三星引進首臺 High-NA EUV 光刻機，預計 2025 年量產
發佈時間：2024/08/15
為什麼重要
三星引進 EXE:5000 將提升其晶圓代工業務的生產能力和技術水平，直接影響半導體產業的競爭格局。
發生了什麼
#High-NA EUV、#晶圓代工、#合作開發
三星計劃在 2024 年底或 2025 年 Q1 引入首臺 High-NA EUV 光刻機「EXE:5000」，預計將用於晶圓代工業務。
ASML 僅製造了 8 臺 EXE:5000 裝置，其中多臺已被 Intel 預定。
三星正與日本裝置廠 Lasertech 合作開發 High-NA 光罩檢測裝置，並與新思科技、JSR、東京電子等公司在 High-NA EUV 技術領域進行合作。
背景故事
#13.5 奈米波長、#技術進步
High-NA EUV 裝置需要處理 13.5 奈米波長的 EUV 光，安裝過程複雜且耗時，即便三星能在年底引進，最快也要到 2025 年上半年才能開始實際的晶圓生產。
使用 High-NA EUV 檢測半導體光罩後，對比度可改善 30% 以上，顯示技術進步對提升半導體製造精度的重要性。
接下來如何
#技術影響、#商業化程式
三星的 High-NA EUV 技術預計將於 2025 年開始對晶圓代工業務產生影響，進一步提升其在半導體製造領域的競爭力。
三星與合作夥伴的持續研發活動將加速 High-NA EUV 技術的商業化程式，為 2027 年的全面應用奠定基礎。
他們說什麼
ASML CEO 表示，EXE:5000 的開發是對半導體製造極限的挑戰，強調了其在推動行業技術進步中的關鍵角色。
三星半導體事業部負責人強調，與 Lasertech、新思科技、JSR 和東京電子的合作是實現 High-NA EUV 技術商業化的重要一步，展現了三星在半導體技術創新上的領導地位。
概念股
參考資料
編輯整理：Maggie Wei
