三星於輝達 GTC 首秀 HBM4E 搶攻次世代 AI 記憶體制高點
攜手輝達布局 AI 平台 三星電子展現 HBM 技術實力
三星電子於輝達（NVIDIA）年度開發者大會 GTC 2026 首度公開第七代高頻寬記憶體 HBM4E，並展示多項 AI 記憶體與儲存解決方案，突顯出三星在 AI 時代關鍵零組件的競爭優勢。
本次展會於美國聖荷西舉行，三星電子在展區中重點呈現與輝達新一代 AI 平台「Vera Rubin」相關的產品組合，包括 HBM、SOCAMM 模組及企業級 SSD，強化雙方合作布局。
HBM4E 性能大躍進 頻寬達每秒 4TB
三星此次展出 HBM4 與 HBM4E 實體晶片，其中 HBM4 採用 10 奈米等級第六代 1c DRAM 製程，搭配 4 奈米基底晶片技術，整合先進邏輯與記憶體製造能力。
而首次亮相的 HBM4E，單一引腳傳輸速度可達 16Gbps，總頻寬上看 4TB/s，顯示其在 AI 高效運算應用上的潛力。隨著 AI 模型規模持續擴大，高頻寬與低延遲記憶體需求快速攀升，HBM4E 可望成為關鍵解決方案。
混合銅接合技術突破 推升高堆疊與散熱效率
在封裝技術方面，三星同步展示「混合銅接合」（HCB）技術，應用於 16 層以上 HBM 堆疊。該技術透過直接連接銅表面，取代傳統凸塊（bump）結構，可顯著降低電阻並縮短訊號傳輸距離。
相較傳統熱壓接（TC）技術，HCB 不僅提升資料傳輸速度，也能改善約 20% 的熱阻表現，有助於解決高效能運算環境中的散熱瓶頸。
SOCAMM 與 PCIe 6.0 SSD 齊發 打造完整 AI 記憶體架構
在系統整合方面，三星也展示出多款搭載於 Vera Rubin 平台的記憶體與儲存產品，包括基於 LPDDR5X、已完成驗證並啟動量產的伺服器記憶體模組 SOCAMM2、採用 PCIe 6.0 介面企業級 SSD 作為 AI 系統主要儲存裝置的 PM1763；其中 PM1763 支援 GPU 直接存取 SSD 的 SCADA 技術，可以繞過 CPU 瓶頸，大幅提升資料存取效率，成為 AI 資料中心架構的重要突破。
AI 記憶體版圖擴張 支援新世代推論與儲存架構
此外，三星也展示 PM1753 企業級 SSD，預計應用於輝達（NVIDIA）新導入的 CMX（Context Memory eXtension）架構。該技術可將 AI 推論過程中的關鍵資料（KV Cache）轉移至外部儲存，一來提升運算效率，二來降低功耗。
展區亦涵蓋了 GDDR7、LPDDR6 與新一代儲存產品，呈現完整 AI 記憶體產品線，強化資料中心與邊緣 AI 應用布局。
IDM 整合優勢發揮 三星強攻 AI 記憶體生態
三星電子表示，憑藉從記憶體設計、晶圓代工到先進封裝的一體化（IDM）能力，將建立 HBM 技術的正向循環，加速產品迭代與市場滲透。
隨著 AI 平台快速演進，三星將持續提供高效能記憶體解決方案，深化與輝達等客戶合作，積極搶占 AI 半導體市場的關鍵地位。
由於輝達執行長黃仁勳於 GTC 開發者大會上證實三星電子（005930-KS）正參與新一代 AI 晶片的生產，使市場看好對三星的晶圓代工業務轉虧為盈，三星今日（3/17）股價盤中一度大漲 5%，終場上升 2.76％、每股報 193900 韓圜。
提到的股票
概念股
參考資料
- 三星GTC 2026首发HBM4E，全面展示AI内存布局
- 마이크론, HBM4 1분기 출하 공식화...엔비디아 베라 루빈용
- 삼성전자, GTC 2026서 HBM4E 첫 공개...초당 대역폭 4TB
- SK하이닉스, GTC 2026서 커스텀 HBM4 모형 공개
