黃仁勳喊話「記憶體盡量擴產」 台廠南亞科、華邦電、群聯有望受惠
AI 算力競賽推升 DRAM 與 HBM 需求 輝達大舉備貨加劇供需傾斜
全球 AI 算力競賽持續升溫，輝達（Nvidia）執行長黃仁勳（Jensen Huang）近日向全球記憶體廠商釋出強烈需求訊號，直言即使產業擴大產能，輝達也將「全部吃下」。業界普遍解讀，AI 伺服器對記憶體的需求仍處於快速擴張階段，未來數年供需緊張局勢恐持續存在。
黃仁勳在摩根士丹利科技大會上表示，若記憶體廠商增加產能，輝達將有多少用多少。他甚至形容晶片供給短缺對公司而言是「非常好的消息」，因為在資源有限的情況下，企業客戶往往會直接選擇性能最強的解決方案。
AI 平台升級 HBM 需求快速膨脹
業界指出，輝達對記憶體的強勁需求，主要來自新一代 AI 平台對高頻寬記憶體（HBM）的高度依賴。
目前輝達最新 AI 平台 GB300 所搭載的 HBM 容量已達 288GB，較上一代 GB200 的 192GB 大幅提升。未來進入 Vera Rubin 世代後，HBM 容量雖維持 288GB，但記憶體規格將從 HBM3E 升級至 HBM4，並採用 16 層堆疊設計，相較 HBM3E 的 12 層堆疊製程更加複雜。
由於堆疊層數增加，良率與產能消耗也隨之提高，使每單位 AI 系統所需的 DRAM 資源顯著增加，市場普遍預期將進一步加劇記憶體供給吃緊的局面。
目前全球 HBM 供應主要掌握在三星電子、SK 海力士與美光（Micron）三大 DRAM 廠手中。即便三大廠持續擴產，新增產能仍多集中於 HBM 與資料中心用 DRAM，消費性 DRAM 短期內仍難以大幅增加供給。
記憶體市場出現「傾斜效應」 高階記憶體維持上行趨勢
產業界分析，輝達大量採購 HBM，將使記憶體產業出現結構性「傾斜效應」。三大 DRAM 廠將優先把產能投入 HBM 等高階產品，導致消費型 DRAM 與 NAND 供應相對吃緊。
在供給有限與需求持續成長的情況下，HBM、資料中心用 LPDDR 以及新一代 DDR6 價格預計仍將維持上行趨勢，也為記憶體產業獲利提供強勁支撐。
台灣記憶體供應鏈同步受惠 DRAM 雙雄及群聯皆被看好
儘管台灣廠商並未直接生產 HBM，但在 AI 帶動的記憶體市場結構轉變下，仍有望間接受惠。南亞科（2408）、華邦電（2344）及 NAND 控制晶片大廠群聯（8299）都被市場視為這波記憶體漲價循環的重要受益者。
群聯執行長潘健成指出，原廠 3 月 NAND 合約價格已調漲約五成，顯示市場缺貨情況仍在延續。此外，多家雲端服務供應商（CSP）客戶已主動洽談合作，公司預計 5 月開始出貨相關產品。
法人估計，群聯今年第一季企業級固態硬碟（SSD）營收占比將提升至約三成，較去年第四季的一成明顯增加。
另一方面，南亞科也看好 AI 帶動記憶體需求。公司總經理李培瑛表示，AI 發展正從雲端訓練逐步延伸至終端推論應用，將帶動大量硬體升級需求，而記憶體產能擴充速度有限，使得市場供給持續偏緊。
至於華邦電，今年 2 月營收達 119.73 億元，創下單月歷史新高。法人認為，在供給短缺延續下，公司後續仍有機會調升產品報價，全年營運表現可望逐季走高，並挑戰歷史新高。
