SK 海力士斥資 5500 億元新台幣向艾司摩爾（ASML）購買 EUV 光刻機，創最大單筆訂單紀錄

發佈時間：2026/03/25

SK 海力士攜手艾司摩爾提前卡位產能　瞄準次世代 DRAM 與 HBM 主導權

南韓記憶體大廠 SK 海力士宣布，將於未來兩年斥資約 11.95 兆韓元（約新台幣約 5500 億元），向荷蘭的半導體設備龍頭艾司摩爾（ASML）採購極紫外光（EUV）微影設備，交易將持續至 2027 年底，成為目前公開最大規模 EUV 訂單之一，突顯 AI 時代下高階記憶體競爭白熱化。

EUV 設備為先進半導體製程核心，其 13.5 奈米波長僅為傳統 ArF 光源的約 1/13，可實現更精細的電路製作。目前全球僅艾司摩爾具備量產能力，技術門檻極高。

業界估算，單台 EUV 設備價格可達 3000 億至 5000 億韓元不等，本次訂單規模相當於取得約 20 至 30 台設備，並涵蓋設備安裝與改造成本，約占 SK 海力士總資產近一成。

此次大規模投資與 SK 海力士加速導入第六代（1c）DRAM 製程密切相關。相較目前 1b 製程，1c 技術將進一步提升晶體密度與效能，並應用於下一代 HBM 產品，包括 HBM4E 及後續 AI 記憶體產品。

隨著輝達（NVIDIA）等 AI 晶片需求爆發，高頻寬記憶體（HBM）供不應求，帶動記憶體廠加速擴產與技術升級。市場分析指出，EUV 設備將同時支援先進 DRAM 與 HBM 量產，是搶占 AI 供應鏈的關鍵資產。

在產能規劃上，相關 EUV 設備將分批導入 SK 海力士位於清州的 M15X 新廠及正在建設中的龍仁半導體園區首座晶圓廠。

其中，M15X 第二潔淨室已提前開放，設備導入時程較原計畫提前約兩個月；龍仁園區首座晶圓廠潔淨室啟用時間也由原訂的 2027 年 5 月提前至 2 月，顯示公司正積極因應 AI 帶動的需求爆發。

分析師指出，本次採購除了滿足未來產能需求外，更具「鎖定設備供應」戰略意義。由於 EUV 設備交期長達一年以上，提前下單有助於確保 2026 至 2027 年產能順利開出。

目前包括三星電子與美光（Micron）等主要記憶體廠也積極擴產，在 AI 基礎建設快速擴張下，HBM 等高階記憶體需求持續吃緊。

整體而言，隨著 AI 算力需求推升半導體製程邁向極致微縮，EUV 設備已成為兵家必爭資源。SK 海力士此次大手筆投資，不僅強化其在高階記憶體市場的競爭力，也為下一世代技術競賽提前卡位。

編輯整理：Celine