SK 海力士 7/10 美股上市、擬募資 296 億美元 擴產 HBM 與先進封裝
Celine
發行 1779 萬股新股赴納斯達克掛牌 募資規模約 45 兆韓元
南韓記憶體大廠 SK 海力士（SK hynix）正式啟動美國上市計畫。SK 海力士 24 日宣布，已提交美國存託憑證（ADR）發行相關股權證券申報文件，計畫以第三方配售方式發行最多 1,779 萬股普通股，約占目前已發行股本的 2.5%，預計募資總額高達 45.4534 兆韓元（約 296 億美元；折合新台幣約 1 兆元）。
IDC 統計數據指出，2026 年第一季，SK 海力士占全球 HBM（高頻寬記憶體）出貨量的 56.4％，市占率超過一半。這次 SK 海力士決定赴美上市，自然被視為資本市場的重大事件。
根據規劃，公司將於 7 月 6 日完成證券申報生效程序後，提交投資說明書並展開 ADR 詢價圈購（Bookbuilding），同步針對海外機構投資人舉行路演（IR），確認市場需求。
SK 海力士預計於 7 月 10 日確定發行價格，並完成承銷合約簽署，ADR 將於美國時間 7 月 10 日在納斯達克指數掛牌交易，募資款項則將於 7 月 14 日完成繳納。
豪砸 56 兆韓元擴產 AI 基礎設施投資全面加速
此次募得資金將全數投入大規模資本支出（CAPEX），SK 海力士規劃總計投入 55.9196 兆韓元，用於擴建高頻寬記憶體（HBM）與下一代 AI 記憶體產能。
其中的主要投資項目，包括龍仁半導體園區第一座晶圓廠第一階段（投資 9.4115 兆韓元，目標於 2027 年第一季啟用無塵室），以及龍仁園區第二至第六階段建設（投資 21.6081 兆韓元，預計 2030 年底前陸續完成無塵室建設），還有清州 P&T7 先進封裝廠（投資 19 兆韓元，預計 2027 年底啟用）、美國印第安納州先進封裝廠（投資 5.9 兆韓元，預計 2028 年下半年啟用）。
隨著全球 AI 資料中心需求持續爆發，SK 海力士正加速布局 HBM 與先進封裝產能，以鞏固其在 AI 記憶體市場的領先地位。
手握 35 兆韓元現金仍選擇增資 瞄準百兆韓元淨現金目標
值得注意的是，截至 2026 年第一季末，SK 海力士已持有超過 35 兆韓元的淨現金部位，但公司仍決定透過 ADR 增資募資。
SK 海力士表示，AI 基礎建設快速擴張帶來龐大的投資需求，公司希望提前籌措資金，確保未來 HBM 及次世代 AI 記憶體擴產計畫順利推進，同時建立更穩健的財務結構，以因應未來記憶體產業可能再度進入景氣循環下行階段。
公司中長期目標是將淨現金規模提升至 100 兆韓元以上，進一步強化財務韌性與全球競爭力。
增資恐稀釋股東權益 持股比例最多下降 2.44%
不過，大規模增資後，也代表既有股東將面臨股權稀釋的壓力。若 1779 萬股新股全數發行完成，現有股東持股比例將下降約 2.44%。
市場分析指出，雖然短期可能對股價帶來稀釋疑慮，但考量 AI 產業對 HBM 與高階記憶體需求仍處於高速成長階段，SK 海力士藉由提前募集資金、大舉擴充產能，有望進一步鞏固其與三星（Samsung Electronics）及美光（Micron）競爭的優勢地位，並持續受惠全球 AI 基礎設施建設浪潮。
