英特爾、聯電傳攜手推進 3 奈米製程、挖角前 SK 海力士 CEO 執掌先進封裝 劍指台積電 3 奈米版圖

發佈時間:2026/06/21

12 奈米合作加速推進 3 奈米計畫浮上檯面

英特爾(Intel,INTC)在執行長陳立武(Lip-Bu Tan)主導下,正加速重振晶圓代工事業。外媒《WCCFTech》引述 FundaAI 報告指出,英特爾已與台灣第二大晶圓代工廠聯電(2303)深化合作,除了既有 12 奈米平台外,雙方更將攜手開發先進 3 奈米製程,目標直指台積電(2330)在全球晶圓代工市場的領導地位。

報導指出,相關晶片未來將在英特爾位於美國亞利桑那州的晶圓廠生產,合作模式將延續雙方現有 12 奈米計畫,讓聯電得以在不需投入龐大設備資本支出的情況下,切入先進製程市場。

聯電低資本切入先進製程 英特爾試圖挑戰台積電霸主地位

作為台灣第一家晶圓代工廠,聯電長期深耕成熟製程,產品應用涵蓋工業控制、消費電子及通訊等領域。

根據報導,雙方在 3 奈米合作上,將比照 12 奈米合作模式,由英特爾提供製造能力與設備資源,聯電則參與技術開發與客戶服務,希望打造可與台積電 3 奈米製程相抗衡的產品,進一步提升英特爾晶圓代工業務的競爭力與市占率。

市場認為,若計畫順利推進,將成為英特爾重返全球晶圓代工競爭的重要里程碑,也為原本由台積電主導的先進製程市場增添新的變數。

12 奈米平台鎖定 IoT 與 WiFi 市場 2027 年底量產

目前雙方在 12 奈米平台的合作進度已逐漸明朗。該製程主要瞄準物聯網(IoT)、WiFi 晶片以及其他網通應用市場。根據規劃,2026 年將向客戶提供製程設計套件(PDK),協助客戶展開產品設計,並預計 2027 年初完成產品投片(Tape-out),以 2027 年底正式量產為目標。

分析指出,12 奈米平台將成為英特爾晶圓代工服務(IFS)擴大客戶基礎的重要產品,而 3 奈米合作則代表雙方合作關係正由成熟製程進一步延伸至尖端技術領域。

李錫熙重返英特爾 執掌先進封裝與 3D 堆疊技術

另一方面,英特爾也持續延攬半導體重量級人才。英特爾宣布,前 SK 海力士(SK Hynix)執行長李錫熙(Lee Seok-hee)正式回鍋,出任英特爾晶圓代工事業執行副總裁(EVP),直接向陳立武負責,主管先進封裝業務。

李錫熙將負責推動 2.5D 封裝技術 EMIB-T(Embedded Multi-die Interconnect Bridge)及下一代 3D 高密度混合鍵合(HBI)技術量產化,協助英特爾擴大高效能運算與 AI 晶片布局。

陳立武表示:李錫熙擁有豐富的大型技術與製造組織管理經驗,能夠整合邏輯晶片、記憶體與網路技術,協助客戶打造高效能運算平台。

曾領導 SK 海力士四年 李錫熙具 32 奈米開發經驗

李錫熙曾於 2018 至 2022 年間擔任 SK 海力士執行長,其後出任 Solidigm 董事長及技術顧問,2023 年底至 2026 年 5 月則擔任 SK On 總裁。

事實上,他早在 2000 至 2010 年 間便曾任職於英特爾,負責製程整合業務,並主導 32 奈米電晶體技術開發。

李錫熙在 LinkedIn 上表示:「陳立武的願景、以客戶為中心的理念與執行力,是吸引我重新加入英特爾的重要原因。我很榮幸能夠回歸,並已準備好立即投入工作。」

未來,李錫熙將負責先進封裝領域,而資深副總裁 Naga Chandrasekaran 則繼續主管前段製程研發與製造。

持續網羅業界大將 三星、SK 海力士人才相繼加入

近幾個月來,英特爾積極強化晶圓代工團隊。除了延攬李錫熙外,今年四月也找來曾任三星電子(Samsung Electronics)晶圓代工事業部行銷主管的韓勝勳(Sean Han)出任副總裁,負責英特爾晶圓代工行銷業務。

市場人士認為,隨著陳立武接掌英特爾後持續補強人才與技術布局,再加上與聯電的合作逐漸深化,以及美國政府積極推動半導體製造回流,英特爾正試圖重塑晶圓代工版圖,向台積電的領先地位發起挑戰。

不過,目前有關 3 奈米合作的細節主要來自外媒與研究機構報告,英特爾與聯電尚未正式對外公布相關計畫,未來是否能順利量產並形成實質競爭,仍有待後續發展觀察。

另外,也有觀點指出,即使雙方合作順利、有所成果,首當其衝的並非技術優勢瑤瑤領先競爭對手的台積電,而是三星的晶圓代工事業。

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參考資料

編輯整理:Celine