SK 海力士啟動超大規模擴產計畫 目標 2030 年 DRAM 產能翻倍、月產突破百萬片
AI 浪潮驅動記憶體需求 SK 海力士提前布局未來五年擴產藍圖
隨著人工智慧（AI）運算需求持續爆發，全球高頻寬記憶體（HBM）與 DRAM 市場進入長期成長週期。根據韓國媒體報導，全球第二大記憶體廠 SK 海力士（000660.KS）已向主要供應鏈夥伴揭露中長期擴產藍圖，計劃在 2030 年至 2031 年間，將 DRAM 晶圓月產能由目前約 55 萬片，大幅提升至 100 萬片以上，等同於現有產能近乎翻倍。
值得注意的是，這項擴產計畫的規劃時間點，甚至早於輝達（Nvidia）執行長黃仁勳今年在 COMPUTEX 展會上公開寫下「Please make more（請多生產）」之前，顯示 SK 海力士早已針對 AI 記憶體需求爆發展開前瞻布局。
龍仁半導體園區成核心 2030 年前新增 36 萬片月產能
據報導，SK 海力士約兩個月前已透過採購部門及龍仁半導體聚落管理團隊，向核心設備與材料供應商說明擴產計畫。
此次擴產將以韓國龍仁半導體聚落為主要基地。根據規劃，龍仁一期晶圓廠將劃分為六個潔淨室，其中第一階段（Phase 1）設備進駐時程已由原定 2027 年 5 月提前至同年 2 月。
在首批設備完成導入後，龍仁一期廠初步將增加約 6 萬片月產能，並於接下來三年逐步釋放剩餘產能，最終可望新增 36 萬片 DRAM 月產能。依據時程推估，龍仁一期廠將於 2030 年上半年全面達產。
清州 M15X 同步擴建 整體月產能挑戰 100 萬片
除了龍仁新廠外，目前持續擴建中的清州 M15X 晶圓廠也將成為重要增量來源。
市場預估，M15X 廠將於今年下半年開始量產，初期月產能約 4 萬片，並於 2027 年提升至約 8 萬片。若加計龍仁一期新增 36 萬片產能，SK 海力士整體 DRAM 月產能將有望於 2030 至 2031 年間突破百萬片大關。
相較於 DRAM 的大規模擴產策略，SK 海力士對 NAND Flash 則採取較保守路線，未來主要透過堆疊層數提升等技術升級方式，持續擴大儲存容量與效能。
崔泰源：五年內晶圓產能倍增 追求產業長期穩定發展
崔泰源日前出席 COMPUTEX 2026 時曾公開表示，SK 集團將「全速推進，目標在五年內將整體晶圓產能提升一倍。」市場普遍認為，此番發言正與目前曝光的內部擴產規劃高度一致。
面對外界擔憂記憶體市場價格波動風險，崔泰源也強調，記憶體價格短期暴漲反而可能損害整體產業生態的永續發展。
他表示：「價格的突然飆升可能對產業造成傷害。為了整個產業鏈的長期發展，穩定性比短期價格更重要。」
AI 與 HBM 需求成長 記憶體軍備競賽正式進入長期戰
業界分析指出，SK 海力士此次大規模擴產，反映出全球記憶體產業已逐步擺脫過往景氣循環思維，轉而進入以 AI、高效能運算（HPC）及資料中心需求為核心的長期成長週期。
隨著 AI 模型規模持續擴大，HBM、高容量 DRAM 與先進封裝需求快速增加，三星電子、美光科技（MU）與 SK 海力士等全球主要記憶體廠商之間的產能與技術競賽，也勢必進一步升溫。
市場人士認為，若 SK 海力士能順利完成此次五年翻倍擴產計畫，不僅將鞏固其全球 HBM 龍頭地位，也可能重新改寫未來十年的全球記憶體產業版圖。
