力積電攜手美光衝刺先進 DRAM，1P 製程拚 2028 年量產；力積電遭外資賣超第一
利基型 DRAM 晶圓代工廠力積電（6770）近日於法說會中宣布，公司與美光（Micron）合作開發的 1P 製程已正式進入研發階段，新一代機台預計於 2027 年第 1 季進駐，並於 2028 年上半年完成試產、下半年進入量產。1P 製程在單位晶圓的記憶體顆粒數可達現行主力平台的 2.5 倍，將大幅提升未來 DRAM 產出與產值。
台股爆量震盪 外資出脫力積電最多張、股價重挫
在個股表現方面，力積電股價昨日（4/23）震盪劇烈，開高後翻黑，盤中一度觸及 59.1 元，終場重挫逾 7% 至 52.9 元。
整體台股方面，加權指數收在 37714.15 點，下跌 0.43%，單日成交量爆出 1.4 兆元歷史天量，K 線留下長上影線，顯示高檔賣壓沉重。
昨日台股成交量前五名的個股（不含 ETF），力積電排名第五高，前四名依序為群創（3481）、友達（2409）、聯電（2303）、旺宏（2337）。
籌碼面顯示，三大法人合計賣超 212.18 億元，其中外資由買轉賣，主要調節力積電約 4.9 萬張、群創約 3.3 萬張、友達約 2.9 萬張，顯示資金在高檔出現明顯獲利了結跡象。
HBM 後段製程加速布局 2027 年拚量產
除了前段製程突破，力積電亦同步推進高頻寬記憶體（HBM）後段晶圓製造（PWF）產線。
目前新竹廠區已完成無塵室擴建，預計 2026 年第 3 季開始搬入機台、第 4 季展開試產，2027 年第 4 季進入量產；初期規劃月產能達 2 萬片，顯示公司積極卡位 AI 記憶體供應鏈。
記憶體供給吃緊延續 價格調漲效應 6 月顯現
力積電總經理朱憲國指出，全球記憶體市場供給缺口可能延續至 2026 年下半年。
在需求強勁支撐下，公司已於 3 月大幅調升 DRAM 代工價格、4 月調漲 NAND Flash 投片報價，預期漲價效應將自 6 月開始反映於營收與獲利表現。
此外，除了既有的 SLC 產品外，公司也與客戶合作開發 MLC 製程，預計今年底完成開發，2027 年上半年可供客戶設計定案，進一步拓展產品組合。
AI 需求撐盤 長線動能仍受關注
儘管力積電短線股價承壓，但在 AI 帶動記憶體需求持續升溫下，公司透過先進製程與 HBM 布局，正逐步提升在高階記憶體市場的戰略地位。
市場普遍認為，在供給仍偏緊與價格上行趨勢延續下，相關廠商中長期基本面仍具支撐力。
