華邦電第三季 EPS 衝 7.58 元、毛利率突破七成!前三季賺逾 15 元 砸 731 億元擴建高雄廠

發佈時間:2026/11/03 · 編輯整理

AI 伺服器需求升溫、記憶體價格大幅上漲,推升華邦電(2344)第 3 季營收與獲利同步創高,單季每股盈餘達 7.58 元,前三季 EPS 累計 15.32 元。公司同步通過 731.63 億元資本支出,擴建高雄 Module B 廠,提前布局 2027 年後的產能需求。

Q3 營收年增 278% 單季淨利 354 億元、EPS 達 7.58 元

華邦電今日(11/3)召開第 3 季法說會,公布亮眼營運成果。受惠 AI 伺服器需求強勁,以及記憶體價格大幅調升,第 3 季合併營收達 823.31 億元,季增 37.6%、年增 278.2%,改寫單季歷史新高。

獲利方面,第 3 季營業毛利達 581.01 億元,毛利率攀升至 70.6%,較前一季增加 4 個百分點,較去年同期大增 24 個百分點。營業淨利達 437.84 億元,季增 51.1%、年增 10.8 倍,營業利益率達 53.2%。

單季歸屬母公司業主淨利達 354.22 億元,較去年同期的 29.43 億元大幅成長,單季每股盈餘(EPS)達 7.58 元,優於第 2 季的 5.4 元及去年同期的 0.65 元;今年前三季 EPS 累計達 15.32 元。

記憶體本業毛利率達 73.9% 晶圓產能利用率接近滿載

華邦電執行副總范祥雲指出,隨著記憶體價格明顯上漲,公司營收結構也出現變化。第 3 季客製化記憶體事業占合併營收比重升至 58%,快閃記憶體(Flash)占 32%,邏輯產品(新唐科技)則占 9%。

其中,記憶體本業第 3 季毛利率進一步升至 73.9%,營業淨利率達 59.8%,晶圓產能利用率整季維持接近 100%,顯示目前產能供應相當吃緊。

董事會通過 731.63 億元資本支出 高雄 Module B 廠 12 月 29 日動工

除了獲利創高,華邦電也宣布重大擴產計畫。董事會已通過總額 731 億 6,300 萬元的資本支出預算,預計自今年 11 月起陸續投入,用於南科高雄園區 12 吋晶圓廠擴建、廠務設施及生產設備購置。

總經理陳沛銘表示,高雄 Module A 廠預計今年底將月產能提升至 2.4 萬片,明、後年維持滿載。至於高雄 Module B 廠,預計 12 月 29 日舉行動工儀式,此次核准的資本支出將用於土建、機電工程,以及長交期設備預訂。

Module B 廠無塵室規劃月產能達 5 萬至 6 萬片,並全面導入最新 16 奈米製程。相關投資將透過公司自有資金及銀行融資支應,目的是因應客戶長期產能需求,強化未來供貨能力。

16 奈米製程明年下半年貢獻逾四成業績 3D DRAM 預計 2027 年量產

在先進製程布局方面,華邦電 16 奈米製程已於年底開始投片,預計 2027 年下半年對公司業績貢獻將超過 40%。隨著製程推進,每片晶圓可產出的位元數也將顯著增加,有助於提升產能效率及產品競爭力。

外界關注的 3D DRAM(CUBE)技術,陳沛銘表示,目前開發進度順利,預計將按照原定規畫於 2027 年量產。

此外,華邦電收購英飛凌 NOR Flash 與 F-RAM 事業案,目前仍在進行各國反壟斷審查,預計 2027 年下半年完成交割。未來相關團隊將以獨立品牌「Spansion」運作,與華邦電既有業務雙軌並進。

AI 需求支撐長線成長 公司看好 2027~2028 年供需更緊

展望後市,陳沛銘指出,雖然第 4 季傳統消費性電子市場出現季節性修正,但 AI 相關需求仍相當強勁,客戶合約價格也陸續調漲。

公司觀察,業界普遍預期 2027 年至 2028 年記憶體供需緊張程度可能較 2026 年更加劇烈。華邦電將持續運用多元產品組合與產能布局,聚焦高獲利策略客戶,並透過高雄新廠及 16 奈米製程提升長期供貨能力。

在 AI 需求帶動記憶體價格與產能利用率同步走高之際,華邦電本季獲利已顯著反映景氣回升;後續 731 億元擴產計畫的執行進度,以及新製程與新技術的量產貢獻,將成為公司下一階段成長的重要觀察指標。

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