SK 海力士敲定輝達 HBM4 大單 單價飆破 560 美元、漲幅逾 5 成
在全球 AI 運算熱潮持續升溫下，高頻寬記憶體（HBM）成為 AI 晶片不可或缺的核心零組件，其供應商的議價能力登上新高峰。根據多家外媒報導，SK 海力士（SK hynix）已完成與輝達（NVIDIA）的 HBM4 供應協議，雙方最終敲定單價約 560 美元，相較前代 HBM3E 漲幅超過 50％，創下史上新高漲幅的紀錄。
這場歷時數月的談判中，儘管輝達曾試圖引入三星電子、美光（Micron）競價壓價，但最終仍接受 SK 海力士的報價，突顯其在先進 HBM 技術與產能上的絕對領先地位。
HBM4 效能倍增 導入台積電製程確保良率
報導指出，HBM4 的漲價並非僅因市場需求旺盛，而是源自明確的技術升級。HBM4 的資料通道數從 HBM3E 的 1024 條倍增至 2048 條，並在連結 GPU 的「基礎裸晶（base die）」中新增邏輯運算與能源管理功能，顯著提升資料處理效率與能耗表現。
由於技術複雜度與製程難度大幅提高，SK 海力士決定將基礎裸晶生產外包給台積電（2330），以確保良率。公司內部人士指出：「HBM4 的製程與研發投入遠高於前代產品，漲價具備充分理由。」
將搭載輝達 Rubin 晶片 HBM 業務營收可望年增 5 成
HBM4 將率先搭載於輝達預計於 2026 年下半年推出的次世代 AI 晶片「Rubin」上。早在今年 3 月，SK 海力士便提供全球首款 12 層堆疊 HBM4 樣品，並於 6 月開始出貨首批產品。
隨著明年起主力供應產品由 HBM3E 過渡至 HBM4，業界預期 SK 海力士 HBM 業務營收將年增 40％至 50％，銷售額上看 40 兆至 42 兆韓元，其中單 HBM 產品線預計可貢獻約 25 兆韓元營業利益。
公司強調，已與輝達確定長期價格與供應量協議，即便三星、美光後續切入 HBM4 市場，對其獲利衝擊有限。
AI 推升記憶體需求 DRAM 價格同步走強
除了 HBM 外，SK 海力士在通用型 DRAM 業務上也受惠於市場供應緊縮。隨著各大記憶體廠商近年集中擴充 HBM 產線，通用型 DRAM 出現供應短缺，價格自下半年以來持續上漲。
分析師指出，AI 推理與訓練市場快速擴張，短期內 DRAM 需求難以滿足，SK 海力士 DRAM 業務利潤率有望提升至 50％ 至 60％，成為繼 HBM 後另一大獲利引擎。
