台積電傳進軍 3D DRAM 華邦電董座焦佑鈞質疑是謠言
Celine
外媒傳出台積電（2330）可能應輝達（NVIDIA）要求，規劃跨足新一代 3D DRAM 製造，引發半導體及記憶體產業關注。華邦電（2344）董事長焦佑鈞對此直言，個人認為目前比較可能是謠言，因為台積電向來重視技術與專利自主，企業文化也是先把事情做好才對外公布。不過，產業專家認為，從 AI 記憶體需求及供應鏈分散風險來看，台積電切入並非完全不可能，短期更可能先採共同開發或技術驗證模式。
台積電傳應輝達要求布局 3D DRAM 焦佑鈞：比較像是謠言
針對外媒《The Information》報導，台積電近期可能應輝達要求，開始規劃 3D DRAM 先進記憶體製造計畫，華邦電董事長焦佑鈞表示，自己認為這項消息比較可能是謠言，目前並未收到相關資訊，也沒有向業界人士求證，相關看法純屬個人推測。
焦佑鈞分析，台積電一向希望核心技術與專利掌握在自己手中，若真的決定跨入 3D DRAM 製造，勢必得先釐清相關技術及專利來源，並投入相當資源。他認為，以台積電追求卓越的企業文化，不會只做一半，而是會要求技術達到一定水準。
他進一步指出，台積電過去的行事風格通常是先默默投入研發，等技術及布局成熟後才對外說明，不太可能在尚未準備完成前，就先釋出相關消息。
不過，焦佑鈞也提到，台積電與各大晶圓廠及產業夥伴關係密切，是否有必要自行投入記憶體製造，仍涉及商業策略及合作生態系考量。
AI 推升高頻寬記憶體需求 輝達積極尋找非韓系供應來源
《The Information》引述知情人士報導，台積電可能因應輝達需求，規劃一種名為 3D DRAM 的先進記憶體晶片製造計畫，可能選項包括新建工廠，或收購既有工廠進行改建，但目前尚不清楚預計何時開始生產。
所謂 3D DRAM，是透過垂直堆疊記憶體單元，提高記憶體容量與整體整合效率，與傳統將記憶體單元排列在單一平面上的架構不同。
學者分析，從產業需求及商業動機來看，台積電規劃 3D DRAM 並非完全不可能。隨著 AI 晶片運算能力快速提升，高頻寬、高密度記憶體已成為影響 AI 硬體效能及供應的重要瓶頸，加上韓系記憶體大廠產能吃緊、報價高昂，輝達有動機尋找更多非韓系供應來源，以分散供應鏈風險。
換言之，若台積電能將既有先進製程、垂直堆疊及先進封裝技術延伸至新型記憶體架構，將有機會為 AI 晶片打造更完整的運算與記憶體整合方案。
技術與專利具延伸空間 但資本支出及生態系合作是關鍵
學者指出，台積電在垂直結構及先進封裝領域已有相關技術基礎，具備向先進記憶體堆疊延伸的可能性。不過，記憶體製造需要龐大資本支出，獲利模式及利潤率也與邏輯晶片代工存在差異，若直接投入標準型 DRAM 大規模量產，勢必面臨投資效益及市場競爭等考驗。
此外，台積電目前與 SK 海力士等記憶體及封裝業者維持密切合作，若直接跨足記憶體製造，也可能改變既有供應鏈分工及合作關係。
因此，台積電短期內較可能採取共同開發或專用技術驗證模式，先針對 AI 客戶需求開發特定記憶體整合方案，而非貿然轉型為標準型 DRAM 的大規模量產廠。
整體而言，3D DRAM 傳聞反映 AI 產業對高頻寬、高密度記憶體的需求持續升高，也凸顯輝達尋求更多元記憶體供應來源的迫切性。不過，台積電是否真正跨足記憶體製造，仍須觀察技術自主、資本支出、客戶需求及既有供應鏈合作等多項因素，目前相關消息仍停留在外媒報導與產業推測階段。
