
