半導體機密外洩再掀波瀾 三星 DRAM 核心技術疑遭滲透、韓檢調起訴十人
10 奈米級記憶體關鍵資料流向中國 牽動東亞晶片競爭與產業安全警戒
繼台積電（2330）先進製程技術外洩事件引發關注後，南韓半導體產業也爆出重大機密外流案。南韓檢方近期指出，三星電子一項攸關 10 奈米級 DRAM 的核心技術，疑遭內部人員非法取得並流向中國記憶體大廠長鑫存儲（CXMT），相關人員已遭依法起訴，震撼南韓產業界。
根據韓聯社報導，首爾中央地檢署資訊科技犯罪偵查部表示，已依違反《不正當競爭防止及商業秘密保護法》與《產業技術保護法》，對 5 名三星電子前員工提起羈押起訴，並對 長鑫存儲研發團隊 5 名相關人員 提起不羈押起訴，全案合計 10 人遭起訴。
檢方指出，涉案人員透過內部文件、行動守則與暗號聯繫方式，長期規避監控，進行機密資料的轉移與分享。
前員工涉案 18 奈米技術被指外流 助中國量產 10 奈米 DRAM
韓媒披露，檢方調查發現，三星前主管金姓人士等人，自 2016 年起非法取得三星全球首創的 18 奈米 DRAM 技術，並將大量製程與工序資訊轉交長鑫存儲。該項技術為三星歷時五年、投入約 1.6 兆韓元才完成的關鍵突破。
據調查，部分資料甚至由前研究人員以手寫方式逐項抄錄流出。長鑫存儲在取得相關技術後，於 2023 年成功量產中國首款 10 奈米級 DRAM，並躋身全球少數具備該製程能力的企業之列。
經濟損失驚人 檢方估影響恐達數十兆韓元
南韓檢方評估，此次技術外洩不僅重創企業競爭力，也對國家產業安全造成衝擊。初步估算，三星電子 2024 年營收恐因此減少約 5 兆韓元，若納入對南韓半導體生態系與相關產業的長期影響，整體經濟損失可能高達數十兆韓元。
檢方並揭露，涉案人員曾設立空殼公司、頻繁更換辦公據點，內部甚至制定「隨時假設遭情報機構監控」的行動指引，並以特定符號作為緊急聯絡暗號。
SK 海力士亦受波及 記憶體產業警戒升溫
除了三星電子，南韓另一記憶體巨擘 SK 海力士也被點名曾發生技術外流事件。檢方指出，長鑫存儲相關人員於 2020 年 透過合作廠商非法取得 SK 海力士的 DRAM 技術資料，涉及國家核心技術，同樣已移送司法機關處理。
分析人士指出，隨著先進製程與記憶體技術成為地緣政治與產業競爭的關鍵戰略資產，企業內稽內控、資安與員工管理機制的重要性將持續升高，相關案件恐將加速各國對半導體技術外流的立法與執法強度。
