外資齊聲看多 DRAM、NAND 缺貨至 2028 年,台股記憶體族群反彈;鈺創亮紅燈、青雲大漲

發佈時間:2026/07/06 · 編輯整理

利空陰霾散去 記憶體股強勢反彈

近期記憶體產業接連遭遇韓國大規模擴產、Meta 釋出閒置 AI 算力等利空消息衝擊,導致全球記憶體概念股一度大幅修正。不過,多家國際外資最新研究報告一致指出,市場對相關消息反應過度,AI 驅動的記憶體超級週期並未結束,供需失衡格局甚至可能延續至 2028 年。

受到外資看多報告激勵,台股記憶體族群今日(7/6)上演反彈走勢,鈺創(5351)攻上漲停,記憶體通路商青雲(5386)盤中也一度亮紅燈,尾盤收漲 5.35%至 443 元。「DRAM 雙雄」南亞科(2408)、華邦電(2344)盤中一度大漲逾 8%,雖然後來漲勢收斂,華邦電甚至小跌 0.81%,但仍帶動整體記憶體族群重返市場焦點。

NOR Flash 大廠旺宏(2337)終場小幅上漲 1.4%,DDR3 大廠晶豪科(3006)則上揚 3.55%至 219 元;模組廠部分的表現相當分歧,創見(2451)、宜鼎(5289)、十銓(4697)、宇瞻(8271)皆收漲,但威剛(3260)、廣穎(4973)均收黑。

野村:AI 需求遠未見頂 市場誤判供需現況

日前南韓政府聯手三星電子與 SK 海力士宣布高達 4800 兆韓元的半導體投資計畫,其中約 3,700 兆韓元直接投入記憶體產業;同時,Meta 宣布將部分閒置 AI 算力對外出租,引發市場對 AI 基礎建設需求放緩的疑慮。

不過,野村證券認為,市場錯誤將長期產能投資與短期供需混為一談。野村指出,目前全球記憶體市場真正面臨的是供給不足,而非產能過剩。HBM 持續排擠一般 DRAM 與 NAND 產能,但新晶圓廠建置至量產往往需五至十年,因此,短期供需緊張格局並未出現改變。

野村進一步表示,Meta 出租 AI 算力反而代表 AI 商業模式逐步成熟,有助於降低 AI 運算成本,進一步刺激更多 AI 應用落地,長期反而有利於記憶體需求成長。

野村強調:「全球記憶體產業仍處於 AI 驅動的結構性超級週期中,近期股價修正反而提供投資人重新評價產業的機會。」

大摩:NAND 將缺貨至 2027 年 偏好原廠供應商

摩根士丹利(Morgan Stanley)最新 NAND 產業報告則指出,AI 需求推動下,全球 NAND 市場供給短缺將至少延續至 2027 年,後續是否恢復平衡,則需觀察 2028 年後的供給紀律。

大摩認為,在記憶體產業中,DRAM 優於 NAND,原廠供應商優於模組廠;在台廠布局方面,大摩持續偏好旺宏、華邦電優於大盤,目標價分別喊至 220 元、288 元,並將旺宏列為「大中華區半導體首選股」;群聯(8299)則評為「中立」,目標價上看 2588 元。

瑞銀:DRAM 供需失衡恐創 30 年來最嚴重紀錄

瑞銀(UBS)則進一步大幅上修記憶體價格估值,預測 DRAM 價格預估 2026 年第三季還會上漲 32%,並估計 NAND 價格同季則還有 30%上漲空間。

瑞銀指出,2027 年 DRAM 需求成長率將達 36.2%,同期供給成長僅 19.3%,供需缺口將擴大至 13.6%,此種供需失衡程度堪稱近 30 年來罕見。

瑞銀預估,2026 年全球記憶體產值將達 9920 億美元,2027 年將進一步攀升至 1.76 兆美元。

三大記憶體巨擘同步擴產 AI 需求成核心動能

面對 AI 帶動的長期需求,美光(MU)、三星電子與 SK 海力士正同步啟動新一輪擴產。

根據《彭博》報導,美光日前於日本廣島正式擴建新廠,投資金額 1.5 兆日圓(約 93 億美元)主要生產 HBM 等高階記憶體,預計 2028 年量產。此外,美光也同步在美國愛達荷州、紐約州錫拉丘茲布局新世代記憶體的產能。

至於南韓的三星、SK 海力士,各自規劃新增兩座記憶體晶圓廠,合計投資達 800 兆韓元(約 5223 億美元),成為南韓政府「超級半導體工程」核心項目。

現貨市場兩極化 DDR5 止跌、DDR4 續弱

根據中國記憶體的最新市場調查,今年第二季記憶體現貨市場已出現明顯分化,企業級 SSD、DDR5 及 LPDDR4X / LPDDR5X 持續走強,通路 SSD、DDR4 記憶體模組則持續疲弱

自 6 月中旬起,DDR5 開始止跌反彈,LPDDR4X、LPDDR5X 價格也同步回升。市場認為,高階產品需求已與傳統 PC、DIY 市場正式脫鉤。

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參考資料