台股記憶體持續「跌跌不休」 旺宏連吞 2 根跌停、南茂 7 連跌、華邦電與南亞科皆重挫
Celine
融資追繳、多殺多效應引爆市場持續恐慌 記憶體持續綠油油
台股今日（7/30）持續受到市場恐慌情緒影響，加權指數雖在盤中一度收復 4 萬點大關，但終場仍收在 39933.3 點，正式跌破 4 萬點整數關卡。相較於大盤盤中曾在台積電（2330）等權值股帶動下強勢反彈，記憶體族群則持續遭遇沉重賣壓，成為盤面最弱勢族群之一。
其中，指標股旺宏（2337）連吞兩根跌停，今日收跌於 91.8 元，失守百元關卡；南茂（8150）已連續 7 個交易日下跌，累計跌幅達 36.5%；華邦電（2344）與宇瞻（8271）跌幅均超過 8%，南亞科（2408）也重挫逾 7%，封測廠力成（6239）跌幅超過 6％，威剛（3260）則開平走低，終場下跌約 4％，市場信心明顯降溫。
記憶體族群未見反彈 旺宏基本面亮眼仍難敵賣壓
今日台股盤中震盪超過千點，一度重返 4 萬點關卡，但記憶體股幾乎未見買盤進駐，旺宏更一路鎖住跌停，顯示市場賣壓仍相當沉重。
值得注意的是，旺宏日前法說會公布的第二季財報表現相當亮眼。公司第二季毛利率達 64.4%，較第一季大幅增加 23.6 個百分點，創下歷史新高；稅後淨利 77.36 億元，季增 3.35 倍、年增 7.06 倍，每股稅後純益（EPS）3.91 元，同樣刷新單季紀錄，累計上半年 EPS 達 4.82 元。
然而，即使基本面持續強勁，股價仍難逃市場全面性賣壓，反映短線資金已轉向降低風險的部位。
法人：融資追繳引爆多殺多 高估值成修正主因
本土法人分析指出，記憶體股前波漲幅過大，吸引大量散戶及中實戶透過融資進場布局。
隨著股價跌破季線後，融資追繳與停損賣壓同步湧現，形成「多殺多」的惡性循環，才是近期連續重挫甚至跌停的主要原因，而非企業基本面出現惡化。
法人也表示，目前市場的討論焦點已從「是否缺貨」轉向「估值是否過高」。由於先前股價已提前反映記憶體的超級循環利多，當現貨價格漲勢放緩，高估值自然容易引發市場獲利了結與恐慌性賣壓。
此外，近期台股大幅修正，也迫使部分大型法人因應母基金的贖回壓力，持續調節持股，包括華邦電、南亞科等記憶體股均遭大舉減碼，進一步放大短線的波動。
台、韓 AI 供應鏈結構差異明顯 台股抗震能力相對佳
市場人士分析指出，從 MSCI 台灣指數前十大成分股來看，台灣擁有完整且垂直整合的 AI 供應鏈，涵蓋晶片製造、被動元件、先進 PCB、液冷散熱、電源管理 IC 及 IC 設計等多元產業，產業結構相對均衡。
相較之下，南韓股市高度集中於三星電子（Samsung Electronics）及 SK 海力士（SK Hynix）兩大記憶體龍頭，當全球資金集中押注記憶體產業及相關槓桿 ETF 後，一旦市場情緒反轉，也容易放大整體韓股的波動，近期便出現明顯修正，進而拖累亞股的表現。
長鑫存儲上市引發市場疑慮 法人：HBM 仍將推升 DRAM 供需吃緊
針對近期記憶體股重挫，法人認為，除了前波漲幅過大帶來的獲利了結壓力外，中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT）上市，也加深市場對未來供給增加的心理疑慮。
不過，市場分析認為，目前三星電子、SK 海力士及美光（Micron）三大記憶體廠商的接單狀況與產品定價能力依然穩健，產業基本面並未出現明顯轉弱；尤其 AI 伺服器大量採用高頻寬記憶體（HBM），每片 HBM 晶圓所消耗的 DRAM 產能約為傳統 DDR 產品的 2 至 3 倍，持續排擠一般 DRAM 生產能力。
法人指出，隨著 HBM 需求快速成長，通用型 DRAM 產能仍將維持吃緊，「供不應求」的市場格局有望延續至未來一至兩年，近期股價修正較偏向市場情緒與估值調整，而非 AI 記憶體產業長期成長趨勢出現改變，但短期內的波動仍會趨於劇烈。
