SK 海力士加速 1c DRAM 布局 EUV 投資暴增搶攻 HBM4E 先機
瞄準 AI 晶片需求 SK 海力士全力推進 1c 製程
隨著 AI 運算需求持續升溫，SK 海力士正加快推進 10 奈米第六代（1c）DRAM 技術，以搶占新一代高頻寬記憶體（HBM）市場。市場消息指出，該製程將應用於第七代 HBM 產品 HBM4E 核心晶片，並計畫於今年內提供樣品。
此舉主要因應輝達（NVIDIA）預計於明年下半年推出的新一代 AI 加速器「Vera Rubin Ultra」，帶動上游記憶體供應鏈提前卡位。
良率突破 80％ HBM 導入節奏明顯加快
過去 SK 海力士採取穩健策略，將 1b 製程應用於 HBM3E 與 HBM4 產品，並優先以 1c 製程生產 DDR5、LPDDR5X 與 GDDR7 等通用型 DRAM。不過，隨著 1c DRAM 良率提升至約 80%，公司正擴大該製程在 HBM 產品的應用範圍。
法人指出，良率之所以能提升，代表先進製程已具備量產條件，有助於強化 SK 海力士在高階記憶體市場的競爭力，並進一步鞏固其在 AI 記憶體供應鏈的領先地位。
EUV 設備投資翻倍以上 產線升級全面啟動
為了支援 1c 製程擴產，SK 海力士大幅加碼極紫外光（EUV）設備投資。公司先前已向艾司摩爾（ASML）採購約 12 兆韓元的 EUV 設備，今年整體設備資本支出預估達 20 兆韓元，其中過半將投入 EUV 相關設備。
業界透露，實際取得的 EUV 設備數量較原計畫增加逾三倍，顯示公司對先進製程布局的積極程度。相關設備將部署於清州 M15X、利川 M16 以及龍仁半導體聚落等主要生產基地。
在製程技術上，1c DRAM 的 EUV 層數也將進一步提升至五層以上，相較於前一代製程持續精進，有助於實現更高密度與效能表現。
產能加速轉換 AI 記憶體競賽白熱化
在產能規劃方面，SK 海力士計畫今年將過半 DRAM 產能轉換至 1c 製程，年底產能目標上看約 19 萬片。此舉顯示公司正全面押注先進製程，以因應 AI 時代對高效能記憶體的龐大需求。
隨著 HBM4E 世代即將到來，加上主要客戶持續推進 AI 晶片升級，記憶體產業競爭已從製程技術、產能規模延伸至設備投資與供應鏈整合能力。未來誰能在良率、成本與量產速度間取得最佳平衡，將成為決定市場版圖的關鍵。
