SK 海力士預測記憶體短缺延續至 2030 年；南亞科再創新高、晶豪科與青雲齊飆漲
Celine
SK 海力士：下一輪下行週期將與過去不同
韓國媒體《Newsis》報導，SK 海力士（000660-KR）執行長郭魯正近日表示，全球記憶體半導體供應短缺情況預期將延續至 2030 年底，且即使 2030 年後市場進入景氣下行階段，需求也不太可能出現過去典型記憶體週期中的急劇萎縮。
郭魯正是在出席 SK 海力士位於美國印第安納州、面向 AI 記憶體的先進封裝生產基地動工儀式後接受媒體訪問時，做出上述表示。
他指出，AI 時代的記憶體需求結構正在發生根本性變化，未來產業景氣循環可能不再重演過去「需求下降、產能過剩、價格暴跌」的傳統模式。
從標準品走向客製化 HBM 成為 AI 記憶體核心
郭魯正表示，過去記憶體產業主要以標準化產品為主，供應商可以透過調整產量來因應市場變化；但隨著 AI 應用快速發展，SK 海力士的核心 AI 記憶體業務，正逐步從 100% 標準化產品，轉向部分客製化甚至完全客製化產品。
這項變化意味著，記憶體供應將更加貼近客戶實際需求，供應商與大型 AI 客戶之間的合作也更加緊密。
郭魯正認為，當產能逐漸轉向「需求導向」的客製化模式後，即使未來市場進入下行周期，也較不容易出現過去那種嚴重供過於求的情況。
他表示，下一次產業下行周期即使到來，需求也不會突然大幅萎縮，而更可能只是成長速度放緩，或維持在既有規劃水準，因此對 2030 年以後的市場前景並不感到擔憂。
AI 伺服器推升 HBM 需求 記憶體產業進入新周期
目前 AI 伺服器持續大量導入高頻寬記憶體（HBM），加上 AI 加速器、資料中心與大型語言模型需求持續擴張，使高階記憶體成為半導體產業的重要成長引擎。
SK 海力士目前在 HBM 市場占據領先地位，並持續擴大 HBM 產能及先進封裝布局。此次在美國印第安納州興建的先進封裝基地，總投資金額超過 40 億美元，未來將成為 SK 海力士在美國的重要 HBM 生產據點。
依規劃，該基地預計於 2028 年 10 月完成無塵室建設，並在 2029 年下半年啟動新一代 HBM 量產。
美國是否追加投資？郭魯正：只要條件到位「任何地點都開放」
針對 SK 海力士是否考慮在美國進一步擴大半導體製造投資，郭魯正表示，公司對投資地點保持開放態度。
他指出，只要當地能提供充足的電力、資金及政府補貼等資源，SK 海力士對於在任何地點進行投資都持開放態度。
這也顯示，在 AI 帶動全球半導體需求快速成長的背景下，電力、資本支出及政府政策支持，將成為記憶體大廠決定海外擴產的重要因素。
投資人關注：AI 能否讓記憶體告別「暴漲暴跌」週期？
過去 DRAM 產業經常受到供需失衡影響，景氣高峰時大舉擴產，隨後卻可能因需求反轉而陷入供過於求，導致記憶體價格快速下跌。
然而，SK 海力士認為，AI 時代的 HBM 與高階記憶體具有更高的客製化程度及技術門檻，且產品往往與特定 AI 晶片及客戶平台深度整合，因此產能擴張將更加受到實際需求牽引。
若這項趨勢持續，未來記憶體產業的景氣循環可能逐步由過去的「大幅擴產→供過於求→價格崩跌」，轉向「AI 需求成長→客製化擴產→供需相對穩定」的新模式。
台股收跌逾 200 點 記憶體族群相對強勢
各界看好記憶體全新的景氣循環模式，對台灣記憶體供應鏈而言，包括南亞科（2408）、華邦電（2344）、旺宏（2337）、力積電（6770）、群聯（8299）、威剛（3260）及宜鼎（5289）等相關業者，後續記憶體價格、AI 需求及供應鏈產能配置變化，仍將是市場關注焦點。
今日（8/31）台股大盤指數雖然走勢疲弱，終場收跌 202.98 點至 46128.47 點，但記憶體族群表現相對強勢，「DRAM 雙雄」中的南亞科（2408）再度寫下新天價 543 元，華邦電也小幅收紅；力積電（6770）勁揚 4.29%，晶豪科（3006）、青雲（5386）更是大漲逾 8%，而且青雲已經連三漲，近三個交易日漲幅約 20%。
