伺服器需求強勁，DRAM、NAND 價格大漲；華邦電 Q3 轉虧為盈
📈 伺服器需求爆發 Q3 帶動記憶體原廠營收創歷史新高
受惠於第三季 NAND、DRAM 兩大產品線價格明顯回升，以及伺服器市場對高階記憶體需求的強勁成長，三星電子與 SK 海力士等主要原廠在 2025 年第三季的記憶體業務營收雙雙創下歷史新高，整體獲利能力顯著提升。
根據最新財報顯示，伺服器用 DDR5、LPDDR5X、HBM3E、eSSD 等高附加價值產品的銷售大幅成長，帶動原廠庫存快速消化。原廠也進一步調整產能結構，將更多資源投入至高毛利伺服器市場，使 DRAM 與 NAND 整體供應增幅受限。
💹 原廠合約價強勢上漲 DRAM、NAND 漲幅最高逾四成
據部分原廠近期釋出的臨時合約報價顯示，原廠展現強勢拉漲態度，涵蓋伺服器、手機及 PC 等應用市場的 DRAM 與 NAND 產品，價格漲幅普遍達 20％，部分更超過 40％。
雖然合約價尚未全面落地，但伺服器市場持續釋出大量追加訂單，且對價格承受度更高，使得供應端產能更加集中於伺服器領域。相對之下，手機與 PC 終端客戶在供應與價格談判上顯得被動，進一步推升市價。
🏭 消費性市場供應吃緊 現貨價持續走高
由於原廠產能重心轉向伺服器市場，mobile、PC 及現貨市場的供應明顯受限，DRAM 與 NAND 現貨價格強漲。業界預期，未來一段時間內現貨市場供應緊縮、價格走高將成為常態。
上游晶圓報價亦同步調漲：
NAND Flash 晶圓：1Tb QLC、1Tb TLC、512Gb TLC、256Gb TLC 最新報價分別為 7/ 7.5 / 5.2 / 4.5 美元。
DDR4：16Gb 3200 / 16Gb eTT / 8Gb 3200 / 8Gb eTT / 4Gb eTT 價格調升至 20 / 6.5 / 8 / 3.4 / 1.35 美元。
DDR5：24Gb Major / 16Gb Major / 16Gb eTT 價格分別上調至 18 / 12 / 7 美元。
💾 通路現貨價格跳漲 供應商惜售、客戶憂心成本壓力
近期通路端 DRAM、NAND 價格頻繁跳漲，現貨流通量稀少，雖然詢價需求旺盛，但通路端廠商普遍惜售，只針對核心客戶提供有限供應。
NAND 暴漲，使 PC 廠商憂心後續供應穩定性與成本壓力，而部分記憶體廠商因年度業績已達標，具備更強的提價底氣，持續挑戰市場對高價 SSD 的接受度。
在 DRAM 部分，隨著 DDR4 顆粒供應長期短缺，PC 終端正加速轉向 DDR5 平台；仍需要 DDR4 的大客戶則只能依賴原廠舊庫存維持少量供應，價格持續上揚。
📊 LPDDR 與 NAND 持續上行 Tier1 客戶獲優先保障
據悉，部分原廠 LPDDR 標案價格已上漲逾 0.5 美元，市場對上游漲價預期強烈。由於 LPDDR 供應滿足率偏低，原廠堅定推升 LPDDR4X 價格。
在 NAND 市場，原廠優先保障 Tier1 客戶需求，相較於一般客戶漲幅較緩，但中小客戶若要獲得有限的供應支持，則必須接受更高的報價。
整體而言，記憶體市場正進入結構性漲價週期。伺服器需求成為推動主力，使 NAND、DRAM 等高階產品漲勢擴散至消費市場。短期內，現貨與通路市場價格仍有續漲空間，全年記憶體供應鏈有望持續受惠。
華邦電 Q3 單季獲利近 30 億元、前 3 季 EPS 共 0.12 元
此外，台灣「DRAM 雙雄」之一的華邦電公布最新財報。由於 DRAM 與 NOR Flash 市況明顯回溫、產品價格上揚，第 3 季華邦電營收 217.7 億元，比上季增長 3.6％，毛利率攀升至 46.7％，稅後淨利則為 29.43 億元、EPS（每股稅後盈餘）0.65 元，轉虧為盈；前三季累計淨利達 5.4 億元、EPS 為 0.12 元。
華邦電表示，目前 DRAM 仍供不應求，預期本季業績可望繼續上揚，並看好因 AI 應用而推升的記憶體需求，2026 年將挑戰營收千億元的目標。
