力積電 Q4 營收拚季增雙位數 明年成熟製程再漲價 10%至 20%

Q3 獲利大幅攀升 毛利率升至 48%、EPS 達 1.38 元
晶圓代工廠力積電(6770)看好 AI 需求、記憶體供需吃緊及成熟製程漲價效益,預期第 4 季營收可望季增雙位數。隨著 3D AI Foundry(異質整合與先進封裝代工)相關產線陸續恢復生產,加上較高價格訂單逐步反映在出貨端,營運動能可望自第 4 季起回升,2027 年有機會逐季成長。
力積電舉行線上法人說明會,公布第 3 季營運成果。受惠產品平均售價(ASP)上揚、整體產能利用率提高,以及銅鑼廠產線調整等因素,第 3 季營收達 213 億元,季增 23%;毛利率升至 48%,比第 2 季增加 20 個百分點,稅後淨利達 65 億元,季增 98%,每股純益(EPS)1.38 元,累計前三季 EPS 為 5.42 元。
成熟製程產能供不應求 2027 年代工價格目標再漲 10%至 20%
力積電總經理朱憲國指出,第 3 季 8 吋及 12 吋邏輯代工投片平均售價已調高 8%至 10%。隨著下半年晶圓代工產能普遍滿載,公司除已陸續調整 2026 年代工價格外,2027 年也規劃進一步調漲 10%至 20%,並積極與客戶協商長期合約(LTA),提前鎖定明年的價格與訂單數量。
未來產能分配將優先保障簽訂長約的客戶,以提高產能規劃與營運能見度。電源管理 IC(PMIC)方面,受惠 AI 伺服器及車用需求持續暢旺,55 奈米 BCD 製程已開始出貨,部分客戶更要求簽訂約 3 年長約,以確保供貨穩定。
此外,晶圓代工產能滿載也排擠手機用 PMIC 產能,但手機品牌廠對 2027 年產能需求仍相當積極。功率元件方面,力積電明年 MOSFET 及 IGBT 產能已有約 8 成簽訂長約;氮化鎵(GaN)產品則已小量投片,正等待客戶最終驗證。車用觸控與顯示驅動整合晶片(TDDI)需求同樣維持熱絡,產能短缺及交期延長問題仍待改善。
DRAM 供需失衡持續 與美光合作 1P 製程明年進入試產
記憶體代工也是力積電營運的重要成長動能。公司指出,全球 DRAM 市場仍處於供需失衡狀態,隨著主要記憶體廠積極擴充高頻寬記憶體(HBM)產能,並逐步退出部分利基型 DRAM 市場,利基型記憶體供給持續吃緊,晶圓代工價格可望維持高檔。
力積電與美光(Micron)合作的 DRAM 1P 製程進展順利,相關設備預計 2027 年第 1 季到位,第 2 季進入試產。
朱憲國也指出,由於 DRAM 價格持續上漲,第 3 季實際產出平均售價與當季投片平均售價仍存在逾 30%的落差。隨著較高價格訂單陸續反映在出貨端,預期將有助於推升第 4 季營收表現。
3D AI 代工產線陸續復線 矽中介層年底力拚恢復滿載
在 3D AI Foundry 業務方面,力積電第 3 季受到銅鑼廠設備大規模停線、移機影響,晶圓堆疊及矽中介層(Interposer)產出明顯下滑,連帶壓抑相關營收。
隨著相關設備陸續移至新竹廠並恢復生產,矽中介層產線目前正重新爬坡,預計今年底可望回到先前滿載投片水準。晶圓對晶圓堆疊(Wafer-on-Wafer,WoW)產線也已完成搬遷及復線,目前進入小量投片試產階段,預計 2027 年上半年正式量產。
此外,隨著 AI 伺服器功耗持續提升,傳統多層陶瓷電容(MLCC)在部分高階應用上面臨限制,帶動整合式被動元件(IPD)需求升溫。力積電表示,8 吋及 12 吋 IPD 產品均已進入量產並持續擴產,應用涵蓋 AI 伺服器、高效能運算(HPC)及其他電子產品,需求能見度已延伸至 2028 年。公司預計 2027 年進一步導入 4,500nF 新產品,擴大高階應用布局。
至於與美光合作的晶圓後段表面處理(Post Wafer Finish,PWF)業務,預計 2026 年底前完成試產線設置,2027 年第 4 季進入量產,並自 2028 年起逐步挹注營收。
無塵室空間用盡 評估台灣、新加坡及日本新廠布局
隨著 3D AI 代工及先進封裝需求持續增加,力積電表示,目前無塵室空間已用盡,正針對台灣、新加坡及日本等地進行新廠規劃調研,聚焦 3D AI 代工產能擴張,並與策略客戶評估共同投資的可行性,為 2028 年以後的市場成長預作準備。
另一方面,銅鑼廠預計於 2027 年第 1 季前完成交接給美光。隨著設備搬遷影響逐步淡化、矽中介層與 WoW 產線恢復運作,以及 IPD 產品持續放量,力積電預期第 4 季營收將恢復成長,2027 年營運可望逐季走揚,2028 年再由 PWF 新業務接棒挹注。
整體而言,力積電後續營運將受惠於成熟製程漲價、記憶體代工價格維持高檔,以及 3D AI 先進封裝產線復線等多重因素。公司對 2027 年全年營收與獲利表現抱持樂觀看法,並將持續評估新廠投資,以掌握 AI 基礎設施與先進封裝需求成長的商機。