SK 海力士 2026 年引進 Hi-NA EUV,開發尖端記憶體技術
發佈時間:2024/08/19
為什麼重要
SK 海力士引進 Hi-NA EUV 裝置將直接提升其在尖端記憶體技術領域的競爭力,影響全球記憶體市場格局。
三星和 SK 海力士的投資決策將促進半導體製造裝置供應商,特別是 ASML 的業務增長。
背景故事
#High-NA EUV、#EXE:5000、#三星
High-NA EUV 技術是下一代極紫外光刻技術,能夠提供更高的解析度和生產效率,適用於更先進的半導體製程。
ASML 推出的首款 High-NA EUV 裝置「EXE:5000」標誌著這項技術的商業化程式,售價高達 3.8 億美元。
三星已計劃於 2025 年 Q1 引入「EXE:5000」,顯示領先半導體製造商對於採用先進製程技術的迫切需求。
發生了什麼
#SK 海力士、#0a DRAM、#研發團隊
SK 海力士宣佈計劃於 2026 年引進 Hi-NA EUV 裝置,用於開發尖端記憶體技術。
該技術將首次應用於 0a(個位數奈米級 DRAM)的量產,目標實現 2 奈米工藝。
為加速技術開發,SK 海力士正在建立新的研發團隊並擴充人員。
接下來如何
#計劃揭露、#全球競爭力、#技術競賽
SK 海力士將進一步揭露具體計劃,包括晶圓廠引進裝置和追加投資的細節。
Hi-NA EUV 技術的成功開發和應用將提升 SK 海力士在全球半導體市場的競爭力。
預期 SK 海力士與其他半導體製造商之間的技術競賽將進一步加劇。
他們說什麼
ASML CEO 彼得·韋寧克(Peter Wennink)表示,High-NA EUV 技術是半導體行業邁向更高生產效率和更小製程節點的關鍵。
SK 海力士研發負責人強調,引進 Hi-NA EUV 技術是公司實現技術領先和滿足未來市場需求的重要策略。
提到的股票
概念股
參考資料
編輯整理:Ethan Chen