美光：AI 推動 HBM 需求增長 2027 至 2028 財年存儲供需將進一步趨緊
Celine
美光公布 2026 財年第 4 季財報，截至 2026 年 9 月 3 日止，受惠 AI 基礎建設需求持續擴張、HBM 需求強勁，以及 DRAM、NAND Flash 價格同步上漲，單季營收、毛利率、淨利及自由現金流均創下歷史新高，顯示本輪記憶體景氣已由單一 HBM 需求逐步擴散至整體儲存架構。
美光第 4 季營收達 542.29 億美元，季增 31％、年增 379％；Non-GAAP 毛利率達 87％，營業利益 446.36 億美元，年增逾 10 倍、季增 32.5％；淨利 383.98 億美元，年增約 10.1 倍、季增 33.1％，Non-GAAP 攤薄每股純益（EPS）33.42 美元。
2026 全年營收則達 1331.88 億美元，年增 256％；毛利 1075.04 億美元，毛利率 80.7％；全年淨利 849.69 億美元，年增約 895％。
DRAM、NAND 量價齊揚 ASP 上漲成為獲利主要推手
從產品來看，美光第 4 季 DRAM 營收約 397.7 億美元，占總營收約 73％，季增 27％；bit 出貨量季增 4％至 6％，平均售價（ASP）季增 17％至 19％。
NAND Flash 營收則約 141 億美元，占總營收約 26％，季增 42％；bit 出貨量季增約 10％，ASP 更大漲約 30％。
2026 全年 DRAM 營收約 1006.8 億美元，占全年營收約 76％；NAND Flash 營收約 317.9 億美元，占約 24％。
不過，美光預期進入 2027 年後，記憶體漲價速度將逐步趨緩，未來獲利成長將不再單純依賴 ASP 上漲，而是由價格、bit 出貨量、產品組合，以及先進產品滲透率共同推動。
從四大業務來看，雲端儲存、核心資料中心、行動與客戶端，以及汽車與嵌入式業務第 4 季營收均創歷史新高，顯示記憶體景氣已由 AI 相關產品，逐步擴散至更廣泛的終端市場。
其中，雲端儲存業務營收約 162.83 億美元，季增 18％；核心資料中心業務營收約 180.02 億美元，季增 56％，毛利率約 90％；行動與客戶端業務營收約 131.14 億美元，季增 14％；汽車與嵌入式業務營收約 68.24 億美元，季增 47％。
HBM 仍是 AI 記憶體核心 2027 年產量多數已提前售出
HBM 仍是美光未來數年最重要的成長產品之一。管理層指出，第 4 季 HBM 營收增速高於公司整體營收，且 2026 年 HBM 價格早已在前一年與客戶協商確定。
目前美光已有絕大部分 2027 年 HBM 產量提前售出，價格也明顯高於 2026 年。隨著 HBM 價格持續走高，其與傳統 DRAM 產品之間的利潤率差距正在縮小。
產品布局方面，美光將持續推進 HBM3E、HBM4 及 HBM4E，並與輝達合作開發客製化 HBM4E 產品，以因應下一代 GPU 與 AI 運算平台需求。
更重要的是，AI 帶來的記憶體需求已不再局限於 HBM。隨著 AI 模型規模擴大、上下文窗口延長及同時運行的 AI 工作負載增加，從 HBM、伺服器 DRAM 到資料中心 SSD，整個記憶體與儲存層級都將受惠。
美光預期，2026、2027 財年伺服器單位出貨量均可維持約 17％至 19％成長，進一步支撐 2028 年資料中心 DRAM 需求。即使部分伺服器平台可能透過降低單機記憶體容量來控制成本，管理層仍認為，這主要是為提高整體伺服器出貨量，並不會改變 AI 長期對更大容量及更高效能記憶體的需求。
資料中心 SSD 營收暴增逾 10 倍 AI 記憶體需求成 NAND 新引擎
除了 HBM 之外，資料中心 SSD 正成為美光 NAND Flash 業務另一條重要成長曲線。
美光 2026 財年第 4 季資料中心 SSD 營收約 100 億美元，已達去年同期 10 倍以上，占 NAND Flash 總營收約三分之二。隨著 AI 模型需要儲存大量上下文資料，以及部分傳統 HDD 儲存需求逐步轉向 SSD，資料中心 SSD 可服務市場持續擴大。
美光也將持續增加 NAND 研發及製造投資，包括 G9 NAND 技術轉換、提升設備生產效率，以及擴大新加坡 NAND 產能。
換言之，AI 目前已同時帶動 HBM、伺服器 DRAM 與資料中心 SSD，記憶體產業的成長邏輯正從過去單一產品需求，轉向整個 AI 儲存架構的結構性需求。
美光示警 2027、2028 年供需更緊 新增產能仍難立即填補缺口
此次法說會另一項重要訊息，是美光對未來兩年記憶體供需的看法更加偏緊。
管理層預期，2027 及 2028 年記憶體需求都將超過產業供給，而且供需緊張程度將高於 2026 年。即使 2028 年新增潔淨室陸續投入使用，市場供應仍可能維持吃緊，目前並沒有明確看到供需恢復平衡的時間點。
NAND Flash 方面，2026 年產業 bit 出貨量預估成長超過 20％，展望 2027 至 2028 財年，產業 bit 出貨量成長率可能維持約 25％，供給連續兩年處於偏緊狀態。
DRAM 方面，2026 年產業 bit 出貨量預估成長約 20％中段，2027 至 2028 年則預期維持 20％出頭的成長幅度；同時，HBM bit 出貨成長率仍將高於傳統 DRAM。
供給端的限制主要來自新廠建設週期、HBM 產品升級，以及先進製程帶來的生產效率提升逐漸下降。
另一方面，HBM 由 HBM3E 升級至 HBM4、HBM4E 後，單位產能所需晶圓資源增加，也會進一步影響傳統 DRAM 的供給成長。此外，未來製程微縮所帶來的每片晶圓 bit 增量也可能下降，使產能擴充更難完全跟上需求。
因此，美光管理層直言，目前仍無法明確預測供給何時能夠追上需求。
FY2027 資本支出大增 重心轉向潔淨室與新廠建設
為因應未來數年的 AI 記憶體需求，美光正在提前擴充產能。公司預估，2027 第 1 季資本支出約 115 億美元，上半年約 250 億美元，下半年還會進一步提高。
值得注意的是，新增資本支出的重心正逐漸由單純採購設備，轉向廠房及潔淨室建設。美光希望先建立可支撐未來產能的基礎設施，再根據實際需求彈性配置設備。
目前美光全球產能布局包括美國愛達荷一號廠預計 2027 年年中開始產出晶圓、愛達荷二號廠預計 2028 年底開始產出；日本新 DRAM 廠預計 2028 年底初步投產；新加坡 HBM 先進封裝設施預計 2027 年初啟用；新加坡新 NAND 廠預計 2028 年下半年投產；紐約新廠則預計 2030 年投產。
不過，新廠從第一片晶圓產出到形成大規模有效產能仍需要數個季度，因此上述新增產能對 2027、2028 年市場供需的改善將是逐步發生。
FY2027 Q1 毛利率估為全年低點 後續獲利有望逐步回升
美光對 FY2027 第 1 季給出的 Non-GAAP 營收指引為 600 億至 630 億美元，Non-GAAP 毛利率約 86.25％。
雖然毛利率較 FY2026 第 4 季略為下降，但管理層明確指出，FY2027 第 1 季將是全年毛利率低點，主要原因並非需求轉弱，而是成本認列時間差。
FY2026 第 4 季美光提高激勵薪酬，其中部分製造相關成本先計入存貨，對當季毛利率影響有限；隨著這些較高成本庫存於 FY2027 第 1 季銷售，相關成本將轉入銷貨成本。管理層預估，僅激勵薪酬、啟動成本及其他因素，就可能讓 FY2027 第 1 季成本增加約 10 億美元。
美光第 4 季期末庫存約 104 億美元，存貨周轉天數 129 天，季增 9 天，主要受到舊製程節點停產前提前備貨，以及製造相關激勵薪酬計入存貨影響。
不過，隨著相關成本影響逐步消退，加上產品價格上漲及營運效率改善，美光預期第 1 季之後毛利率將逐步回升。未來價格漲幅雖將趨緩，但產品組合改善、規模效應及營運效率將成為獲利成長的重要來源。
美光看好至少至 2028 年供給受限 記憶體景氣進入結構性循環
綜合美光最新財報與法說會訊息，本輪記憶體景氣循環與過去單純由庫存、價格驅動的週期已有明顯不同。
需求端，AI 同時推升 HBM、伺服器 DRAM 與資料中心 SSD 需求，美光 2027 年大部分 HBM 產量已提前售出，且價格高於 2026 年；公司 2027 年超過 75％產能也已獲客戶承諾，部分客戶需求甚至延伸至 2028 年、2030 年以後。
供給端則受到新潔淨室建設週期長、HBM 升級消耗更多晶圓資源，以及製程微縮帶來的 bit 增量下降等因素限制。即使記憶體大廠持續增加資本支出，新產能也需要經歷數個季度爬坡，短期難以完全填補需求缺口。
因此，美光管理層預期，FY2027 及 FY2028 年記憶體供需都將比 FY2026 更加緊張，目前仍看不到明確的供需平衡時間點。
在這一背景下，市場關注焦點也將從過去的「記憶體價格還能漲多少」，逐步轉向 AI 需求能否延續、HBM 與傳統 DRAM 供給釋放速度、2027 至 2028 年實際供需缺口，以及新廠產能爬坡速度。
對美光而言，強勁的獲利與自由現金流，讓公司得以在大幅擴充潔淨室與產能的同時推動股票回購與資本回報。若 AI 伺服器、HBM 及資料中心 SSD 需求持續成長，本輪記憶體景氣循環的時間長度與獲利規模，可能都將有別於過去傳統週期。
