記憶體股跌深反彈；南亞科、華邦電、群聯回神，青雲強攻漲停
Celine
南亞科、華邦電止跌反彈 青雲擺脫利空鎖漲停
記憶體族群歷經韓國大廠擴產、中國業者示警產業風險等利空衝擊後，本週股價普遍陷入修正，不過今日（7/3）盤面終於出現反彈訊號。「DRAM 雙雄」南亞科（2408）與華邦電（2344）在低接買盤進駐下，同步收紅，群聯（8299）收漲約 2.5％至 2295 元，帶動記憶體族群止跌回穩。
模組廠部分，威剛（3260）、十銓（4967）、宇瞻（8271）、廣穎（4973）、品安（8088）股價一片紅通通，唯有宜鼎（5289）下跌逾 4％。
今日市場焦點落在曾被視為「記憶體妖股」的青雲（5386）。受到高階主管涉嫌非法轉售輝達（NVIDIA）AI 晶片至中國案影響，青雲股價連吞三根跌停，不過公司連續發布重大訊息強調營運未受影響，並於昨日公告撤換原總經理、由董事長特助正式接任後，市場信心回溫，今日股價開盤後直奔 420 元漲停價，一舉收復近期部分跌幅。
韓國擴產、中國示警壓抑市場情緒 記憶體股本週震盪整理
記憶體族群近期承受多項利空壓力。韓國政府宣布啟動規模高達 800 兆韓元（約新台幣 17 兆元）的國家半導體戰略計畫，推動三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士（SK Hynix）擴大投資，市場擔憂未來供給增加。
另一方面，中國 NOR Flash 龍頭兆易創新也警示，目前記憶體晶片價格已處於歷史高檔區間，引發市場對產業循環風險的疑慮，使得記憶體族群本週普遍出現回檔整理。
不過，法人認為，在股價短線修正後，部分個股已逐步反映市場疑慮，今日出現技術性反彈並不意外。
大摩示警：記憶體進入「結構性分化」時代 DRAM 將優於 NAND
儘管 AI 浪潮帶動記憶體產業進入史上最長的上升週期之一，但摩根士丹利（Morgan Stanley）最新報告指出，市場已告別「全面上漲、閉眼買都賺」的黃金年代，未來將進入高度分化的新階段。
根據大摩最新供需模型，2027 年全球 NAND 需求仍可望年增 60%，市場仍存在約 9% 的供給缺口，但需求結構已出現明顯差異，AI 伺服器與資料中心需求依舊強勁，但智慧型手機與 PC 等消費市場需求開始轉弱，模組廠庫存持續攀升，長約客戶仍具備價格支撐能力。
大摩認為，在此環境下，將呈現「DRAM 優於 NAND」及「原廠優於模組廠」兩大趨勢。
「DRAM 優於 NAND」是因為 DRAM 受惠於長期供貨協議（LTA）保障，AI 與 HBM 需求持續強勁，而且 EUV 設備限制供給擴張，因此供需結構較 NAND 更具優勢。
至於「原廠優於模組廠」，則是在 NAND 市場方面，原廠擁有更強的供給控制能力與議價優勢，未來獲利韌性將明顯優於模組廠與通路商。
大摩提醒投資人，下一階段投資關鍵不再是判斷景氣是否續漲，而是觀察誰掌握定價權、誰擁有穩定供給能力，以及誰具備清晰的需求能見度。
SanDisk 推出 332 層 3D NAND 新產品 搶攻 AI 資料中心市場
另一方面，大廠 SanDisk 宣布，已開始出貨第十代 3D TLC NAND Flash（BiCS10）樣品，進一步強化 AI 與資料中心市場的布局。
SanDisk 表示，新一代 BiCS10 產品採用 332 層堆疊技術，相較現行 BiCS8 產品，位元密度提升 59%，傳輸速度提升 33%，達 4.8Gbps，寫入功耗降低 10%，讀取功耗則降低 34%。
該產品採用 CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術，透過晶圓對晶圓（Wafer-to-Wafer）鍵合方式，提升儲存密度與能源效率。
此外，BiCS10 也導入 Toggle DDR6.0 介面 SCA（Split Command Address）協定與 PI-LTT 低功耗技術，以因應 AI 資料中心、高效能運算與大型語言模型（LLM）快速成長帶來的龐大儲存需求。
法人：AI 記憶體超級週期未結束 但投資邏輯改變
法人分析指出，本輪記憶體產業行情與過往傳統景氣循環最大的不同，在於 AI 基礎建設需求持續擴張，使產業長期供需結構發生根本性變化。
然而，隨著市場逐步從「全面缺貨」轉向「結構性缺貨」，未來投資焦點將從單純押注景氣循環，轉向觀察各公司在 AI、HBM、高階 DRAM 與企業級儲存市場中的競爭優勢與定價能力。南亞科、華邦電、旺宏（2337）、力積電（6770）以及相關供應鏈廠商，仍將是市場關注的核心受惠族群。
