半導體封裝用玻璃基板商用化恐延至 2027 年後
三星電機：2027～2028 年才有望量產
三星電機與韓國多家半導體後段企業表示，半導體封裝用玻璃基板（Glass Core Substrate） 的商用化時程恐延至 2027 年以後。
三星電機封裝行銷組主管李承殷（音譯）3 日在仁川松島舉行的「國際先進半導體基板與封裝產業展（KPCA Show）」演講中指出：「玻璃基板產品預計 2027～2028 年推出。當基板尺寸超過 120～140mm 時，既有的銅箔基板（CCL）將面臨極限，因此需要轉向玻璃。」
所謂玻璃基板，是將傳統半導體基板的樹脂核心材料改為玻璃，以解決大尺寸與多層次封裝下的物理限制。
三星電機社長張德鉉今年 3 月也曾表示，玻璃基板市場最快要到 2027～2028 年才會正式開啟，且仍需經過試產與投資期。
大尺寸封裝需求推動材料轉換
李承殷指出，輝達（NVIDIA）在今年 GTC 大會上提到，2027 年推出的 Rubin Ultra 將搭載最多 16 顆 HBM 高頻寬記憶體，意味著封裝尺寸將大幅擴張。一般來說，基板邊長超過 50mm 就被歸類為「Large Body」，主要應用於高效能運算（HPC）、伺服器與網通設備。
三星電機預期，2027 年起 120mm 以上大型玻璃基板將正式進入市場。
玻璃基板優勢：翹曲減少與層數縮減
相較傳統 CCL 基板，玻璃的熱膨脹係數（CTE）較低，翹曲（warpage）控制更佳。李承殷指出，三星電機曾將 10 層 CCL 基板透過玻璃通孔（TGV）間距縮小，成功減層至 6 層，仍能穩定運作，同時大幅降低翹曲。
據實驗數據，玻璃基板在室溫下翹曲比 CCL 減少 30%，高溫下減少幅度更超過 90%。三星電機同時設定目標，將基板內部導通孔（via）縮小至 10 微米，並計畫於 2027 年後導入 UV 雷射設備實現。
脆性、導電與成本影響皆是挑戰
不過，產業界普遍認為玻璃基板仍有重大挑戰。
脆性問題：
Hana Micron 常務高容男（音譯）指出，玻璃基板的脆性是最大障礙，若未能解決易碎與熱膨脹不匹配等問題，難以大規模商用。他預估 2028 年技術將趨於成熟，2030 年大部分問題才能解決。製程瓶頸：
SIMMTECH（深科技）則指出，玻璃基板在 TGV 鍍層與填充製程上良率不佳，目前進行一次 via 填充就需耗時 4 天，嚴重壓縮生產效率，導致單位成本偏高。此外，以物理氣相沉積（PVD）方式形成種子層（Seed layer），亦造成工序成本過高。可靠度疑慮：
SIMMTECH 的柳文尚（音譯）表示，玻璃基板在實驗中容易因微小缺陷出現破裂、剝離（SeWaRe）等問題，尤其基板愈薄，可靠性風險愈大。
市場展望：2027 年 後才會真正放量
綜合業界觀點，玻璃基板確實具備低熱膨脹、高剛性、支援大尺寸等優勢，有望成為 HPC 與 AI 伺服器的關鍵材料。但在脆性、via 填充與成本控制尚未徹底突破前，大規模商用仍需時間。
產業界普遍共識是：2027～2028 年市場才會逐步成形，2030 年前後才可能進入成熟期。
