記憶體族群「愈關愈大尾」，南亞科、力成、凌航皆亮燈漲停；南茂成交量衝上第四高
封測訂單滿載 力成、南茂、華東啟動調價、幅度上看三成
AI 浪潮推升高頻寬記憶體（HBM）需求爆發，全球記憶體市場迎來前所未見的漲價循環。即便多檔記憶體指標股但遭列入處置交易，但市場消息指出，封測廠力成（6239）、南茂（8150）、華新集團旗下記憶體封測廠華東（8110）等記憶體封測廠訂單湧進，產能利用率直逼滿載，近期陸續調升封測價格，調幅上看三成。相關封測廠透露「訂單太滿，後續可能啟動第二波漲價」，在此利多之下，今日（1 月 12 日）族群仍全面走強，南亞科、力成、模組廠凌航（3135）皆漲停，NAND 控制 IC 晶片群聯（8299）也一度漲停，展現「愈關愈大尾」的驚人氣勢。
DRAM、NAND、NOR 全線走揚 法人：多頭行情可望延伸至 2027 年
目前「DRAM 雙雄」華邦電（2344）及南亞科（2408）、DDR3 大廠晶豪科（3006）、利基型記憶體晶圓代工大廠力積電（6770）、模組廠威剛（3260）、群聯（8299）、NOR Flash 大廠旺宏（2337）皆被關禁閉，不過今日股價皆大漲，南亞科飆高至漲停價 239 元，記憶體 IC 設計廠鈺創（5351）上漲逾 3％，華邦電、旺宏、力積電、華東皆上揚逾 4％，威剛上升逾 6.4％，晶豪科飆漲逾 7％至 146 元；群聯一度觸及 1790 漲停價，後來漲幅收斂至 8.9％ 、報 1775 元，但仍創下歷史新高價。
力成、凌航皆亮燈漲停，模組廠宇瞻（8271）、南亞科轉投資的封測廠福懋科（8131）皆上升 2％多，南茂、以記憶體為主的半導體通路商至上（8112）小漲 1％多；不過南茂成交量超過 17.54 萬張，在台股之中排名第四高，僅次於友達（2409）、華新（1605）、聯電（2303）。
法人普遍認為，記憶體的供需結構已出現質變，這波多頭行情能見度可望一路延伸至 2027 年。
華東三個月飆漲 200％ 高層減碼不改市場信心
華東近三個月股價累計大漲約 200％，成為盤面焦點。根據證交所公告，總經理于鴻祺於本月兩度申報轉讓持股，合計 700 張，其中 280 張於今日生效，市場估算約套現 2000 萬元。
部分投資人解讀高層減碼為「產業警訊」，不過華東股價今日仍逆勢上攻近 5％、收在 74.8 元，顯示市場資金並未因此動搖。法人指出，個別高層財務規畫不必然代表產業反轉，關鍵仍在記憶體供需基本面。
本土金控：記憶體價格尚未見頂 華邦電目標價上修至 108 元
本土金控一哥旗下投顧最新研究報告指出，記憶體市場價格上漲趨勢「尚未見頂」，能見度可延伸至 2027 年。報告指出，本季 DRAM 價格漲幅已逾 4 成，並同步外溢至 NAND Flash，推升 SLC NAND 與 NOR Flash 報價。
在利多加持下，該投顧上修華邦電今、明年獲利預估，將 2026 年 EPS 由原估 7.5 元調升至 8.18 元、2027 年上看 11.94 元，並以 2026 年 13.2 倍本益比推算，目標價由 75 元一舉調高至 108 元。
該研究報告同時指出，去年 12 月記憶體合約價呈現「利基型優於標準型」走勢，其中 DDR3 漲幅高達 55％至 60％。市調資料顯示，2026 年第一季利基型 DRAM 售價可望再季增 45％至 50％，SLC NAND 與 NOR Flash 亦將季增 15% 至 25%。
在價格全面走揚帶動下，法人預估華邦電 2026 年首季合併營收可望季增 19％至 316.78 億元，單季 EPS 上看 1.56 元，營運動能持續強勁。
創見獲利爆發 DDR4 供給吃緊成關鍵推力
模組廠創見（2451）同樣受惠此波記憶體漲價潮。公司自結 2025 年 11 月稅後純益 8.88 億元，EPS 達 2.07 元，單月獲利年增逾 6 倍；12 月合併營收 30.58 億元，年增 241.98％，創單月歷史新高，全年營收 171.25 億元、年增近 7 成。
創見指出，國際原廠持續將產能轉向 DDR5、HBM 等 AI 高階產品，導致 DDR4 長期供給吃緊，而工控設備與嵌入式系統仍高度仰賴 DDR4，使價格明顯上漲，成為營運爆發的關鍵。公司目前庫存水位約 47 億元，並持續爭取供貨量，以支撐後續出貨與獲利。
根據市調機構 TrendForce（集邦科技）最新預估，受惠 AI 伺服器與 CSP 資本支出擴大，2026 年第一季 DRAM 價格漲幅最高可達 50％，全年平均漲幅上看 84％，顯示記憶體產業已正式進入強勁復甦週期。
法人指出，在 AI 對高階記憶體高度依賴、產能加速轉向 HBM 的結構下，標準型 DRAM 供給短缺恐將加劇，記憶體價格仍具續漲空間，族群多頭格局短期內不易動搖。
