AI 記憶體戰火升溫 三星、SK 海力士研發支出最高暴增 68％
隨著人工智慧（AI）記憶體競爭持續白熱化，韓國兩大記憶體巨擘三星電子與 SK 海力士今年第一季研發（R&D）支出同步大幅攀升，其中 SK 海力士研發費用年增幅更高達 68.3%，反映高頻寬記憶體（HBM）與次世代 AI 半導體技術競爭已全面升級。
三星 Q1 研發費用突破 11 兆韓元 年增 25.5％
根據兩家公司 15 日公布的季度報告，三星電子今年第一季研發支出達 11.3374 兆韓元，較去年同期 9.0327 兆韓元大增 25.5%。
三星指出，第一季重要研發成果之一為第六代高頻寬記憶體 HBM4。公司今年 2 月已宣布啟動 HBM4 量產出貨，產品採用 10 奈米級第六代 1c DRAM 製程生產。
其中，HBM 堆疊架構底部負責電源與訊號控制的 Base Die，則由三星晶圓代工 4 奈米製程打造。目前三星也同步開發 HBM4E，預計第二季內提供首批樣品。
三星擴大 AI 與系統半導體布局
除了 HBM4 之外，三星第一季也完成 PCIe 6.0 介面伺服器 SSD「PM1763」開發，同時推出整合三種衛星通訊技術的 Exynos 5410，以及中階手機 AP Exynos 1680 等新品。
資本支出方面，三星第一季整體設備投資達 11.2332 兆韓元，其中半導體事業 DS 部門占 10.1927 兆韓元，占比超過 90%。
相關資金主要投入強化記憶體次世代技術競爭力、因應中長期 AI 需求成長，以及擴充系統半導體先進製程產能。
三星也透露，今年在設備與研發投資總額將超過 110 兆韓元，重點聚焦 AI 半導體技術升級，以及機器人等新事業併購。
全永鉉今年三月於三星第 57 屆股東會表示，今年設備投資將較去年顯著增加，公司將進一步強化次世代製程與核心技術的前瞻研發。
SK 海力士研發支出暴增 68％ HBM4E 瞄準明年量產
另一方面，SK 海力士第一季研發支出達 2.5505 兆韓元，較去年同期 1.5151 兆韓元大增 68.3%，創下歷史高檔。
若以第一季營收 52.5763 兆韓元計算，研發費用占營收比重約 4.9%。
以細項來看，人事成本 1.3571 兆韓元，占比最高，其他費用 8612 億韓元，委外服務費 1603 億韓元，折舊費 1434 億韓元，原材料費 284 億韓元；其中約 990 億韓元被列為無形資產，其餘 2.4515 兆韓元列為當期費用。
市場分析，自去年第四季起，SK 海力士研發費用便首度突破 2 兆韓元，顯示 AI 記憶體需求爆發後，公司正全面加大 HBM 相關投資力度。
資料顯示，2022 年至 2024 年間，SK 海力士單季平均研發費用約僅 1.11 兆韓元。
HBM4E 成下一戰場 兩大韓廠全面卡位
SK 海力士目前也正積極開發 HBM4E，目標於今年下半年提供樣品，並在明年正式量產。
公司表示，HBM4E 使用的 Base Die 將依照客戶需求，採用符合效能要求的先進製程打造，而核心 Die 則將導入 1c 奈米製程。
不過，目前 HBM4 本身尚未正式進入量產出貨階段。業界指出，隨著 AI 伺服器、高效能運算（HPC）與大型語言模型需求快速成長，HBM4 與 HBM4E 已成為全球記憶體大廠下一輪技術競賽核心。
AI 擴產同步加速 SK 海力士 Q1 資本支出增 22％
除了研發投入外，SK 海力士也同步擴大產能建設，第一季設備投資金額達 7.3478 兆韓元，較去年同期 6.2842 兆韓元增加 21.9%。
其中，以建設中的半導體工廠等資產占比最高，金額約 6.0249 兆韓元；此外，公司也新增機械設備 9433 億韓元、建築物 2582 億韓元、土地 745 億韓元及基礎設施 407 億韓元。
市場認為，在輝達（Nvidia）等 AI 晶片需求持續推升下，三星與 SK 海力士正全面加速 HBM、先進 DRAM 與 AI 基礎設施布局，全球 AI 記憶體競爭將進一步升溫。
